LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

MCM—D介质膜及通孔工艺技术

MCM—D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是（MCM—D）薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性，是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

混合多层互连技术的研究

本文主要通过多层陶瓷与薄膜多层界面状况，通孔的形状及通孔填充条件，对混合多层布线中的互连技术进行探讨，论述了实验中遇到的问题及相应的解决方法。     

薄膜多层布线工艺分析

薄膜多层布线工艺，采用聚酰亚胺作介质，克服成膜后的“龟裂”、减少通孔的接触电阻和防止“断台”问题，是解决好介质质量的关键。     

扫描电镜在多层布线技术中的应用

论述了扫描电镜技术在ＶＬＳＩ多层布线技术中的应用。扫描电镜技术为层间介质膜的制备、介质膜表面平坦化及介质通孔的干法腐蚀结果，提供了清晰的照片，有效地指导了多层布线的工艺并获得了用于ＶＬＳＩ的最佳化多层布线工艺条件。     

MCM-C多层基板技术及其发展应用(续二)

3三种MCM-C多层基板技术的对比 　　厚膜多层技术与共烧陶瓷技术的主要区别在于:厚膜多层布线需要一个基片作为支撑点,以及厚膜多层布线需要逐层依次制造.每一布线层需要印刷6次,其中包括独立印烧介质层3次(有时4次)、填充通孔2次及印刷导体1次. 　　……     

VHSI和VLSI用的微细多层布线

本文对VHSI和VLSI所必需的微细多层布线技术进行了研究。选取聚酰亚胺作为层间介质膜,开发出能形成3μm良好通孔的等离子腐蚀和湿腐蚀法,采用原位物理清除技术从根本上克服了接触电阻的难题。在3μm3层布线场合,R_c≤0.1Ω/孔,布线通孔成品率高于99.99％。本项技术业已实际应用,效果满意。     

用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜多层布线工艺

本文介绍了用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜电路多层布线的设计和制造工艺。这种多层布线用于薄膜电路的生产,使我厂薄膜电路在相同条件下,缩小了体积,提高了产品可靠性,使薄膜电路在生产上有了新的突破,为片状元件的组装技术打下了基础。对薄膜多层布线的设想和发展趋势作了一定的论述和展望。同时对于所使用的介质材料提出了更高的要求。     

纳米工艺提高了LSI铜布线的可靠性

位于日本东京的NEC公司开发出了一种能够在不牺牲布线性能的情况下提高下一代LSI电路中铜布线的可靠性的纳米工艺。该工艺包括两个部分:即在通孔连接界面上插入一层超薄的钛(Ti)薄膜,以及采用氟化碳氮化物(FCN)薄膜来解决长期困扰半导体制造商的一个难题,就是在0.1μm以下的多层布线中出现的可靠性下降。当把钛薄膜加到位于铜布线之间的芯片顶层和底层时,它起胶合剂的作用,可将由应力造成的位移,以及通常与密封装置中的通孔破裂相关联的电迁移减小93%。该工艺通过减小应力和抑制铜迁移的方法在铜通孔处实现了更强的键合。Ti的表面电阻…     

基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究

针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。     

适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论．这套技术已成功地应用放“0．8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制，并获得较好芯片成品率．     

非光敏BCB工艺技术研究

非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材料,已经应用于薄膜多芯片组件(MCM)基板布线中.文章研究了薄膜多层布线工艺中非光敏BCB介质的涂覆、固化工艺,以及等离子刻蚀工艺;提出了优化的涂覆和固化工艺参数,使用适当的刻蚀掩膜以及优化后的刻蚀工艺参数,进行图形刻蚀,获得了厚度为4 μm、表面粗糙度小于150 nm的表面平整的非光敏BCB介质膜,并在薄膜MCM多层布线基板中得到较好运用.     

一个多层VLSI/PCB布线通孔最小化的神经网络方法

本文提出了一个基于Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络的ＶＬＳＩ／ＰＣＢ多层布线中的有约束通孔最小化方法。在线段交叠图模型的基础上，提出了相邻矩阵，交叠矩阵，定层矩阵等概念，利用换位矩阵，将问题映射为相应的神经网络，并构造了该问题的能量函数，从而解决了多层布线的分层及通孔最小化问题，新算法还解决了多层布线分层的管脚约束和相邻约束问题。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

一种基于神经网络的多层通孔最小化方法

在多层布线的线段－相交图模型基础上，利用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ人工神经网络理论，通过反通孔数目这个优化目标与Ｈｏｐｆｉｅｌ网络能量函烽相联系的方法来解决多层布线通孔最小化问题。算法考虑了许多来自实际的约束。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

一种用于三层布线的分层算法

随着VLSI/LSI技术的发展,多层布线已能够实现。互连网络的分层问题就是要使得互连网络所需的通孔数最少。在通孔最小化问题中,如果布图拓扑逻辑已给出,这类问题被称为受限的通孔最小化(CVM)问题。本文针对三层布线中的CVM问题提出了一种分层算法,使得布图所需的通孔数最小化。应用此算法能获得比文献中所述更少的通孔数。     

国外多层布线平坦化技术和通孔导通技术研究概况

随着集成电路的大规模化、高密度化和高速度化,已使布线的微细化与多层化成为人们研究的重要领域之,目前最先进的工艺都采用了多层布线技术。 一般使用的多层布线结构,都是由布线金属和层间绝缘膜相互重迭形成的。这种结构产生的布线台阶和通孔台阶,会随     

一个VLSI三层布线通孔最少化的启发式算法

该文在三层布线的线段-相交图模型基础上,提出了一个启发式算法来解决VLSI三层布线通孔最少化问题,该算法通过总体优化和局部优化两个阶段对三层布线进行通孔优化。算法考虑了实际约束的处理方法,并进行大量的布线实例验证。