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相似文献
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1.
正电子湮没角关联(Angular Correlation of Annihilation Radiation,ACAR)测量是一种常用来研究金属中的费米动量和费米能的高精度测量方法.传统一维湮没角关联(1D-ACAR)装置通过角度扫描的方式测量,角分辨为亚毫弧度级,但存在装置结构复杂、成谱时间长等缺点.本文提出了基于连...  相似文献   

2.
用正电子湮没和扰动角关联二种方法研究了Si和Nb的辐射损伤。采用正电子湮没方法得到的结果与扰动角关联的完全一致。  相似文献   

3.
本文介绍正电子湮没辐射一维角关联实验装置的设计原理、主要技术性能和特点、调试方法及实验结果。本装置的角分辨率为0.45mrad。  相似文献   

4.
聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱已被分解为四个成份(见表1)。其中τ_3的来源尚有争议。我们利用中国科技大学的一维角关联装置测量了从商品聚四氟乙烯棒材切下经不同处理的试样(φ20mm,厚2mm)中正电子湮没一维角关联曲线。根据X-衍射谱用纸样称重法估算了不同试样的结晶度,见表2。由图定性看出:(1)原始样和淬火样的角关联曲线中,相应于p-Ps自湮没的低动量成份显著高于退火样品。这与前二者中无定形区域比例较大因而Ps形成几率较高是一致的。(2)γ辐照剂量足够大(为21Mrad)时,角关联曲线中低动量成份显著减少。这与试样在该条件下结晶区域增大有关,这时Ps形成受到抑制。以上趋势表明结晶度与Ps形成几率是关联的。  相似文献   

5.
用正电子湮没辐射一维角关联实验装置和正电子湮没寿命谱仪观察了全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)系列试样和不同含氯量的聚乙烯系列试样的正电子湮没特性,并分别与聚四氟乙烯均聚物(PTFE)和聚乙烯(PE)进行了对照。结果表明:分子材料的介电性质对正电子湮没特性有明显的影响。极性基团的加入改变了分子链上的电荷密度分布,导致微观偶极电场的产生,使在自由体积内部或陷落在缺陷巾的0-Ps正电子波函数与分子链上轨道电子波函数的重迭几率增加,长寿命τ_3减小;同时,由于卤素原子的电负性较强,抑制了Ps的形成,增加了自由正电子的数目,使角关联曲线低动量成分减小。  相似文献   

6.
本工作用正电子湮没和扰动角关联方法研究Pd0.75Ag0.25和LaNi4.25Al0.75两种贮氢合金。在77~295K温区和0~0.35氢浓度范围用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0.75Ag0.25Hx样品。实验测量的正电子湮没寿命谱用两个寿命成份表征。短寿命成份τ1是自由正电子湮没寿命,不随温度和氢  相似文献   

7.
本文主要介绍医用乳腺X射线标准装置的设计及参考辐射场的测量。装置设计方面包括:使用了常用于乳腺诊断的两种靶型,配置了不同大小限束光阑,装备了光学平台和移动导轨装置。实验测量方面包括:辐射束准直性测量、辐射野均匀性测量和半值层测量。结果:辐射束满足准直性要求、辐射野满足均匀性要求,半值层测量结果显示辐射质达到既定要求;该标准装置能够满足用于乳腺X射线计量仪表的检定和校准。  相似文献   

8.
测量了CuAl1-xFexO2样品的X射线衍射图、热电性能、符合正电子湮没辐射多谱勒展宽谱和寿命谱。结果表明,在CuAlO2中加入少量的Fe(x≤0.10),样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号增强,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率降低;当Fe含量较高(x0.10)时,随Fe含量增加,CuAl1-xFexO2样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号降低,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率升高。CuAl1-xFexO2室温Seebeck系数随样品中缺陷浓度升高。讨论了Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响。  相似文献   

9.
正电子湮没信号的精准采集与关联符合技术是寿命谱灵敏表征材料微观缺陷的基础。测量环境中放射性射线对正电子湮没信号采集的影响,制约着寿命谱方法在复杂辐射背景中应用,特别是在核结构材料中子辐照损伤研究中,中子活化诱发的放射性核素形成的γ射线本底,将影响正电子寿命谱仪的测量结果。为探究γ本底对正电子湮没寿命测量的影响规律,本文基于60Co、137Cs源设计了辐射背景仿真实验,结果显示:60Co源产生的双高能γ射线是影响寿命谱形状及湮没寿命的主要因素;通过对比高、低两种典型活度比(60Co/22Na为3.3和1.9)下的测量结果,并经活化反应堆压力容器钢样品放射性本底真实情况检验,结果发现:在低活度比下,辐射本底导致的偶然符合概率增大,寿命谱峰谷比显著变差;在高活度比下,除偶然符合外,信号错误符合概率急剧增加,谱形明显畸变且寿命值迅速减小。基于本文辐射背景放射源模拟方法及干扰γ的影响规律,可进一步探索正电子湮没寿命测量中γ本底排除的新技术和新方法。  相似文献   

10.
为开展环境γ辐射剂量仪的现场校准,研制了一套辐照装置,其辐射场空气比释动能率可在0.27-34.86μGy·h~(-1)范围内通过距离与减弱器来调节。基于大量Geant4蒙特卡罗模拟设计了一种轻便型辐射准直器,在保证辐射场品质的前提下,大大降低了准直器重量,更适用于现场校准。此外,还研制了一套自动化支撑平台与三片曲面辐射减弱器,可远程实现辐射装置空间定位以及辐射场强度和空间的调节,曲面辐射减弱器有利于保证辐射场均匀性。测试实验及蒙特卡罗模拟结果显示,该辐射装置辐射场再现性、自散射、均匀性等性能良好,通过系统地计算地面散射对辐射场的影响,可为现场校准提供指导。  相似文献   

11.
正电子湮没是近十几年发展起来的一种新实验技术。它通过探测正电子与电子的湮没辐射来研究物质的微观结构。由于正电子在凝聚态物质中的寿命仅在100—500ps之间,因此对正电子时间谱仪的时间分辨率要求较高。目前国际上能得到的商品仪器的时间分辨率(FWHM)约300ps。在时间谱仪中,当恒比定时甄别器确定以后,探头往往是影响时间分辨率的关键部件。目前进口的时间谱仪中有相当一部分是CANBERRA公司生产的产品,该谱仪探头效率低且时间分辨率大多在350ps左右。因此,探讨用国产元件组装探头,将为改造引进设备和自制时间谱仪提供经验。  相似文献   

12.
近年来正电子湮没技术发展很快。它已经广泛地应用于各种领域中,在某些领域如金属及合金的研究中几乎成为一种常规的手段。 正电子湮没实验技术有三种主要的方法即寿命测量、能量的多普勒展宽测量、角关联测量。其中的寿命测量从概念上讲是比较直接的,但是从仪器设备和它的合理使用上讲,寿命测量是三个正电子方法中最为复杂的。 对于正电子寿命测量所使用的正电子寿命谱仪来说,谱仪的分辨率是最为重要的指  相似文献   

13.
采用双探头符合技术,大幅度地降低了正电子湮没辐射Doppler展宽谱的本底,使谱线的峰高与本底之比高于104,从谱线的高能端提取正电子与过渡金属原子中d或f电子湮没的信息.测量了Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Pt、Au等纯金属和单晶Si样品的符合Doppler展宽谱,并以单晶Si样品为参考作出了这些金属的商谱.结果表明:金属Zr、Nb、Mo、Ag的商谱随原子的4d电子数目的增多而升高;金属Hf、Pt、Au的商谱出现了双峰,其峰高均随原子序数的增加而升高.  相似文献   

14.
核辐射能使固体晶格损伤,引起其电磁学、光学及力学参量的改变。在某些金属表面通过带电粒子辐射或离子注入,可提高材料的抗腐蚀性能、抗氧化性能和耐磨性能。一些半导体材料,通过重离子或中子辐射,可产生一种新的杂质元素,这种方法成为制备半导体器件的新工艺。所以对辐射损伤及其变性的机理研究很有价值。现在国际上正采用各种方法,如扰动角关联、电子显微镜、沟道效应、穆斯堡尔效应、中子散射及正电子湮没等方法,企图从不同的侧面来揭示辐射损伤的微观特性。  相似文献   

15.
Arponen等曾计算了铝中刃位错的正电子湮没效应,在理论上解释了Hautojarvi的变形铝正电子湮没实验,我们采用他们的理论方法,但简化了他们的位错模型,用空心柱孔模型计算了变形铝的正电子湮没效应,得到了与Arponen等结果一致、与Hautojarvi实验符合的结果,角关联曲线亦有所改善。计算结果表明:1)在凝胶模型的意义下,若晶体中存在半径为0.93A的空心柱孔,就将给出与Hautojarvi实验符合的结果;2)Arponen等的模型中的位错弹性理论部分对角关联曲线的计算意义不大。我们看到,一方面位错中心对正电子的捕获可能是较强的,因而对总的湮没效应贡献很大;另一方面也存在着变形铝正电子湮没效应是由一系列微空位所贡献的可能性。  相似文献   

16.
《核技术》1982,(6)
本文描述了为测量固体中的电子动量分布及费米面而设计的装置,这一装置也可用于正电子素化学及其它正电子方面的研究。采用垂直长缝结构。样品至主缝中心的距离为3米,系统典型的几何角分辨率为0.33mrad。正电子源用~(22)Na,强度约30mCi。对能量0.511MeV的湮灭光子用NaI(T1)闪烁探头,其长度为300mm。核测量采用快-慢符合方案。实验操作采用简易自动控制方式。  相似文献   

17.
正电子寿命谱仪是正电子湮没实验的基本装置,探头是影响谱仪时间分辨率的关键部牛之一。目前国内正在工作的二十余台寿命谱仪中,进口设备占绝大多数。故探讨用国产光电倍增管及塑料闪烁体组装性能良好的探头具有现实意义,也为自建寿命谱仪提供合用的方案。  相似文献   

18.
为提高实验效率、精度和可靠性,将转动三探头谱仪改建为四探头时间微分扰动角关联谱仪。新建谱仪的时间分辨好于1.5ns,微分非线性好于±2.5%,长期工作稳定性好,而且具有符合效率高、测量与探测器效率独立等优点。本谱仪已用于四极相互作用、材料结构和相变研究,取得较好结果。  相似文献   

19.
硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。  相似文献   

20.
用正电子湮没寿命技术研究了非晶合金(Co_(0.85)Ni_(0.08)Fe_(0.06)Nb_(0.01))_(75)Si_(10)B_(15)的结构弛豫和晶化过程。样品取自觉42mm、厚0.035mm的快淬非晶条带,经X射线衍射证明是非晶态。样品在真空中不同温度下等时退火40分钟,处理后的样品在室温下进行正电子湮没寿命测量。同样样品在室温下进行热电动势测量,将结果和正电子寿命结果比较。  相似文献   

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