一种新型的功率电路基板

军用电子产品中有大量高功率产品，其体积也要求越来越小，这势必带来越来越突出的电路散热问题，采用高导热电路基板是解决功率电路热耗散的一个重要手段。本文介绍了一种采用阳极氧化工艺制作的具有优良特性的铝基板——铝基阳极氧化基板，它区别于铝基敷铜板，具有导热性好、耐压高（≥1000V）、绝缘强度好（≥10^12n）、可加工成任意尺寸和形状等特点。该种基板最大的特点是可以在上面制作铝薄膜单层或多层布线电路，由于布线用导体、基板以及绝缘层是同一本体材料，所以可以有效避免铝基敷铜板高温工作下易出现的导体与基板发生脱落的现象，有利于电路可靠性的提高。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

功率HIC基板及其工艺布局设计研究

基板选用和工艺布局是功率混合集成电路两项重要技术内容。根据基板材料不同，功率基板及其布线工艺主要分为陶瓷基板和金属基板两大类。常规陶瓷基板以96％Al2O3陶瓷为代表，高导热陶瓷基板以BeO、AIN陶瓷为代表。陶瓷功率基板大部分采用厚膜布线工艺，另一种布线方式是DBC布线。绝缘金属基板的种类很多，最常使用的是铝基板，另...     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

适用于VLSI封装的用Ag-Pd布线的低介电常数多层玻璃—陶瓷基板

VLSI封装不断发展,要求新的封装技术以满足多芯片安装基板对高传输速度和高密度布线的要求。微电子封装基板的重要参数是介电常数和导体的电阻率。目前,具有低介电常数并能在空气中大约900℃烧成的新型玻璃-陶瓷材料已研制成功。通过控制Ag-Pd颗粒形状,导体线条可达到非常低的电阻率。对封装基板来说,电设计是需要考虑的一个重要问题。脉冲传输特性受接地面种类和所用布线面的影响极大。因此,对各种多层结构需要测量其基本的脉冲传输特性,如传播延迟、特性阻抗和串扰耦合噪声。随之,便确定了能精确控制基板特性的新工艺。新型多层玻璃-陶瓷基板性能归纳如下: 1)因介电常数低(ε≈3.9),新型MGC基板具有小的传播延迟; 2)由于使用Ag-Pd导体系统,其电阻率低(<4μΩ·cm),而且价格便宜; 3)通过改进电设计,达到了对特性阻抗和串扰耦合噪声的控制; 4)业已研究出要求采用先进新材料的高精度制造工艺。因此,用Ag-Pd布线的低介电常数MGC基板在大规模计算机系统中可用作VLSI多芯片封装基板。     

氮化铝-铝复合封装基板的制备

采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700 V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75 V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350 V,绝缘电阻率1.7×106 MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8 MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。     

有机基板用增层膜性能与一致性的探讨

增层膜是集成电路封装用有机基板的关键材料,起到绝缘、导热和的电气连接的作用。增层膜性能是由树脂体系、固化体系、填料以及膜的半固化处理等因素决定的。从国内外增层膜研究现状以及集成电路封装用有机基板的发展趋势出发,研究影响增层膜性能一致性的因素,并对增层膜低收缩率、高剥离力、低介电性和热稳定性的发展方向进行了探讨。控制电子级环氧树脂环氧当量、分子量和分子量大小分布等性能可实现膜加工性和性能一致性。环氧基的增层膜是高密度封装有机基板的主流产品,随着介电常数和损耗越来越小的要求,环氧树脂非极性和对称官能团的改性变得越来越重要。     

半导体与微电子技术

9909044一种新型 MCM 基板:阳极氧化多层基板[刊]/刘彤//电子元件与材料.—1999,18(1).—15～17(C)采用电化学方法,对基板上的 A1膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如MCM-C、MCM-D 比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。参7     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

国外多层布线平坦化技术和通孔导通技术研究概况

随着集成电路的大规模化、高密度化和高速度化,已使布线的微细化与多层化成为人们研究的重要领域之,目前最先进的工艺都采用了多层布线技术。 一般使用的多层布线结构,都是由布线金属和层间绝缘膜相互重迭形成的。这种结构产生的布线台阶和通孔台阶,会随     

H2O—TEOS等离子CVD膜形成中添加NH3的效果

一、前言 LSI的超高集成化正加速地发展，由于布线微细化、多层化、越来越要求层间绝缘膜平坦代技术．即称之谓用无空隙绝缘股充填狭窄布线间的间隙的“间隙充填”技术日趋重要．为此，最近正十分活跃地研制在成膜时所具有的流动性层间绝缘膜。人们很早知道可用玻璃旋转徐敦法（SOG：SpinonGlass）及常压O3－TEOSCVD法制作具有此流动性的层间绝缘股．但是，其各自缺点是；SOG法吸湿性及热处理时脱气性强，而O3－TEOSCVD法对底股的依赖性强。最近，日本的谷村先生报道了具有流动性、且又不依赖于底膜的层间绝缘膜制作方法——H2O…     

铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板

采用铝阳极氧化技术,制作了含有阵列型铝通柱的10.16 cm(4英寸)直径封装基板。由金相显微镜观察:基板的厚度在300μm左右,铝通柱的表面直径约158μm,内部最大直径约473μm。分析结果表明:图形掩膜边缘存在侧向阳极氧化效应,因而造成铝通柱实际为纺锤体结构。由半导体网络分析仪测得铝通柱和铝栅格地之间的绝缘电阻达到1011Ω;通过矢量网络分析仪反推出基板介质在1 MHz下的相对介电常数为5.97。这种三维铝封装基板制作工艺简单、成本低廉,可用于系统级封装领域。     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果

一、前言用LSI多层布线技术的器件表面台阶形状越来越趋于复杂化、高纵横尺寸比化。因此，面对层间绝缘膜的要求，如何消除高纵横尺寸比布线间的掩埋和布线台阶问题，一年比一年要求严格，而使网复杂的层间绝缘膜成膜。本义介绍的内容就是上述的掩埋工艺技术。以往，人们都使用具有叠层结构的工艺，而这种叠层结构是由等离子TEOS／SOG／等离子TEOS或者等离于TEOS／臭氧TEOS／等离子TEOS等组合而成的。但是，到了亚微米时代，即使用以上那样的工艺亦可得到布线间的优良的膜质，而且能防止产生间隙，么是一个难题。由于间隙的存在…     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

基于VICOTE涂料制成的绝缘部件实现超高速铝制厚膜加热器技术

近日，Datec涂料公司开发了一种新型厚膜技术，旨在将高功率电热源应用于铝基板上。在研发过程中，Datec公司选择了威格斯聚合物解决方案事业部的VICOTE？涂料作为厚膜元件的表层和底层介电层的绝缘部件。     

双面铝基印刷板的制造

夹心铝基双面印制板 1）根据工程设计，选择好合适的铝板型号、厚度、下料。 2）铝板钻孔。钻孔位置同成品铝基双面板的元件孔，其孔径必须比第二次钻孔的孔径大一些（≥0．3～0．4mm）。 3）铝板作阳极氧化处理，使铝基板表面覆盖一层均匀的绝缘的无色氧化膜，膜厚度应大于10um。[第一段]     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。