镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析

本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH₄F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl₂·6H₂O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_TC达到3×10^-2Ω^-1,电阻率ρ为3.79×10^-4Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10²⁰ cm^-3,迁移率μ为13.31 cm²·V^-1·s^-1。     

非晶态Te-In-Sb薄膜相变中的光学与电学性质变化

研究了高频溅射制备的非晶态Te-In-Sb系统薄膜的电学性质和透射、反射谱及其在结晶过程中的变化。用TEM和DSC研究了该系统薄膜的晶化过程。分析了组分对薄膜的吸收系数、介电常数和光学能隙等光学性质的影响。发现Te-In-Sb系统非晶态薄膜在热处理过程中,存在二个结构(?)像阶段。当非晶态Te-In-Sb薄膜向晶态转变时,其反射率可发生30％—45％的变化。     

薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明：在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。     

热处理对BiO_x薄膜的组成和结构的影响

采用反应磁控溅射法在氧气和氩气比例为20∶100的混合气体中制备了非化学计量的氧化铋薄膜。薄膜分别在真空和空气中400℃退火30min。采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)研究了薄膜在真空和空气中退火对其组成和结构的影响。分析表明,在真空退火条件下薄膜中的金属铋和次氧化铋发生了相变,金属铋晶粒长大;而在空气中退火时薄膜主要发生了金属铋和次氧化铋的氧化过程,得到了四方Bi2O3。     

热处理对聚乙烯醇薄膜性能的影响

通过改变热处理温度和处理时间研究了热处理条件对聚乙烯醇薄膜性能的影响。结果表明，聚乙烯醇吹塑薄膜经热处理后结晶度增大。薄膜在130℃下热处理300s后，室温下水溶时间由未处理的1297s延长至2841s，增加119．04％；失重率增大4．6％；拉伸强度由未处理的23．86MPa增大至73．25MPa，提高207．00％，同时，断裂伸长率由未热处理的255％下降到100％，下降了60．78％；透光率由未处理的91．9％下降到88．5％。下降了3．70％。     

热处理对聚乙烯醇薄膜性能的影响

对聚乙烯醇薄膜进行了热处理,并测试了热处理后薄膜的力学、光学及电学性能,结果表明:增加热处理时间与升高热处理温度对改变聚乙烯醇薄膜的力学性能、光学性能和表面电阻率等效;随着热处理时间的增加或热处理温度的升高,其力学性能增强,光学性能略有下降,表面电阻率增大。     

热处理对BOPP薄膜性能的影响研究

介绍了热处理在BOPP薄膜生产中的作用,讨论了纵横向热处理对薄膜性能的影响。研究表明:纵向热处理对BOPP薄膜的结构和性能影响甚小;而横向热处理则影响很大;随着横向热处理温度的变化,BOPP薄膜的结构和性能将产生较大差异,其间存在一个最佳的温度值,需要根据工艺和设备进行优选。此外,热处理对BOPP薄膜的光学性能和收缩率产生显著影响,其中薄膜的雾度随热处理温度的上升而上升,光泽度随热处理温度的上升而下降; 收缩率随处理温度的上升而下降,尤其是横向收缩率的下降幅度最大。     

薄膜厚度对AZO薄膜光电性能的影响

通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备AZO薄膜,研究膜层厚度对AZO薄膜光电特性的影响。发现随着膜层厚度的增加,AZO薄膜在可见光区的平均透射率略微增长,而方块电阻和电阻率却显著递减,导致其品质因子随厚度增加而增加。在薄膜厚度为395 nm时,获得电阻率为3.24×10-3Ωcm,可见光区平均透射率为85.52%,品质因子为25.52×10-4Ω-1的光电性能良好的透明导电薄膜。本文制备的薄膜具有较优的透明导电性,可以广泛应用于太阳能电池、平板显示器等光电领域。     

溅射总压对氧化钒薄膜的结构及电致变色性质的影响

采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响。结果表明：当功率一定（3．8W·cm^-2)时,在高气压沉积的V2O5薄膜中出现了微晶相,而在低气压沉积的薄膜中为非晶相。从循环伏安过程中实时记录的透过率变化曲线可见：随着Li^ 离子和电子的双重注入,薄膜在某一波长处的透过率前一阶段是增加或降低,而后一阶段却相反。含微晶相的薄膜上述现象更为明显,而且其储存Li^ 离子的容量也要大许多。应用能带结构理论定性地解释了V2O5薄膜复杂的电致变色现象。     

温度对n-ZnO/p-diamond薄膜异质结器件制备和电学性质的影响

采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌(ZnO)薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火(400℃,700℃)对异质结性质的影响。实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小。不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作。     

纺丝前热处理对聚丙烯腈结构和热性能的影响

报道了一种聚丙烯腈(PAN)的改性方法,即在惰性气体保护下,对PAN的二甲基亚砜(DMSO)溶液进行热处理。红外光谱和紫外-可见光谱测试结果表明,热处理可以引发PAN的环化。同未处理样品相比,处理过的PAN在预氧化过程中释放出更少的热量,热稳定性也有了明显的提升,更适合用于碳纤维的制造。     

Effects of Annealing Temperature on Microstructure and Electrical and Optical Properties of Radio-Frequency-Sputtered Tin-Doped Indium Oxide Films

Indium tin oxide (ITO) films (0.3 μm thick), with a doping level of 28 mol% SnO₂, were prepared by a radio frequency magnetron sputtering mehthod. The effects of postannealing on the microstructure and the electrical properties of the ITO films were investigated. The as-sputtered film showed an amorphous structure, whereas the films annealed at 350° and 510°C exhibited crystalline structures with grain sizes of 0.12 and 0.14 μm, respectively. Examination by TEM showed that the postannealing treatment induced SnO₂ precipitates along the grain boundaries. The resistivity increased with increasing postannealing temperatures. The mobility of carriers appears to be responsible for the resistivity increase in these specimens. The mobility change is discussed in connection with the SnO₂ precipitates.     

Thermal, Dielectric, and Optical Properties of Neodymium Borosilicate Glasses for Thick Films

Because of their thermal, dielectric, and optical properties, new glass compositions and thick-filmed transparent dielectrics containing neodymium oxide (Nd₂O₃) were studied as a source of purer images in plasma display panels. In the present study, PbO–B₂O₃–SiO₂ and PbO–B₂O₃–SiO₂–ZnO–Al₂O₃ were used as starting glass compositions, to which up to 25 wt% of Nd₂O₃ then was added. Increased amounts of Nd₂O₃ increased the glass transition temperature and dielectric constant of the bulk glasses and decreased the coefficient of thermal expansion. The fired thick films (around 30 μm) allowed selectively visible light to penetrate and showed deep absorption properties at 585 nm that were related to an extraneous gas from neon discharge.     

微粒的导电性对复合镀层结构与性能的影响

在复合电沉积过程中辅助施加超声波搅拌,制备出Ni-Al和Ni-Al2O3两种复合镀层。借助扫描电镜、X射线衍射仪、显微硬度计和摩擦磨损试验机研究了微粒的导电性对复合镀层形貌、相结构及性能的影响。结果表明:微粒的导电性对复合镀层的形貌、相结构和显微硬度均有一定影响,但对耐磨性的影响不明显;添加惰性微粒有利于获得形貌良好、结构致密、显微硬度较高的复合镀层。     

Optical and Mechanical Properties of Thin PTFE Films,Deposited from a Gas Phase

Thin polytetrafluoroethylene (PTFE) films are produced by deposition from a gas phase by two methods: electron-enhanced vacuum deposition (EVD) and EVD + low-temperature plasma (LTP). Structure, morphology, and composition of the films are studied by IR spectroscopy, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. They are close to the structure of bulk PTFE. The roughness of the films’ surface is changed with gas pressure and LTP power variations. Films are transparent from UV to near-infrared regions. Refractive and extinction indices and their anisotropy are measured by spectral ellipsometry. They are tuned by variations of deposition conditions. Hardness and Young modulus of the films are increased if EVD + low power LTP is used for film deposition. Use of EVD + LTP also increases thermal stability of the films. Contact angle of the films corresponds to the bulk PTFE. The PTFE molecules oriented are preferentially in perpendicular direction to the substrate surface.     

热处理温度对对位芳纶纤维表面聚集态结构和性能影响

以不同温度(200,250,300,350℃)热处理对位芳纶纤维,用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)分析了氧化热处理对对位芳纶纤维表面基团和聚集态结构的影响.FTIR和XRD分析结果表明,经250℃及以上热处理,纤维表层分...     

钼酸镉晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文利用了基于密度泛函理论的第一性原理和平面波赝势方法计算了CdMoO4晶体的电子结构和光学性质.分别采用了广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对晶胞参数进行优化,得到了最稳定状态下的晶胞参数.在优化结构的基础上得到了两种近似下的能带结构,电子态密度和介电函数.能带结构表明CdMoO4的价带顶和导带底均在Γ点,直接带隙分别为2.342 eV (GGA),2.241 eV (LDA).电子态密度计算结果说明Mo4d和O2p轨道之间强烈杂化形成Mo-O共价键,且其键性强于Cd-O键.计算得到的介电函数实部与虚部和Abraham等用WIEN97软件计算的结果吻合得较好.     

In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响(英文)

采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明:[GeSe4]四面体Ge—Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一,且Ge—Se键的振动强度随着In含量的增加而减小;当In的含量达到13.87%(摩尔分数)时,[GeSe4]四面体消失,而[InSe4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式。采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现:随着In含量增加,该薄膜的短波吸收限红移,折射率逐渐增大,光学带隙逐渐减小。     

热空气对聚甲醛纤维结构与性能的影响

采用热空气加热处理工艺,改变加热温度和时间,研究了热空气处理对聚甲醛纤维的取向度、结晶性及力学性能的影响。研究结果表明:随着热处理温度的提高和时间的延长,聚甲醛纤维的取向度逐渐下降,结晶度逐渐上升,拉伸强度呈现先上升后下降的趋势;当热处理温度为120℃,热处理时间为20 min时,聚甲醛纤维的拉伸强度达到最大值5.1 cN/dtex,比未处理纤维提高了约10%。