全离子注入技术在硅栅CMOS工艺中的应用

本文运用有关离子注入的原理和射程分布损伤机理等理论,结合作者所在工厂的硅栅CMOS工艺中应用全离子注入技术的实验数据及实践经验,对注入工艺参量与器件工艺参数的相关性及注入质量的控制等进行了探讨;就注入过程中的若干影响因素,寻求到了有效的解决方法。此技术已用于作者所在厂的我厂门阵列产品的研制和生产中,取得了令人满意的结果。     

ADI公司发布创新的iCMOS 圃旃ひ

ADI日前发布了一种创新的半导体制造工艺—iCMOS^TM(工业CMOS)，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

离子注入半导体的激光退火

本文报导了半导体激光退火在国内外的进展概况，作为离子注入半导体生产工艺的“伴星”，激光退火有可能取代常规的高温退火工艺而被采用。     

金属离子注入技术的研究及其应用

气体离子注入技术在很多领域里获得了广泛的应用 ,取得了明显的经济效益和技术成果。它在半导体集成电路技术中已成为核心技术。金属离子注入技术是一项新技术 ,1 985年美国布朗教授发表了他的成果——强脉冲金属离子源 ,并研制成功了小型离子注入设备。这使得金属离子注入技术研究推进到一个新阶段。研究的结果表明 ,金属离子注入比气体离子注入有着更加广泛的使用价值和发展前景。因此国内很重视此项技术。我所根据航天设备对膜层的特殊要求 ,从 1 995年起对金属离子注入及成膜技术进行专门的研究 ,现已取得明显的成效。1　金属离子注入技…     

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.     

改用离子注入替代外延生产话筒管

结型场效应晶体管，长期来几乎都是采用外延扩散法工艺，随着微电子技术发展，半导体生产的离子注入设备及工艺相继推出，离子注入工艺越来越成熟。本文介绍了应用离子注入替代外延扩散制造话筒管的工艺概况。     

离子注入工艺技术

本文介绍了离子注入工艺的基本特点和工艺中应注意的几个问题，对离子注入在浅结形成及化合物半导体集成电路工艺中的应用进行了描述。     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同，采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压，     

影响半导体特殊气体市场的战略因素

随着半导体工艺的不断改进,芯片的体积越来越小,对原材料的要求也越来越高。目前国内芯片技术已经发展到了0.09微米技术,某些固体原材料已经不能适应0.25微米以下工艺的要求,转而由超高纯电子特殊气体所替代。半导体电子特殊气体较之固体原料,具有纯度高、容易控制、反应充分等优点,被广泛应用于半导体工艺。电子特殊气体已经成为半导体工艺中不可缺少的重要原材料。与特殊气体相关的半导体工艺有:离子注入、蚀刻、清洗、CVD(化学气相沉积)、吹扫等等,涉及的气体有几十种。根据应用工艺的不同,半导体特殊气体可以分为:离子注入:SDS AsH3…     

新型国产8英寸半导体快速热处理设备

在半导体圆片生产工艺中，快速热处理(也称“热退火”)是半导体圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一。半导体圆片快速热处理设备是半导体器件生产的关键设备之一。自从20世纪60年代初，离子注入技术作为新的半导体掺杂工艺以来，大大促进了半导体集成电路的发展。而集成电路的     

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0 .5 μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到10 8V,PMOS耐压达到- 6 9V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

CSR完成"连接中心"战略演进

随着CMOS工艺的进展和结构设计的改进,为了缩小芯片尺寸,降低成本,集成多种无线功能已经成为趋势。CSR公司认为,未来3C产品将围绕着“连接中心（Connectivity Center）”的概念发展。在半导体行业中,基于CMOS工艺的无线芯片是最棘手的技术难题之一。而且,整合多种无线IP不同于常规芯片集成,要想大幅削减尺寸和降低成本,     

低成本CMOS图像传感器推动医学技术向前发展

医学技术一直是CCD（电荷耦合设备）图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很大优势。第三，CMOS传感器在电路集成方面的无限潜力可以减少输入输出接口数量。     

离子注入技术现状与发展趋势

离子注入制程已成为器件设计的最前端工作．现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作，器件尺寸缩小，以及急速增加成本的挑战，正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求．介绍了离子注入设备的发展方向。     

硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。     

利用SUPREM进行工艺条件萃取

利用ＳＵＰＲＥＭ进行半导体集成电路工艺条件的萃取是工艺模拟的主要用途之一。本文介绍如何利用适当折算法进行工艺条件的自动萃取。在这篇论文里，介绍了预淀积工艺、离子注入工艺和氧化／再分布工艺的算法结构，并且讨论了算法的实现过程和算法实现环境。     

离子注入展宽p-n结终端

研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.     

薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.     

薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .