硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究

研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律.对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析.结果表明当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶.通过Scherrer 公式计算,结合SEM和UV验证表明750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm.紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1.5 eV左右.     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

激光化学气相沉积非晶硅

本文报道了CO_2激光化学气相沉积非晶硅的实验结果,硅薄膜的沉积速率与硅烷气压、基片温度和激光光强密切有关。 利用不同方法测量了硅薄膜样品的各种特性,证实了薄膜确为非晶硅。 作者也研究了激光化学沉积非晶硅的机理,并给出了理论讨论以解释实验结果。     

退火时间对电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜的影响

以氢气稀释的硅烷(SiH4)为气源,利用PECVD方法在普通玻璃基片上生长a-Si薄膜.采用外加横向电场辅助的金属铝诱导晶化的方法,在氮气气氛条件下对a-Si薄膜样品进行快速退火制备poly-Si薄膜.采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜等测试手段研究了不同的退火时间对a-Si薄膜晶相结构、晶化率和表面形貌的影响.实验结果表明,电场辅助的铝诱导a-Si薄膜晶化效果较无外场作用显著加强,并且随着退火时间的延长,非晶硅薄膜的晶化效果增强.     

化学气相沉积制备碳化钨纳米晶薄膜

采用氟化钨(WF6)和甲烷(CH4)为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备具有纳米晶结构的碳化钨薄膜.采用SEM,XRD,EDS等方法表征了碳化钨薄膜的形貌、晶体结构和化学组成.通过表征,表明在前驱体混合气体中的甲烷与氟化钨气体的流量比(碳钨比)为20,基底温度为800 ℃的条件下得到的碳化钨薄膜是由直径为20～35 nm的圆球状纳米晶构成.通过分析影响薄膜的晶体结构、化学组成的因素后,认为要得到具有纳米晶结构的碳化钨薄膜,主要应控制前驱体气体中的碳钨比以及基底温度.     

化学液相沉积法制备AlxOy薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备A1xOy／Si薄膜的方法，室温下生长2h得到A1xOy／Si薄膜，其退火温度为1000℃，退火时间2h．对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析．结果表明，薄膜的显微硬度在退火前为5202．0N／mm^2，退火后为14533．5N／mm^2，增加近3倍；高温退火去掉了膜内的0H^-1，同时使薄膜晶化，晶体薄膜的O／A1比例为1．3．     

硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响

纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷（SiH4）热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。     

Fe-B非晶合金的等温晶化动力学研究

为研究Fe85B15非晶合金等温条件下晶化的形核、长大及碰撞等动力学机制,采用差热扫描量热仪(DSC)对未经过和经过预热处理的该非晶合金在不同温度下进行等温实验,用X射线衍射仪和透射电子显微镜分析其晶化前后的物相组成和显微结构.该合金等温晶化后为层片状分布的α-Fe和Fe3B两相.运用解析相变模型结合碰撞模式判断,对所...     

L沸石合成晶化区研究

以沉淀二氧化硅、氢氧化铝为硅源和铝源、氢氧化钾和氢氧化钠为碱源，在水热条件下合成了L沸石，研究了在加入L沸石导向剂情况下L沸石的晶化相区及随合成条件的变化．实验发现硅铝比n(SiO2)／n(A12O3)等于14时，不加L沸石晶化导向剂，在150℃晶化时不能得到纯的L沸石，产物为无定形或主要为W沸石．加入L沸石导向剂容易在低硅铝比时合成纯净的L沸石，适宜的L沸石合成条件是同时具有较低的碱硅比和较低的水碱比．硅铝比等于14时，晶化温度从130℃升高到170℃，L沸石晶化区向低水碱比方向缩小，同时向较高碱硅比方向略有扩大；硅铝比和钾碱比降低均使L沸石晶化区向低碱硅比和低水碱比方向缩小．     

非晶态合金 Fe73Si3B24 的晶化研究

对非晶态合金Ｆｅ７３Ｓｉ３Ｂ２４的晶化过程进行了探讨采用差热分析方法测定了晶化温度;用Ｘ－射线衍射方法粗略了解了晶化析出相;并用电镜观察了晶化形貌     

铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究

利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜。研究了不同的热处理条件对a-Si薄膜微观结构、表面形貌的影响，通过XRD、Raman,SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征。结果表明：铝膜的厚度为1μm时，在450℃下退火10min,薄膜样品开始向poly-Si薄膜转变，并且随着退火温度的升高和退火时间的增加，晶化程度加强。     

双相纳米晶合金的晶化体积分析

通过计算机模拟双相纳米晶合金(Fe0.5Co0.5)73.5Nb2V1Si13.5B9Cu1的X射线衍射峰,得出了合金经不同温度纳米晶化后的晶化体积,在520℃退火后合金晶化已基本完成,晶化体积达85%以上。对于(Fe0.5Co0.5)73.5Nb2V1Si13.5B9Cu1合金经不同温度退火后生成的纳米晶合金及其他合金退火后生成的纳米晶合金其晶化体积将会随退火温度的增加而增加,从而使其在高温下的软磁性能越趋于稳定。利用该方法得出的结果对纳米晶合金的这一特性解释得很好。这对研究双相纳米晶软磁合金的性能和结构特别是高温纳米晶的高温性能具有一定的意义。     

用PCVD法制备抗高温氧化涂层的研究

研究了用ＰＣＶＤ法所制备的ＴｉＮ,ＴｉＡ１Ｎ及ＴｉＳｉＮ硬质涂层的抗高温氧化性及ＴｉＮ涂层在双氧水介质中的抗氧化性。结果表明,ＴｉＡ１Ｎ,ＴｉＳｉＮ涂层在空气中的抗高温氧化性可达７００℃以上, ＴｉＮ涂层可达６００℃。在双氧水介质中, ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层仍具有较强的抗氧化能力, 且优于ＰＶＤ－ＴｉＮ 涂层     

溶胶-凝胶法制备BST/MgO复合粉体晶化过程研究

为降低钛酸钡锶BST/MgO陶瓷烧结温度,减小BST晶粒尺寸,采用溶胶-凝胶法制备BST/MgO复合粉体,DTA/TGA,FT-IR,XRD,TEM和SEM分析BST/MgO干凝胶的晶化过程.结果表明,采用溶胶-凝胶法制备出包裹MgO粉体的BST凝胶,凝胶经干燥、预烧得到BST/MgO复合粉体.凝胶干燥后形成含Ba2 ,Sr2 的非晶态干凝胶,干凝胶在晶化过程中会形成BaCO3和SrCO3,它们与TiO2反应形成钙钛矿晶型结构的BST.BST的钙钛矿结构主要在550~650℃形成,粉体在700℃预烧后基本完全晶化,得到包含BST和MgO两相的复合氧化物粉体,其中BST晶粒大小约20 nm,MgO晶粒大小>0.1μm.粉体经冷等静压成型和1300℃无压烧结制得BST晶粒为3~5μm的BST/MgO陶瓷,烧结温度比普通固相反应烧结温度低约150℃.     

晶种诱导电化学沉积法制备AZO薄膜

通过晶种诱导辅助电化学沉积法制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),利用XRD和SEM对薄膜的物相和形貌进行了表征,紫外-可见分光光度计和四探针式方阻仪分析了薄膜的光电性能,研究了不同Al掺杂浓度下AZO薄膜的晶体结构和光电性能。研究表明,一定含量的Al元素掺杂并不影响晶体的结构类型;制备的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构,且掺杂后薄膜的电阻呈数量级下降;当Al ~(3+)掺杂浓度为0.005mol/L时,AZO薄膜的结晶性最好,薄膜均匀致密,方块电阻为0.85kΩ,光透过率达85%,禁带宽度为3.37eV。     

枝晶偏析的均匀化

本文提出了枝晶偏析的物理图象,并运用菲克第二定律导出了枝晶偏析的溶质分布方程,在此基础上,着重讨论了均匀化退火的时间,并从物理冶金学角度提出了消除枝晶偏析的途径。     

微波法制备单晶金刚石的研究进展

人工合成金刚石的方法主要有高温高压法和化学气相沉积法两种.高温高压法制备的金刚石尺寸小,无法避免金属杂质使得制备的金刚石应用受到限制.在所有的化学气相沉积中,微波等离子体化学气相沉积法具有无放电污染,能量转换效率高,工艺参数易于调节等优点.用微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸、高速率、高质量的单晶金刚石受到广泛重视.介绍了微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石的制备工艺,对提高金刚石生长速率,扩大金刚石单晶尺寸两个方面的研究进展进行了综述,并对单晶金刚石的前景进行了展望.     

微波CVD法低温制备纳米金刚石薄膜

利用甲醇和氢气的混合气体，用微波等离子体CVD方法在480℃下成功地在硅片表面制备出纳米金刚石薄膜，本文研究了甲醇浓度和沉积温度对金刚石膜形貌的影响．通过Raman光谱、原子力显微镜及扫描隧道显微镜对样品的晶粒尺寸及质量进行了表征．研究结果表明：通过提高甲醇浓度和降低沉积温度可以在直径为50mm的硅片表面沉积高质量的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸大约为10～20nm，并对低温下沉积高质量的纳米金刚石薄膜的机理进行了讨论．