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研制开发了12-18GHz宽带功率固态放大器,主要技术指标:工作频率为12-18GHz,增益Gp≥25dB,输出功率PO≥400mW输入输出驻波比VSWR≤2.5:1,噪声系数Fa≤6dB。 相似文献
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本文介绍了6 ̄20GHz微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标:工作频率6 ̄20GHz,1dB压缩输出功率≥18dBm,增益≥28dB,输入输出驻波比≤2.0:1,噪声系数≤4.0dB,增益平坦度≤±2.0dB。 相似文献
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本文介绍了6~20GHz微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标: 工作频率6~20GHz, 1dB压缩输出功率≥18dBm , 增益≥28dB, 输入输出驻波比≤2.0∶1, 噪声系数≤4.0dB, 增益平坦度≤±2.0dB 相似文献
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研制开发了12~18GHz宽带功率固态放大器。主要技术指标:工作频率为12~18GHz,增益GP≥25dB,输出功率PO≥400mW,输入输出驻波比VSWR≤2.5∶1,噪声系数Fn≤6dB。 相似文献
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设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
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介绍了8 ̄12GHz宽带功率放大器的设计、制作。放大器主要技术指标:工作频率8 ̄12GHz,增益≥23dB,1dB压缩输出功率≥27dBm,输入输出驻波比≤2:1。 相似文献
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介绍了8~12GHz宽带功率放大器的设计、制作。放大器的主要技术指标:工作频率8~12GHz,增益≥23dB,1dB压缩输出功率≥27dBm,输入输出驻波比≤2∶1。 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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采用厚膜混合集成工艺,研制出SH309-1低噪声宽带AGC放大器,其噪声系数≤1.5dB,最大输入电平≥400mV/500Ω,增益≥50dB,增益控制范围≥50dB,工作频率范围为60MHz±10MHz。主要介绍了其设计原理及应用。 相似文献
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2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
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超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法,提出了利用普通微带混合集成电路.工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术,并且用带封装的BJT和FET实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用2SC3358,放大器为三级,频带为30kHZ~1600MHZ,增益G=20±1dB,噪声系数NF≤3.5dB;另一个利用ATF10235(6),放大器为二级,频带为500kHZ~6000MHZ,增益G=20±2dB,噪声系数NF≤2dB。 相似文献
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11GHz低噪声放大器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了微波低噪声放大器的高原原理,并应用微波EESOF设计软件以10.7-11.7GHz频段上完成G≥21dB,NFF≤3.0dB的低噪声放大器的设计与制作。 相似文献
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本文利用有限域GF(p^α)(p>2为素数,α≥1为正整数)上二次特征η建立了GF(p^α)上一类互钟控序列,即LSRg[d0,d1,d2]-互钟控序列。讨论了当用作移位时钟控制的前馈函数g(x1,x2,…xn)为二次型时,LSRg[d0,d1,d2]-互钟控序列的周期和线性复杂度的特点。 相似文献
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杨成 《有线传输技术译文》1996,(1):156-158
远端泵激后和前置放大器已用于2.488Gbit/s423km无中继传输实验中,总的传输损耗为85.14dB。远端泵激后置放大器具有2.95dB功率预分配改善量。由远端前置放大器增加的功率预分配改善量为15.1dB。接收机的有效灵敏度为-57.7dB。 相似文献
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文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性n因子小于1.1,结电容2Cj=0.1~0.2pF,正向微分电阻为3~6Ω,分布电容较小,结电容差为ΔCj≤0.025pF,正向电压差为ΔVF≤25mV。将该器件应用于18~40GHz宽带分谐波混频器中,中频带宽为4~8GHz,混频器的变频损耗低于20dB,本振功率为13dBm。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献