砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向

本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。     

半导体器件模拟技术的研究

主要介绍了半导体器件模拟中常用的HD模型与DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例,简要说明了如何在三角网络上离散化方程。同时,介绍了几种求解非线形方程组常用的数值方法。     

电力半导体器件的现状及发展趋势

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静，动态特性，目前水平，存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压，大电流，快速，高温器件的作用。     

移动电子产品继续推动功率半导体器件发展

按美国市场调查公司通信工作调查(CIR，Charlottesville，Va)的最新报告得知，今后几年用于移动产品，诸如笔记本电脑、电池电话、个人数字助理(PDA)和手提DVD唱机等，仍将强劲地推动市场增长。预计，在这些移动电子设备中用作功率管理的功率集成电路和相关的分立器件     

微波半导体器件及电路的应用概况

本文比较详细地介绍微波半导体技术的主要特点、器件和电路的特性、应用领域和实例。     

SiC器件与电路的若干关键技术

SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中,SiC已经成为进一步提高性能的理想材料。但是,在SiC器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了SiC技术的最新进展情况。     

半导体光集成电路

半导体光集成电路(PIC)是光电子集成电路(OEIC)的一个分支,它侧重于光学互连的导波光电子器件的单片集成。由于Ⅲ-Ⅴ族材料外延晶体生长和相关工艺技术方面的进步,这一研究领域最近取得明显进展。本文讨论了集成有源和无源光波导的某些必要技术,并介绍了几种典型器件。     

半导体器件的预辐射技术

本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术,但目前也有现实意义。     

半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

现代科学的奇迹——半导体技术

文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平,并展望21世纪初半导体技术的方向以及在信息社会中将起的作用。     

我国半导体工艺设备发展浅议

半导体工艺设备是集成电路发展的重要先决条件。集成电路工艺技术的改进提高和产品的更新换代都与工艺设备息息相关。如何发展我国的半导体工艺设备，促进集成电路产业的发展，是我们应当认真思考的一个问题。本文在简单回顾了我国半导体工艺设备的发展历程之后，论述了它的现状与面临的问题，并就今后的发展提出了几点具体意见。     

半导体浪涌保护器基区参数探讨

讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件的浪涌能力，降低静电电容和开通电压     

半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试

采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度。通过改变功率数值或对样品的装配条件,探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响;对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论。     

微电子封装业和微电子封装设备

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。     

半导体蓝光

叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。ＧａＮ因其优良的特性而被用于制造蓝色发光二极管和激光二极管,引起了世界蓝光热。它的研究不仅是高技术的前沿课题,而且是具有巨大市场前景的技术经济竞争领域。蓝色发光二极管和激光器在全色动态显示、固体照明光源、交通信号灯、汽车尾灯、光盘信息贮存以及深海通信等领域都有广阔应用前景。