中芯国际集成ARM926EJ处理器芯片成功通过认证

中芯国际宣布，其应用ARM926EJ^TM处理器内核的芯片成功地通过了ARM公司严格的可靠性认证。该芯片在设计过程中整合了ARM926EJ^TM内核及对应的嵌入式追踪宏单元(ETM9TM)芯片测试设备，在中芯国际成熟的0．13微米技术工艺上流片成功。应用了ARM926EJ^TM芯片的成功验证，进一步扩展了中芯国际同ARM公司(LSE：ARM；Nas—daq：ARMHY)的合作，     

国内要闻

中芯国际和Cadence将加速设计公司的芯片设计；国家电子工程与集成电路技术培训项目正式启动；汉芯科技与Skyworks联合推介多媒体智能终端套片方案；德芯电子获东芝0．35微米逻辑工艺技术授权。     

《半导体技术》业界动态

中芯国际成功量产Aurora数字硅基液晶面板芯片；台积电推出DFM服务提高65nm产品设计时效性；特许半导体将为德州仪器代工制造65nm芯片；华宏发展光学膜材料可能与惠和合作扩散膜；三星进军晶圆代工业恐威胁特许、中芯、联电；安森美半导体完成购买 美国俄勒冈州Gresham 200mm晶圆厂的交易[编者按]     

中芯国际与灿芯半导体40LL双核ARM Cortex-A9测试达1．3GHz

中芯国际和灿芯半导体近日宣布采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM CortexTM--A9MPCoreTM双核芯片测试结果达到1．3GHz。该测试芯片基于ARMCortex—A9双核处理器设计,采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。     

技术动态

NXP和索尼合资开展非接触式IC业务；博通推出支持HD和蓝光的解码芯片；台积电和中芯国际进军闪存市场；中国首套自主产权GPS芯片组诞生；联电45纳米SRAM芯片明年试生产；飞思卡尔启动ColdFire架构许可；三星明年将移动WiMAX引入中国；[编者按]     

中芯国际成功应用130纳米技术量产DisplayLink的USB图像芯片

中芯国际日前宣布由DisplayLink设计及中芯国际生产的一系列USB图像芯片成功量产。该芯片系列使用中芯国际130纳米技术。此项新技术已应用于三星的新USB接口显示器SyncMaster LapFit LD190G及LD220G。     

Cadence和国家深圳集成电路深圳产业化基地合作举办“高校研究生暑期集训班”

中国芯片概念的龙头，该股最大的亮点公司参股的中芯国际在美成功E市，拥有5亿股的张江高科预计获取数亿元人民币”暴利”。中芯国际作为世界三大芯片制造商之一未来将给张江高科获益会更加巨大。张江科技园区拥有全球有影响的IC设计公司70多家，拥有8条生产线，产能占全国60％～70％；集聚了集成电路上下游及配套企业100多家，形成了包括芯片设计、芯片制造、封装测试、     

业界要闻

中芯12英寸芯片生产线投产 中芯国际设于北京的12英寸芯片生产线最近建成投产,生产工艺达到0.13微米的国际前沿技术水准。 该生产线的总投资为12亿美元,到明年底月产能将达1.5万片,产能最终可达每月2.1万片。中芯国际已经在上海张江高科技园区建立了3条8英寸芯片生产线,总投资超过36亿美元。中芯国     

中芯国际和晶晨半导体量产90纳米数码相框芯片

中芯国际和晶晨半导体日前共同宣布，一款由晶晨半导体设计，采用中芯国际90纳米工艺生产制造的数码相框芯片成功量产。     

信息报道

<正>上海方泰与中芯国际战略合作协议在上海签订上海方泰电子科技有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司战略合作协议于2004年底在上海签定。这一合作协议的签定旨在力图加强双方在芯片设计及芯片制造等领域的合作。双方还展示了由方泰电子设计、中芯国际制造的音频芯片等多种产品。签约仪式后,上海方泰电子向中芯国际批量订购了芯片产品。     

高通与中芯国际签署半导体制造测试协议

美国高通公司宣布，与全球领先的芯片代工公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司签署战略协议。中芯国际将采用专门的BiCMOS处理技术在其天津工厂为高通公司提供集成电路生产服务。这一合作将综合中芯国际晶片制造能力以及转包能力和高通公司在3G无线产业的领导地位，重点将放在电源管理芯片方面。     

中芯国际在65和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP解决方案

Kilopass科技公司和中芯国际宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65纳米和45纳米工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。Kilopass将于2009年底及2010年年中分别实现在中芯国际65纳米和45纳米OTP测试芯片的投片。     

国内要闻

中芯国际与重邮信科成功研制出0．13微米3G手机专用芯片；新联想北京创新中心正式落成；台联电推出完整低功率参考设计方案；AMD与长虹联手；杰尔系统在华设立存储研发中心……     

智多微电子与中芯国际联合推出阳光二号C626手机应用芯片

智多微电子（上海）有限公司和世界领先的集成电路代工公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）近日共同宣布由智多设计的“阳光二号C626”手机应用芯片在中芯国际成功量产。     

中芯国际与灿芯半导体的40LLARMCortex-A9双核测试芯片成功流片

灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM公司日前联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电丁艺的ARMCodex．A9MPCore双核测试芯片首次成功流片。该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计,采用了中芯国际40纳米低漏电工艺。其处理器使用了一个集32KI-Cache和32KD。Cache、128TLBentries、NEON技术,以及包括调试和追踪技术的CoreSight设计     

芯原和中芯国际共同宣布0．13μm半导体标准设计平台正式发布

芯原股份有限公司（芯原，VeriSilicon），主要基于中国半导体生产工艺的领先芯片设计代工厂和世界一流的集成电路代工厂中芯国际（“SMIC”；NYSE：SMI；HKSE：981），近日共同发布针对中芯国际0．13μm CMOS先进工艺的半导体标准设计平台。这套平台包括存储器编译器有单口和双口静态随机存储器（Single Port／Dual Port SRAM Compiler），扩散可编程只读存储器（Diffusion ROM Compiler），双口寄存器组，标准单元库（Standard Cell Library）和输入／输出单元库（I／O Cell Library）。     

中芯推出低功耗IC实现参考流程

中芯国际和芯片设计软件厂商Magma联合推出了基于中芯国际90纳米工艺的增强版低功耗IC实现参考流程，其中采用了Magma的Blast Power、Blast Fusion和Blast Create技术。     

中国集成电路——业界要闻

凤凰微电子当选2007 Red Herring亚太100强；中芯国际超越特许半导体重夺第三名；英飞凌前CEO舒马赫出任宏力半导体总裁；英特尔（InteI）大连芯片厂正式奠基；Hynjx无锡200毫米半导体生产设备出售给华润上华……     

上海高清携手中芯国际成功开发地面解调国标芯片

中芯国际和上海高清合作,采用130纳米工艺批量生产了中国地面数字电视国标解调芯片HD2812和HD2910。该产品的开发,上海高清提供了完整的系统设计方案及ASIC设计交由中芯国际量产。HD2812和HD2910芯片是完全符合中国地面数字电视传输标准GB20600-2006的地面数字电视传     

高通牵手中芯国际是双赢之举

日前,全球移动芯片老大高通与中国芯片代工制造商中芯国际宣布合作,后者将利用自己的28纳米制程技术为高通代工制造骁龙（Snapdragon）处理器。对此,外界评论不一。那么为何高通要在此时宣布与中芯国际合作？