不同工艺对SiC／Cu复合材料界面结合的影响

采用包裹法和机械合金法制备了SiC：Cu为20：80（体积比）的SiC／Cu复合材料。采用XRD，SEM及EDAX能谱对粉体和烧成样品的物相、断口显微形貌及断口物质成分进行了表征。结果表明：采用包裹法在制备复合粉体过程中出现Cu2O，其含量在烧结过程中减少，包裹法制备的烧成样品SiC颗粒和Cu结合成“核．壳”结构，两相分布比机械合金法更均匀，界面结合更好，强度更高。     

SiC(Cu)/Fe复合材料制备工艺研究

采用非均相沉淀法制得Cu包裹SiC复合粉体,利用粉末冶金和常压烧结制备SiC(Cu)/Fe复合材料.利用Zeta电位仪、XRD,EDS以及SEM等手段对包裹粉体和烧结样品进行了分析.结果表明,采用非均相沉淀法可以得到Cu/SiC复合粉体.包裹后的粉体与原始SiC粉体的表面电位不同,达到了对SiC颗粒表面改性的目的.Cu作为过渡层改善了SiC/Fe的界面相容性,在1050℃烧结的样品只有微量的FeSi或Fe2Si生成,界面反应得到有效控制,获得化学结合的界面,温度过低不能烧结致密,温度过高出现大量缺陷.     

放电加工用金属结合剂碳化硅工具的研究

本文利用热压烧结工艺制备了含有20vol％～50vol％SiC的放电加工用金属结合剂工具电极。采用非均相沉淀包裹法制得Cu包SiC复合粉体。并对试样的气孔率、电阻率、抗弯强度进行了研究,结果表明,随着SiC含量的增加,试样气孔率和电阻率提高,而抗弯强度下降;在20vol％-50vol％SiC含量范围内,采用直接混合法和包裹法制备的试样具有大致相同的气孔率、电阻率,但包裹法的强度却大大提高。用X—ray衍射、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDAX）等测试手段对试样进行了成分和微观形貌分析。研究结果表明,包裹法制得的Cu结合SiC试样,SiC分散更均匀,并通过形成Cu2O—SiO2共熔物（玻璃相）来提高SiC和Cu的界面结合强度。     

SiC（Cu）／Fe复合材料制备工艺研究

采用非均相沉淀法制得Cu包裹SiC复合粉体，利用粉末冶金和常压烧结制备SiC（Cu）／Fe复合材料。利用Zeta电位仪、XRD，EDS以及SEM等手段对包裹粉体和烧结样品进行了分析。结果表明，采用非均相沉淀法可以得到Cu／SiC复合粉体。包裹后的粉体与原始SiC粉体的表面电位不同，达到了对SiC颗粒表面改性的目的。Cu作为过渡层改善了SiC／Fe的界面相容性，在1050℃烧结的样品只有微量的FeSi或Fe2Si生成，界面反应得到有效控制，获得化学结合的界面，温度过低不能烧结致密，温度过高出现大量缺陷。     

溶胶-凝胶法制备SiC/YAG复合粉体

以硝酸铝和硝酸钇为先驱体,采用无机盐溶胶-凝胶法将YAG引入到SiC粉体中制备siC/YAG复合粉体;并采用IR,TG/DTA,XRD,TEM,能谱等测试手段对YAG凝胶及SiC/YAG复合粉体进行表征;探讨YAG凝胶在SiC表面的包裹情况,分析热处理条件对SiC/YAG复合粉体性能的影响.结果表明,YAG凝胶呈网状结构,SiC颗粒嵌入在凝胶网络中;干凝胶在920℃左右已完全转变成YAG相,最终获得YAG粒径小、均匀分散的SiC/YAG复合粉体.     

采用化学包裹法制备MoSi2／Cu复合粉体

采用化学包裹法制备MoSi2/Cu复合粉体,研究MoSi2/Cu包裹粉体的物相组成、颗粒形貌及包裹粉体的热稳定性.结果表明:复合粉体的主要物相组成为Cu、MoSi2及自发氧化生成的Cu2O;包裹颗粒呈椭球形的蛋状结构,包裹层厚度为150-400 nm,包裹效果较好;在氧气炉中于950℃煅烧1 h后,复合粉体主要物相为Cu和MoSi2,强化相MoSi2未与基体Cu发生反应.DSC分析表明:1 000℃以下复合粉体中只有Cu2Cl(OH)3和Cu2O的分解反应,复合粉体具有较好的热稳定性.     

CNTs/SiC/Cu复合材料制备及性能

以碳纳米管(CNTs)、碳化硅(SiC)粉体、锌(Zn)粉和CuSO_4·5H_2O为主要原料,用化学镀的方法制备CNTs /Cu复合粉体,再采用非均相沉淀法制备CNTs/SiC/Cu复合粉体.在750 ℃、100 MPa的制度下进行真空热压烧结后制得CNTs/SiC/Cu复合材料,其中Cu的含量(体积分数,下同)为70%,CNTs的含量(体积分数, 下同)分别为0,3%,5%,8%,12%.利用XRD、SEM分析样品的物相组成和显微结构;利用阿基米德排水法、显微硬度计、三点弯曲法测试了复合材料的密度、显微硬度和抗弯强度.结果表明,随着碳纳米管含量的增加,CNTs/SiC/Cu复合材料的密度、显微硬度和抗弯强度等性能发生相应变化,其中,抗弯强度呈现逐渐升高趋势.与未添加碳纳米管的30SiC/70Cu复合材料相比,添加12%CNTs的12CNTs/18SiC/70Cu 样品,抗弯强度提高了21.45 MPa.     

热加工条件对La0.67Sr0.20Cu0.10□0.03MnO3材料居里温度的影响

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.20Cu0.10□0.03MnO3(口代表阳离子空位)的多晶样品母体粉体材料,在400℃下氢气环境中对母体材料进行还原处理.在不同温度下于空气中烧结不同时间得到系列块体样品.研究了热加工条件对粉体以及块体样品居里温度的影响.结果表明,发现粉体样品和块体样品的居里温度相差不多,但是随着温度的降低,块体样品的比磁化强度迅速增大,粉体样品的比磁化强度却增加缓慢;与块体样品相比,粉体样品的比磁化强度随温度降低而增加缓慢的主要原因是粉体样品晶粒小,晶粒表面原子占原子总数的比例大,而表面原子的结合较弱.     

不同制备方法对SiC_p/Fe金属陶瓷性能的影响

采用非均相沉淀法制得Cu包裹SiC_p复合粉体,利用干混、球磨的方法获得混合均匀的Fe-SiC_p(Cu)粉体.分别采用常压气氛烧结和电导直热真空热压烧结两种方式制备出SiCp/Fe金属陶瓷.利用XRD、SEM等手段对包裹粉体和烧结样品的组成及形貌等进行了表征,分别采用阿基米德原理及显微硬度仪测量了烧结样品的密度和显微硬度.结果表明,SiC_p表面包裹一层Cu有利于改善SiC_p和Fe的分散性和化学相容性.热压条件下样品的结构均匀,致密度和显微硬度均高于常压下制品.热压950 ℃保压4 min的样品密度和维氏硬度分别为7.12 g/cm~3和4200 MPa.     

无压浸渗法制备SiC/Cu-Al复合材料的工艺研究

以Cu包裹SiC颗粒形成的SiC/Cu复合粉体为增强体,采用无压浸渗工艺制备含SiC为70%体积分数的SiC/Cu-Al复合材料。通过正交试验研究了制坯压力、浸渗温度和浸渗时间对浸渗深度的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了复合材料的形貌和相结构。结果表明,在制坯压力10 MPa、浸渍温度850℃、浸渍时间3 h条件下,SiC/Cu-Al复合材料的组织均匀、致密度好、无明显气孔缺陷,其膨胀系数为6.932 3×10-6/℃。