锗雪崩光电二极管(Ge-APD)

本文叙述了用全离子注入技术制作的p~+n Ge-APD。其光谱响应范围0.75—1.7μm。在1.28μm波长下,量子效率高达88%。M=10时过剩噪声因子一般为8～9,最小达到7.0dB。响应时间为:上升时间t_r=120PS、半宽τ=220PS,下降时间t_f=200PS。     

长波长光通信用锗雪崩光电二极管

研制了一种平面结构的P~ -n型锗雪崩光电二极管(Ge—APD).在四次群(139.264Mb/S)长波长数字光缆通信系统中作光探测器,获得了-38.13dBm的接收灵敏度.器件制作中采用了全离子注入和低温(650℃)退火工艺.重复性好,成品率高.在0.9倍击穿电压下,暗电流抵达0.5μA.在1.28μm波长下,67%的器件量子效率大于80%,最高为88% 在M=10和λ=1.28μm下,过剩噪声因子一般在7.5～9,最低达7.0dB,频率响应为1GHz(V_(Po)=0.9V_B).     

雪崩光电二极管

美国加州的Advanced Photonix公司生产的5×0无窗口系列大面积雪崩光电二极管直径分别为5mm、10mm和16mm。工作增益为200。以三种方式密封此探测器。在紫外、蓝光和红光以及红外具有最佳的测量结     

1.3μm波长范围的锗雪崩光电二极管

作为光纤通信系统用的探测器,日本富士通实验室研制了一种1.3μm波长下具有最佳P~ -n结构的Ge雪崩光电二极管。采用全离子注入和低温退火工艺制造了这种光电二极管。 在0.9V_B的偏压下暗电流低至0.15μA。倍增因子为10的条件下,得到8～9很低的噪声因子。在1.3μm波长下平坦频率响应的范围可达500MHz。当有Si_3N_4防反射涂层时量子效率高达84％。     

优质雪崩光电二极管

美国麻省理工学院和林肯实验室采用了倒置台面n⁺-InP/n-GaInAsP/n-InP/P⁺-InP结构,研制出响应到1.25微米的优质雪崩光电二极管。测量得到均匀雪崩增益为700,当M=10时,暗电流密度为3×10^-6安/厘米²,过量噪声因数约为3。     

硅雪崩光电二极管

Hamamatsu公司目前推出用于测距仪、激光雷达和空间光传播的S9717系列硅雪崩光电二极管。这些器件覆盖400nm-1000nm的响应光谱,在800nm处达到 0．5A／W的感光灵敏度和100的增益。目前该公司有三     

雪崩光电二极管的基本概念

在使用扩散n型杂质进入p型衬底的方法而制成的普通平面二极管中,当光照射到二极管上并在结的附近被吸收时,就产生电子——空穴对。通常认为,有下述三个区与光的吸收有关:(1)耗尽区;(2)在结上面的非耗尽n区;(3)在结下面的非耗尽p区。     

用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型

针对PIN结构的特殊性，作了适当的合理近似，考虑了p，n区少子扩散，i区载流子漂移，给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用，亦可加到现有电路模拟软件中。它可用于直流、交流、瞬态分析。该模型完全适用于PIN结构光电二极管。     

多阳极雪崩光电二极管

由法国电信企业控股的Voxtel公司展出一系列固体硅光电倍增管。这些器件由一些紧凑的小面积多阳极雪崩光电二极管构成,其增益约为10^6,因此能探测单个光子。这些器件能以光子计数的水平探测弱光而对磁场不敏感。它们的应用包括荧光寿命成像、正电子放射层析、核医学、高能物理、辐射探测、激光雷达、粒子粒度分析、DNA定序以及由激光诱导的荧光探测等。     

如何选用雪崩光电二极管

如何选用雪崩光电二极管光学测量在各种科学、医学和工业应用中起着重要作用。简单光学系统用廉价光电池进行光探测，但许多应用要求有较高灵敏度和精度。传统方法是用光电倍增管获得高灵敏度。然而，光子水平灵敏的光电倍增管价格高昂，而且易碎、对磁场灵敏、与尺寸大小...     

超晶格雪崩光电二极管

报道了超晶格雪崩光电二极管的工作原理、结构、特性及其制造工艺。     

超晶格雪崩光电二极管

报道了超晶格雪崩光电二极管的工作原理,结构,特性及其制造工艺。     

HgCdTe电子雪崩光电二极管

用短波红外至长波红外HgCdTe制作的电子注入雪崩光电二极管所呈现的增益和过量噪声特性表现出一种单个致电离载流子的增益过程。结果形成一种具有"理想"特性的电子雪崩光电二极管,这些理想特性包括几乎无噪声的增益。本文报导在研制长波、中波和短波截止红外Hg_(1-x)Cd_xTe电子雪崩光电二极管方面所取得的成果。这些器件采用p围绕n、正面照射和n /n-/p的圆柱形几何结构,这样的几何结构便于电子注入增益区。这些器件具有一种均匀的指数式增益电压特征,这与k=α_n/α_e为零的空穴与电子电离系数比是一致的。在中波红外电子雪崩光电二极管中已测得大于1000的增益,而且没有任何雪崩击穿的迹象。在中波红外和短波红外电子雪崩光电二极管上测得的过量噪声结果表明,在高增益处有一个与增益无关的过量噪声系数,其极限值小于2。在77K温度处,截止波长为4.3μm的器件在增益为1000以上时呈现出接近1的过量噪声系数。在室温下,短波红外电子雪崩光电二极管仍与k=0效果保持一致,其过量噪声系数与增益无关,接近小于2的极限值。k=0效果可用HgCdTe的能带结构来解释。基于HgCdTe能带结构的蒙特卡罗模型和HgCdTe的散射模型预计了测得的增益和过量噪声特性。当一个中波红外雪崩光电二极管的工作温度为77K时,在10ns脉冲信号的964增益处测得的7.5光子的噪声等效输入说明了HgCdTe电子雪崩光电二极管的性能。     

波导雪崩光电二极管有望用于1550 nm光

美国德克萨斯大学和朗讯科技公司的研究人员用端照射波导结构制作了波导约束 In Ga As/ In Al As雪崩光电二极管 (APD)。该器件综合了波导与雪崩光电二极管的特征 ,可望用作对 1.55μm通信波段快速灵敏的光电二极管。该器件建立在独立吸收负载倍增 (SACM)电路的基础上 ,全增益带宽 2 7GHz,增益 -带宽乘积 12 0 GHz。因为 In Al As可透过 1.55μm光 ,且过量噪声低 ,所以选它作器件的倍增区和包覆材料。在 In P衬底和缓冲层上用分子束外延生长各层。完全的波导独立吸收负载倍增雪崩光电二极管在 90 %击穿时暗电流保持在 50 n A以下 …     

超晶格雪崩光电二极管

已经提出了几种可以提高载流子离化率比的超晶格雪崩光电管:量子阱雪崩光电管、台阶型雪崩光电管和掺杂量子阱雪崩光电管。这几种器件都主要是利用异质界面带隙突变导致的电子离化几率相对于空穴离化几率的显著增大,从而可以获得低的雪崩噪声和高的增益—带宽乘积。本文概述了这几种器件的结构、工作原理以及结构参量对器件性能的影响。     

HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展

碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。     

几种新型雪崩光电二极管

简要介绍了近期报导的多级雪崩光电二极管、电子和空穴分区电离雪崩光电二极管及超晶格雪崩光电二极管的结构、工作原理及有关结果.     

雪崩光电二极管最佳偏置电路

文中对雪崩光电二极管的温度影响因素作了一般性讨论,给出了几种稳定方式.文中简要介绍了雪崩光电二极管的倍增噪声电流谱密度与等效输入噪声电流谱密度推出的结果.根据结论进行最佳倍增稳定偏置电路设计,给出了参考电路.使用这种自动偏置最佳状态电路,使探测系统性能大为改善.     

雪崩光电二极管特性与测量

本文首先介绍了雪崩光电二极管的应用特性及工作原理,随后在不同通信速率及不同偏压条件下对APD的灵敏度进行了即时测量,对光通信领域的接收性能提升提供了较好的理论指导及技术支持。