360°线性移相器

本文对一种360°移相器线性条件进行了分析。从线性要求出发,求出了对变容管的引线电感及结电容的最大值和最小值的要求。并研制了一个工作于11GHz 的360°移相器,此移相器在11GHz±100MHz 内线性度优于±3.8%,损耗为6.2±0.7dB,移相误差≤±2°。与国外文献[1]、[3]比较,此移相器在性能指标上是优良的,在理论与实际上一致性良好。     

集成压控移相器的发展

简要介绍了频率从几兆赫至几千兆赫各种集成压控移相器的结构、特点及其在系统中的应用。     

一种铁氧体移相器控制系统的设计

首先,阐述了一种铁氧体移相器控制系统,包含波控与移相器驱动电路两部分;然后,由项目设计角度出发,详细介绍了基于FPGA的波控电路设计方法,以及移相器位数与单位脉宽的关系;最后,阐明了移相器工作原理和移相器驱动电路的构成.     

压缩矩形波导铁氧体移相器的阻抗匹配

文章针对传统工程方法不能解决压缩矩形波导铁氧体移相器的阻抗匹配问题这一实验事实，对传统的波导等效阻抗的定义方法做了改进，得出了理论结果与实验一致，此法目前已被用于毫米波移相器研制的工程实践。     

X波段移相器铁氧体材料研制

本文叙述了Ｘ波段移相器材料的研制，给出了材料配方，工艺过程，铁氧体材料参数和器件性能，为三公分小型移相器提供了优良的铁氧体材料。     

数控单片移相器的CAD

数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性.对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数控单片移相器的研制提供了实用的解决方案.应用这一研究成果,成功开发出高性能X波段单片五位数字移相器.     

相控阵雷达中仅相位的工程应用研究

当今相控阵雷达的应用越来越广泛，利用相控阵雷达可灵活控制其移相器状态这一优点，仅用控制相位，即控制驱动称相器的波控码子，就可在不加雷达设备量的前提下实现某些功能，如：改善天线副瓣性能、特殊波束形成等，本文结合某全固态三集上控阵雷达的研制过程，深入研究了仅相位加权在相控在线系统中的工程应用。     

移相器的一种简单实现方法

提出了一种用CD4046实现移相器的简单方法：在锁相环的环路滤波器输出上叠加一个外加的控制电压，再作用于压控振荡器上，得到输出信号。在环路锁定的情况下，改变控制电压，可以使得输入／输出信号的相移与控制电压成线性关系。     

压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列--移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压(5V),用该弹性膜制备的21桥压控式开关阵列--毫米波移相器的下拉电压为20V时,相移量可达到370°/3.5mm以上(35GHz),并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量,其传输损耗为55～90°/dB,比金可动膜结构要高.     

一种低磁化电流铁氧体移相器的研究

从理论上分析了双线磁化移相器的原理,并进行了实验验证,得出了双线磁化移相器比单线移相器有明显的优越性,其磁化电流是单线移相器的一半。文中列举了典型双线移相器的性能,其磁化峰值电流只需６～７Ａ,而其他性能没有明显变化,这对于相控阵雷达波控器和激励器长期、可靠、稳定地工作是一很好的措施。     

宽频带微波移相器的优化设计

在探讨模拟360°移相器线性调相的基础上,对微波移相器的宽频带设计进行了详尽的理论分析,建立了优化设计模型,给出了优化设计的一系列图表及曲线.设计的宽频带360°线性移相器在实验上取得了较好的效果,理论与实践符合得较好.     

压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为2 0 V时,相移量可达到3 70°/3 .5 mm以上( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量,其传输损耗为5 5～90°/ d B,比金可动膜结构要高     

数字式矢量移相器

简要介绍了矢量移相器的原理，特点，基本结构，提出了一种新型的采用数学方式控制的矢量移相器。     

60MHz八位数字移相器

叙述了数字移相器的基本原理和特点，介绍了６０ＭＨｚ八位数字移相器的电路结构，实现的技术途径以及主要性能。     

微波扫描移相器在电光采样系统中的应用

介绍了一种可用于电光采要系统的微波扫描移相器，其线性度≤１．４％，插入损耗≤４．０５ｄＢ。用此移相器组成的电光采样测试系统测量了高速门电路波形，并讨论了扫描时间的定方法。     

宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计

该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的L波段模拟移相器在1.3～2.1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2.5％,插入损耗波动小于3dB。综合性能均优于国内报道的移相器。     

锁式铁氧体旋转场移相器

能承受适应高微波功率容量及高精确度互易相位控制的铁氧体旋转场移相器必须用连续电流来激励。本文介绍一种仅在开关时才需激励的荼在铁氧体剩磁态的旋转场移相器的第一只锁式结构及其试样的实验数据，它在锁式态工人时的变化仅是使相位均方根误差稍大，但使平均的激励功率容量减小，实验完成宽带Ｓ波段器件的设计，其锁式控制方式的优点也作了深入地探讨。     

逻辑内建自测移相器的设计与优化

逻辑内建自测(Logic BIST)测试结构是今后系统芯片(SOC)设计中芯片测试的发展方向。由于LFSR(线性反馈移位寄存器)生成的伪随机序列的高相关性导致故障覆盖率达不到要求，采用移相器可以降低随机序列的空间相关性，提高Logic BIST的故障覆盖率。本文分析了移相器的数学理论并提出了移相器设计与优化算法。该算法可以得到最小时延与面积代价下的高效移相器。     

基于铁电移相器的Ka波段低成本相控阵天线研究

为解决铁电体陶瓷移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题,研制了一种可用于Ka波段低成本相控阵天线的新型铁电体陶瓷材料移相器,并用其设计制作了一种一维电扫低成本相控阵天线。结果表明:通过利用三级阻抗匹配技术,所制新型移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题得到了有效解决。当外加偏置电压约为11 kV时,该移相器可在损耗小于2.2 dB的情况下实现360°相移。     

相控阵中的剩磁铁氧体移相器研究进展

从相控阵天线的特殊应用出发，讨论相控阵技术中常用的剩磁铁氧体移相器的研究现状及其应用，分别介绍了几种较为常用的移相器，并给出了相应的理论方法，文中还对几种移相器的性能进行了比较分析，这对移相器的工程应用具有一定的指导意义。