采用介质谐振器的C波段高稳定、低噪声GaAs FET集成振荡器

用BaO-TiO_2陶瓷介质谐振器稳频的GaAs FET集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为17％,频率温度系数低达2.3ppm/℃。由于稳频使调频噪声电平减小30分贝以上。精确地测量了振荡器和谐振器的动态特性,以确定等效电路形式。介绍了基于这些等效电路形式的大信号设计理论,以便在振荡器和谐振腔之间实现最佳耦合条件。本稳频振荡器的性能可满足微波通讯系统的要求。     

采用介质谐振器的砷化镓MESFET振荡器的温度稳定性

本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。     

高性能微带型介质腔稳频体效应振荡器设计

本文采用 T.Hirota 等人提出的微带振荡器非线性等效模型,对体效应管非线性等效电路参数进行数值拟合,得到体效应管的非线性等效电路;利用介质谐振器作为稳频元件,实现稳频 MIC 体效应振荡器,在三公分波段获得高性能稳定振荡器:在-20℃～+80℃温度范围内,频率稳定度为2.2ppm/℃,振荡输出功率大于110mW。     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

介质谐振器稳频晶体管振蓄器

本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。     

介质谐振器反馈型GaAs FET振荡器

本文扼要分析了高Q介质反馈型FET振荡器的原理,认为介质反馈型振荡器类同于高Q介质谐振器与FET栅极耦合的反射型振荡器。实验表明,在-40～+55℃范围内,频率稳定度达2.0ppm/℃,最佳可小于0.2ppm/℃。同时,介质温度系数对振荡电路的过补偿比欠补偿更有利于提高输出功率温度稳定性。     

6mm介质稳频微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的６ｍ全微带ＧａＡｓ耿氏振荡器．频率在４４．６ＧＨｚ时，输出功率为１０２ｍＷ；频率温度系数为４．８ｐｐｍ／℃．     

X波段耿氏振荡器

体效应二极管振荡器具有寿命长、噪声低、供电方便、体积小和重量轻等优点,但是它的频率温度系数太大,限制了它在整机系统中的应用.因此必须研究提高体效应二极管振荡器的频率稳定度.一般采用高Q值腔直接稳定和温度补偿方法来改善振荡器的频率稳定度.常用殷钢制成圆柱腔直接稳频方式.近年来,在微波材料领域已研制成功的高稳定、低损耗的微波介质谐振器,它可以代替殷钢腔作为振荡器的稳定腔,     

低损耗微波介质陶瓷

制成了用于微波汽车电话和卫星传播电视接收机的谐振器和滤波器用的介电特性优良的介质陶瓷.这是一种属于钙钛矿型化合物的Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3-Ca/(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3系固溶体陶瓷,它具有介电常数大(ε_r=30-40),谐振频率的温度系数小(τ_f=0—28ppm/℃)和损耗极低(Q=15000) 的特点.通过改变组分能制成具有各种温度系数的陶瓷,因此可用于电路的温度补偿.另外使用这种介质陶瓷,可以实现小形、低价和高稳定的微波振荡器和滤波器.     

高稳定介质谐振器FET振荡器

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究。人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的。目前已经在BaTi_4O_9和Ba_2Ti_9O_(20)基础上研制出这种材料,并且已制成用超稳定介质谐振器稳定的振荡器,这种振荡器在11千兆赫、温度从-50℃～100℃时频率漂移约为±100千赫(≈±0.06×10~(-6)/K)。     

7GHz共漏GaAs FET稳定振荡器

研究并试制了共漏GaAsFET稳定振荡器,该振荡器电路结构简单,容易封装。文中给出了振荡器的大信号设计方法及主振器与介质谐振器的耦合方法,说明了所制得的共漏GaAsFET稳定振荡器的振荡特性、振荡频率调谐特性及温度特性,调频噪声特性等。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.     

26千兆赫波段稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器的设计

一种工作在26千兆赫的采用介质谐振器的稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二级管振荡器已研制成功。在设计这种工作在高频范围的振荡器时,要考虑许多参数对频率稳定性的影响。本文讨论了由各种因素引起的振荡频率的变化。这些因素是:介质谐振器谐振频率的漂移,二极管电抗的偏移,二极管与谐振器之间的电长度的变化;所有这些变化都是由温度改变引起的。本文还介绍了频率高度稳定的振荡器的设计规则。利用这些技术,我们已制作出一台微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器。它的性能是:在0℃至50℃的温度范围内,频率稳定度小于±5.0×10~(-6),输出功率变化小于±2.0分贝,输出功率大于23毫瓦分贝。     

光控介质谐振器的频率调谐

本文对置于金属屏蔽中介质基片上的叠片式介质谐振器进行了分析;给出了光控频率调谐的线性理论公式和叠片式介质谐振器的谐振频率公式。这些公式可用于光控介质谐振器振荡器的理论计算和频率稳定度极高的叠片式介质谐振器的工程设计。     

高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用

叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。     

C波段高稳定陶瓷谐振振荡器的设计

介绍了利用陶瓷谐振器（CR）来提高振荡器频率稳定度的方法,并利用专用微波电路设计软件（AWR）对该方法进行了分析,同时还对压控支路进行了温度补偿设计。根据分析结果制作的C波段高稳定陶瓷振荡器取得了令人满意的指标：在全温范围测试结果为温漂≤50 ppm/℃,带内线性≤1.1,频率稳定度≤±15 MHz,相噪≤-108 d...     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

介质谐振器稳频FET振荡器的分析与设计

本文采用具有高Ｑ值高介电常数的陶瓷介质谐振器，对ＦＥＴ振荡器进行稳频、通过理论分析，导出了振荡条件，利用计算机优化，得出了各部分优化尺寸，最后研制出了Ｓ波段ＦＥＴ介质谐振器稳频振荡器。经测试，输出功率Ｐ０〉１０ｍＷ、频率稳定度△ｆ／ｆ〈１０＾－５。     

《固体电子学研究与进展》第12卷第4期封面、封底图片介绍

<正>8毫米介质稳频微带Gunn振荡器 封面照片是南京电子器件研究所研制的8毫米介质稳频微带Gunn振荡器。其主要技术特点是:采用微带MIC结构,使用高Q介质谐振器稳频和自制的低损耗探针式8毫米微带与波导转换接头。因此,具有体积小、重量轻、高稳定、加工调试方便和易于集成等优点。 该部件已达到的性能指标为: 频率范围26.5～40GHz 输出功率10～170mW 温度系数10—20ppm/C 该振荡器是一种新型的8毫米高稳定振荡源。在要求小体积、轻重量的全集成前端中作本振和发射用,可广泛用于电子工程及通讯系统等领域。