浅析电子级多晶硅的清洗工序

电子级多晶硅产品的质量指标之一就是表面金属的杂质含量高低,而我国当下的电子级多晶硅清洗工序还是以酸洗为主导去除表面金属杂质含量,通过不同标准的化学刻蚀控制表面金属杂质含量,以达到产品的标准要求。文章就电子级多晶硅材料的化学清洗工序进行论述,讲述多晶硅的化学清洗工序中所涉及的化学试剂等因素的影响,提供清洗工序经验。     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

电子级多晶硅酸洗过程分析及经济成本论证

电子级多晶硅材料是集成电路产业链中一个极为重要的基础材料,是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料,是信息产业最基础的原材料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶硅的制备以及晶圆片良品率的高低有着密切的关系,因而通过硅块酸洗来控制多晶硅的表面金属杂质含量对多晶硅的品质提升有着至关重要的影响。目前,我国在电子级多晶硅酸洗方面的研究成果几乎还是空白。因此,如何使电子级多晶硅酸洗质量既满足电子级多晶硅酸洗标准又能达到酸洗最佳经济成本的目标,就是一个必须解决的课题。     

超快激光在多晶硅还原炉的应用技术优化研究

针对电子级多晶硅还原炉底盘附着的残留物，研究超快激光技术在电子级多晶硅还原炉的应用。通过超快激光电子级多晶硅还原炉清洗设备结构，分析其清洗电子级多晶硅还原炉设备过程。选取试验材料、试剂和设备后，分别制备含有无定形硅粉、氯硅烷水解物、二氧化硅粉尘、甲基硅油油脂、多晶硅颗粒等污染物的基板作为还原炉污染样本；并以制备的还原炉污染样本为基础，设定初始条件和边界条件后，展开电子级多晶硅还原炉污染试件清洗试验。结果表明：污染物基本被去除；在不同清洗次数下，超快激光清洗时的重复频率和扫描速度越高，其清洗电子级多晶硅还原炉污染试件效果越好。     

电子级多晶硅金属杂质来源探讨

电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。     

电子级多晶硅生产技术探讨

介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后处理等工序。结合电子级多晶硅生产技术的成功工程应用实践,介绍了电子级多晶硅项目的技术特点。     

集成电路用电子级多晶硅大规模产业化技术实践

国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展.江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体系,在高等级硅料产品实现、新工艺体系构建、高效产品评价等方面填补国内空白,达到了国际领军企业...     

PPB级高纯氮生产的工艺设计及其技术特点分析

随着互联网时代的到来,电子、多晶硅等行业广泛兴起,高纯气体的需求越来越多,高纯氮气在电子、多晶硅等行业的应用越来越广泛。制取氮气的基本方法是将空气分离,一般利用氮、氧的沸点不同其分离,常用深度冷冻法。随着高纯气体的纯度要求越来越高,对气体中的杂质含量要求越来越严格,常需在制氮之前对原料气设置纯化装置进行纯化。本工艺的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种适用于PPB级高纯氮生产的吸附装置及具有其的纯化器。在实施时,原料空气流经各吸附层后能够实现一次纯化即可有效去除原料空气中的H_2O杂质、CO杂质、CO_2杂质,而无需安装后纯化器进行再次纯化。纯化器可实现吸附和解吸之间相互切换,保持吸附活性,以保证吸附效果。     

多晶硅生产回收氢气中杂质来源及控制措施

介绍了多晶硅生产回收H₂中杂质的主要来源。针对难以去除的杂质,通过采用降低冷凝温度、优化HCl解析操作、采用特殊吸附剂并强化吸附效果等方法进行了去除,对提高回收氢气纯度,从而提高多晶硅产品质量具有重要意义。     

电子级氢氟酸制备过程中杂质砷的去除

对电子级氢氟酸制备过程中杂质砷的去除方法进行了讨论,比较了硫化法、电解法、离子交换法、高锰酸钾氧化法及其他氧化法的优缺点。     

电子级多晶硅生产技术探讨

高端电子级多晶硅是集成电路产业的基础,但由于其对产品纯度和稳定性的苛刻要求,国内并没有厂家能够进行商业化量产,这并不利于集成电路行业的健康稳定发展。本文在国内已掌握的改良西门子法多晶硅生产技术的基础上,结合国外先进技术,对精馏、还原的工艺和配套设备都进行了改良,并将光伏级多晶硅和电子级多晶硅生产系统进行了耦合,提高了效率,降低了整体生产成本,降低了原料对于电子级多晶硅生产的制约,形成了闭路循环生产体系。     

高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展

改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺。简述了多晶硅行业的生产背景和现状,介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的高效分离方法,并讨论了多晶硅生产中原料三氯氢硅中硼、磷杂质的存在形式和分离难点,概述了多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的多种高效分离方法,主要包括部分水解法、络合法、吸附法等。通过对各种分离方法进行综合性的分类和分析讨论,指出了现存方法的优缺点,提出了三氯氢硅中痕量硼、磷杂质分离技术在工业化时的关键难题,并对各种分离方法的应用前景进行了展望。     

电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工艺研究

对电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅产生原因进行分析,从还原炉工艺优化调整、尾气回收系统过滤除尘方面研究相对应无定型硅的去除工艺,可以有效降低无定型硅含量,进一步提高循环氢气质量,有助于提升电子级多晶硅产品质量.     

工业四氯化硅四级精馏的研究

高纯四氯化硅是热氢化、催化氢化、等离子氢化、光纤生产的原料,其品质要求达到9N。在改良西门子法生产多晶硅过程中,副产物工业四氯化硅,其中的各项金属杂质,硼磷杂质含量较高,并且含有高聚物,硅粉。采用常规的精馏法,吸附法,易出现堵塞,采用络合法,易出现络合剂分离不开的问题。通过采用四级精馏,一级脱重,去除其中的高聚物和大量的金属杂质,二级再脱重,去除金属杂质,回流采出轻组分,侧线采出产品,进入三级脱轻塔,去除其中的三氯氢硅,塔釜依靠压差,进入四级脱重塔,塔顶得到高纯四氯化硅产品。四级精馏得到的高纯四氯化硅,避免外杂质的引入,易得到9N产品。     

电子级多晶硅生产技术分析

电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛.电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺.从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一步对电子级多晶硅的生产技术进行改良,促进我国电子工业的稳定发展,提升工业生产效率.主要对电子级多晶硅...     

三氯氢硅除硼吸附性能研究

利用固体吸附剂来去除三氯氢硅(TCS)中的极性杂质硼是电子级多晶硅的生产领域中是一种比较有效方法。本文利用四氯化铂作为吸附质,以层析硅胶作为载体,制备出一种载体型除硼吸附剂。并将其应用于吸附三氯氢硅中的硼杂质,考察其吸附性能。实验结果表明:制备的硅胶/四氯化铂载体型除硼吸附剂具有明显的除硼吸附效果。     

电子级多晶硅生产技术

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。     

电子级硅烷的精制提纯

针对目前液晶面板和半导体行业对电子级硅烷的高纯度要求,采用自主研发的多个脱轻塔、脱重塔、多层吸附塔有机结合的方法,进行了粗硅烷精馏提纯技术的优化实验。结果表明,此方法能有效去除硅烷中各类有害杂质,使其硅烷的质量分数可达99.999 98%以上,达到电子级硅烷的纯度要求。此方法具有高效,污染小等技术优势,有望使国内企业摆脱对进口电子级硅烷的依赖。     

多晶硅中杂质含量、分布及其检测方法的探讨

多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一,由于其杂质组成复杂、含量低于常规检测方法检出限,这就使对多晶硅中杂质含量、分布及检测方法的研究具有重要意义。概述了目前用于检测分析多晶硅中杂质含量、分布的方法及其优缺点;总结了近年来国内外在多晶硅杂质检测方法研究中的进展以及多晶硅中杂质的含量和分布数据,为多晶硅的检测提供了参考。     

定向凝固制备铸造多晶硅研究进展

阐述了铸造多晶硅中几类重要杂质及铸造多晶硅晶粒组织中的缺陷,杂质和缺陷的存在,不同程度的降低了多晶硅电池的光电转化效率。介绍了定向凝固应用于硅材料的理论基础,论述了近年来定向凝固制备技术在杂质提纯和晶体生长的研究进展,提出了定向凝固制备铸造多晶硅研究现状和存在的问题。展望今后的发展前景,认为新型的定向凝固技术制备出的硅锭在杂质含量、晶体结构方面均优于传统凝固技术,应积极改善定向凝固技术,以制备高品质的太阳能硅材料。