直流溅射ITO薄膜光电性能研究

采用直流溅射法制备了高性能的ITO薄膜。结果表明,氧气分压比和衬底温度对薄膜的方阻、可见光透射率具有重要的影响。其最佳值分别为0.5/50和350℃;同时,随着膜厚的增加,薄膜的晶粒增大,导电率也相应降低。     

ITO薄膜的研究进展

ITO是锡掺杂氧化铟薄膜的简称,属于透明导电氧化物材料。常规沉积方法制备的ITO薄膜通常为非晶态或体心立方晶系晶体,为n型半导体材料,其载流子为自由电子,主要来源于沉积过程中薄膜化学计量比偏离或阳离子掺杂形成的施主杂质。ITO薄膜是当前研究和使用最为广泛的透明导电氧化物薄膜材料,由于具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射率等独特物理特性而被大量应用于平板显示器、太阳能电池、发光二极管、气体传感器、飞机风挡玻璃除霜器等领域。此外,ITO薄膜对微波还具有高达85%的衰减作用,因而在电磁屏蔽等军用领域显示出巨大的潜在应用价值。过去几十年里,针对ITO薄膜的研究工作主要聚焦于薄膜的光电性能上。当前,伴随着ITO薄膜的应用范围在航空航天和军用武器装备等领域的拓展,ITO薄膜在恶劣力学环境中的使用日渐增多。因此,除光电性能外,ITO薄膜的力学性能也开始受到研究者越来越多的关注,人们对薄膜器件在各类恶劣使用环境中的稳定性及耐久性提出了更高的要求,这一要求使得对ITO薄膜力学性能的深入研究分析有了重要的理论及实际意义。本文综述了近年来ITO薄膜在微结构特性、能带结构、光电性能及力学性能等方面的研究进展,简略探讨了ITO薄膜的研究发展方向。     

氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响

利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)导电薄膜,并在氮气气氛下对薄膜进行热处理。采用四探针测试仪、双光束紫外-可见分光光度计、X-射线粉末衍射仪和扫描探针显微镜等手段对所制备的ITO薄膜进行分析表征,并对掺Sn量、退火温度和退火时间对薄膜光电性能的影响进行了研究。实验结果表明:当掺Sn量为11%、热处理温度为480℃、热处理时间为60min时,能在氮气气氛中成功制备纳米ITO导电薄膜,其晶粒大小在20~90nm之间,薄膜的方阻较小为390Ω/□,可见光透过率达80%以上。     

掺锡量对溶胶-凝胶法制备ITO薄膜性能的影响

本文以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶法在玻璃载片上旋转涂膜制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO薄膜)。采用了紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪、X-射线衍射仪和扫描电镜等对ITO薄膜的透射率、方块电阻、物相组分和结构形貌进行测量与表征。研究了掺锡浓度对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果显示:ITO薄膜的光电特性与掺锡浓度有关,在掺杂溶度为12wt%时,制备出的ITO薄膜最低方块电阻为124Ω/□,最高透射率为92.85%。     

柔性ITO导电薄膜制作技术

主要介绍了柔性ITO导电薄膜的工艺技术参数及生产加工流程。     

ITO膜的制备及性能研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃上沉积了30 nm～700 nm厚的系列透明导电ITO(In_2O_3∶Sn)薄膜。研究膜厚对透光率、方阻和屏效的影响。可见光的平均透光率在79%～87%,方阻在1.4Ω/～44Ω/之间变化,在低频的时候,屏蔽效能和膜厚没有多大的关系,在高频阶段屏蔽效能随膜厚的增加而增大。     

无机阴离子掺杂TiO_2薄膜光催化性能及红外光谱分析

采用溶胶-凝胶法,以钛酸丁酯为前躯体制备了掺杂钼酸根离子(MoO42-)、钨酸根离子(WO42-)和锡酸根离子(SnO32-)等复杂无机阴离子的二氧化钛光催化薄膜。研究了浓度、掺杂薄膜结构对薄膜光催化性能的影响,结果表明钼酸根离子和钨酸根离子的掺杂都在不同程度上降低了薄膜的光催化性能,而一定浓度的锡酸根离子掺杂能提高薄膜的光催化活性。傅立叶红外光谱分析了它们对纳米二氧化钛表面结构的影响,结果表明SnO32-掺杂后TiO2的晶格振动峰出现明显的宽化,分析认为酸性条件下SnO32-通过热分解产生SnO4,抑制TiO2粒子在热处理过程中生长,有利于形成更细小的晶体,从而提高其光催化活性。     

ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

以10%SnO2和90%In2O3(以质量计)烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO透明导电薄膜。研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO薄膜的结构和光电性能的影响。实验结果表明,采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO薄膜沿(222)晶面生长,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移。     

柔性ITO导电薄膜蚀刻痕消除工艺

主要介绍柔性ITO导电薄膜蚀刻痕消除工艺,分析薄膜膜系结构设计和主要影响其蚀刻痕的因素。     

柔性透明ITO导电聚酰亚胺薄膜的制备及光电性能

采用透明聚酰亚胺薄膜作为柔性衬底材料,通过射频磁控溅射法制备了不同氧化铟锡(ITO)厚度的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜.对导电聚酰亚胺薄膜的透光率、方块电阻、禁带宽度、结晶结构及表面形貌等进行表征分析,系统研究了ITO厚度的影响规律.结果 表明,柔性透明导电聚酰亚胺薄膜具有优异的表面平整性和柔韧性;ITO沉积厚度和生长机制...     

空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响

以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。     

ITO的光学与电学应用研究进展

对ITO电极在光学与电学领域的应用做了说明,简要介绍了ITO电极的几种合成方法。以ITO国内外前沿领域热门的为基础,对于ITO电学性能和光学性能的研究。报道了ITO近5年的研究进展,对今后ITO相关研究拓宽思路。     

用溶剂萃取法从ITO膜蚀刻废液中回收金属铟的实验研究

文章对ITO膜蚀刻废液中锱的回收进行了研究。首先采用TBP萃取蚀刻废液,在实验的最优条件下经两次萃取,钢的萃取率可达到96.2％。然后用水反萃TBP有机相,不仅反萃了金属铟,并实现了铟、锡分离。使用P2O4对反萃液萃取及盐酸反萃富集,所得的富钢溶液由NaOH调节pH,用铝片置换,成功回收海绵钢。     

EVA／ITO透明隔热材料的制备及性能研究

采用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）为基质,以透明并具有红外反射功能的纳米氧化铟锡（ITO）为添加剂,通过挤出共混法制备EVA／ITO透明隔热材料。探讨了纳米ITO含量对这一材料的光学性能、隔热性能及热稳定性的影响,并考察了材料与玻璃的黏合强度。结果表明,添加少量（质量分数为1％～5％）纳米ITO的EVA／ITO材料对光的透过性能表现出明显的光谱选择性,能有效地阻隔红外光区的热能,并在可见光区具有相对较高的透光率;随纳米ITO含量的增加,EVA／ITO材料的隔热性能不断提高。当红外灯照射一个用透明隔热片材做盖板的木盒时,与未添加ITO的EVA相比,用含3％ITO的EVA／ITO片材制作的盖板能够使木盒内的空气温度降低9．1℃。在所考察的ITO含量范围内,所制备的EVA／ITO透明隔热材料与玻璃的黏合强度均大于30N／cm。     

ITO镀膜对化学钢化玻璃力学及透过性能的影响研究

锡掺杂氧化铟（InO2-SnO2,ITO）薄膜因具有良好的电学及透过性能而被广泛应用。本文以化学钢化玻璃为基体,采用磁控溅射对玻璃基体进行锡掺杂氧化铟（InO2-SnO2,ITO）薄膜的制备。研究了镀膜工艺对玻璃基体力学及透过性能的影响。研究结果表明：镀膜对玻璃强度有一定影响,随着镀膜温度的升高及时间的延长,玻璃的强度和表面应力逐渐下降。ITO薄膜的制备也对玻璃的透过性能有所影响,从92%降低至85%。虽然镀膜工艺降低了玻璃强度及透过性,但是总体影响不大。镀膜温度小于320℃,镀膜时间为1 h,对玻璃性能的影响比较小。     

Optical and electrical properties of ITO film on flexible fluorphlogopite substrate

Indium Tin Oxide (ITO) films were prepared, at room temperature, on a fluorphlogopite substrate using magnetron sputtering technology. At various temperatures of 500 °C, 600 °C, 700 °C, 800 °C, and 900 °C, the samples were (had) annealed for 2 h (a 2-h duration). The results showed improvement in the crystalline performance of ITO film at selected annealing temperatures, with a significant reduction in resistivity at 800 °C. The lowest resistivity is 4.08 × 10^?4 Ω-cm, which is nearly an order of magnitude lower than the unannealed sample. All samples have an average light transmittance above 85% in the visible light range (400–800 nm), and with increasing annealing temperature, the average light transmittance tends to decrease. Besides, at the sensitive wavelength of 550 nm, the light transmittance is as high as 93.74%. The sheet resistance testing of the sample was through the number of bending times, which revealed that with the increase of the number of bending, the sheet resistance increases. However, after 1200 bending times, the change rate of the sheet resistance remains below 5%. Thus, the ITO film prepared on the flexible fluorphlogopite substrate revealed excellent optical and electrical properties, good flexibility, and improved stability after high-temperature annealing, which guarantees successful application in flexible electronic devices.