快速生长法创晶体生长尺寸新记录

新泽西州诺斯伐尔的因拉德公司宣布 ,他们已用快速生长技术首次实尺寸地生长了尺寸约为 56cm× 50 cm× 59cm、重约 2 70 kg的磷酸二氢钾(KDP)晶体。生长这块供“国家点火装置”用的晶体 ,劳仑斯·里弗莫尔国家实验室和因拉德公司只化了54天时间。定于 2 0 0 3年峻工的“国家点火装置”拥有实现惯性靶聚变点火所必需的、能产生 1 .8MJ光能、价值 1 2亿美元的 1 92束激光器系统。KDP晶体及其氘化相似物 (KD* P)用于全孔径普克尔斯盒 ,它把“国家点火装置”1μm波长基频光束转变到紫外区 (351 nm波长 ) ,以便聚焦于靶上。晶体必须分割成 …     

大尺寸氟化物晶体的坩埚下降法生长研究

采用坩埚下降法,在自制的真空炉内石墨坩埚中生长了大尺寸LiF、CaF2 和LaF3 晶体。生长前,在水平电阻炉内对市售的氟化物原料进行了氟化处理,合成了稳定的无水氟化物多晶料。通过优化生长参数,如适当的炉温分布、合适的晶种以及缓慢的降温速率,成功地生长出尺寸分别为<110mm×50mm、<200mm×45mm和<50mm×50mm的LiF、CaF2 和LaF3 晶体。     

物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.     

物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.     

大尺寸闪烁晶体Ce∶LYSO的生长

采用提拉法生长Ce∶LYSO闪烁晶体。通过研究晶体开裂及产生过冷的机理,优化温场结构设计,解决了这两种现象之间的矛盾,实现了大尺寸Ce∶LYSO晶体的生长,晶体尺寸达到60 mm×280 mm。先后生长不同掺杂浓度的Ce∶LYSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步明确不同通气方式对晶体性能的影响。结果表明,Ce掺杂浓度达到0.15%时,发光强度最大,晶体内部无明显缺陷。晶体在抽真空充流动氮气条件下生长,有利于提高晶体的透过率,对相对发光强度的影响不大。     

大型KDP晶体快速生长时间创记录

一块270ｋｇ的ＫＤＰ晶体在美国新泽西州Ｉｎｒａｄ公司只需生长54天。公司采用里弗莫尔国家实验室开发的快速生长技术首次全尺寸生长晶体,用于“国家点火装置”。该装置将采用大型ＫＤＰ、ＫＤＰ晶体用于两个泡克尔斯盒,将1μｍ基波三倍频到紫外光(351ｎｍ)。该系统共需576片1ｃｍ厚、41ｃｍ×41ｃｍ的晶体,用于192束光。以往的生长过程约每天生长1ｃｍ,则“国家点火装置”所需的大型晶体每块需生长1～2年。这种在莫斯科大学开创,用于里弗莫尔的生长技术,生长187ｋｇ的金字塔形ＫＤＰ晶体只用了7个星期。大型KDP晶体快速生长时间创记录@…     

提拉法生长大尺寸Nd:YLF晶体的研究

采用熔体提拉法生长大尺寸Nd:YLF晶体.通过大量实验,建立了合理的温场和生长工艺.在晶体生长的全过程中.有效地防止了水和氧的污染.生长出直径φ25 mm～φ30 mm,等径长度为100mm～120 mm的Nd:YLF晶体毛坯,选切出φ10mm×100mm的Nd:YLF激光棒.晶体光学均匀性较好,无裂纹、气泡和夹杂物.     

用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体

1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体     

VGF法生长半导体晶体的研究进展

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。     

用垂直布里奇曼法生长CdTe晶体

用垂直布里奇曼法生长了CdTe晶体,并检验了晶体的质量。发现,在最佳条件下,能获得缺陷密度较低和晶体完整性较高的晶体。     

助熔剂法生长GaPO4晶体

采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。