非稳腔运转的准分子激光器

设计了一正支望远镜非稳腔准分子激光器，与稳定腔相比，非稳腔激光的发散角垂直方向缩小了五倍，水平方向缩小了十倍。     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

铜陵有色拟引进8．18亿铜箔生产线

海力土半导体（Hynix）宣布，将与斗山电子（Doosan Electro—Materials}共同开发可缩小半导体印刷电路板（PCB）体积近25％的新PCB原料。利用此技术，使用Tenting（蓬盖式）制程也可缩小半导体封装基板的铜线路线宽近25％，至25um，也将可使PCB基板面积随之缩小。为实现25um的线宽，已采用MSAP（Modified Semi—Addictive Process）制法，然此制法存在较原始方法制程复杂且困难，所需费用也增加20％的问题。     

国产手机在夹缝中艰难前行

在经历了辉煌与沉寂之后，国产手机在2008年将面临更为严峻的挑战：龙头企业市场份额进一步下滑，毛利率大幅下滑，与外资品牌在研发技术方面的差距未见缩小。     

离子注入机失效检测新方法

随着器件线宽和层厚的缩小，离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时，特征尺寸的缩小和参数性能的要求，使关键注入参数的工艺窗口不断变窄，而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来，就使得通过测量平均偏差与标准偏差（SD，或分布展宽）来量化硅片上注入掺杂均匀性的传统方法，缺乏所需的统计信息来监测离子注入工艺。     

开关和继电器更趋于小型化

随着手机、PDA和其他个人电子产品体积不断缩小，开关和继电器正在变得越来越小，以便适应更精巧的用户界面需求。目前已经有直径不到衬衣钮扣大小的跟踪球(track balls)，佃市场分析人士认为，这些开关和继电器不断缩小的体积正在接近极限，因为它们终究要和人手指大小相当。另外为适应体积不断缩小的电子产品要求，     

本土功率器件企业以性价比和优质服务与国际厂商竞争

本土功率器件企业与国际厂商的差距正逐步缩小，与国际品牌同等规格的产品相比具有性价比高、供货稳定、交期短等优势，已基本上可以满足国内市场的需求。     

Spindt型真空微三极管按比例缩小的CE规则

本文根据恒定电场原理，提出了Ｓｐｉｎｄｔ型真空微三极管按比例缩小规则。研究指出，Ｓｐｉｎｄｔ型真空微三极管按比例缩小后，性能明显改进，工作电压降低。     

莲动风轻的音画 Audio Analogue（爱歌） PUCCINI EVR2.0合并放大器

长久以来，设计功率转换器的挑战层出不穷，主要原因之一即在于电路板的空间有限。若要缩小转换器的外型尺寸，就必须提高频率。这样做能够使用较小的元件。通过将切换频率提高及让转换器的实体尺寸缩小，整体的效率需求也会提高。     

诺发创新的32nm介电质技术接受连接导线尺寸缩小引发的RC迟滞挑战

为了使集成电路组件的性能跟上摩斯定律（Moore’s Law），集成电路设计人员在驱策技术节点缩小化时必需减缓RC迟滞效应。为达到组件缩小所带来的应有的积效进而增加145奈米以下导线间的空间缩小所带来的挑战。在过去几年里，研究人员研究了替代材料和更复杂的整体整合方法以解决RC迟滞问题。