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在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜;并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较,结果表明:SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流,同时并不影响器件的正向开启电压;在光波长范围为300~365nm,探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。 相似文献
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本文介绍了在低温(50~200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD-SiO_2及SiN薄膜的物理性质和电气性质进行了全面的分析.结果表明,这种低温光CVD薄膜在半导体器件工艺中将有广泛的应用. 相似文献
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衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究.结果表明: 衬底温度在40~200℃范围内,薄膜的折射率在1.40~1.46之间,在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰.SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大,其最小值可达1.73×1010cm-2. 相似文献
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采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心.建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级. 相似文献
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一、引言 众所周知,红外探测器的性能可以利用光学浸没得到改善,但到目前仅应用于单元探测器或小的探测器阵列中在通常的光学浸没中,探测器放置在折射率为n的半球中心,当透过半球观察时,探测器的尺寸被放大了n倍,即表观面积增加了n~2倍。 相似文献
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双色红外探测器的现状与发展 总被引:1,自引:1,他引:1
双色红外探测器是红外探测器发展的方向之一,现已有多种双色红外探测器投入使用。本文简要综述了国内外研制双色红外探测器的技术途径、现状和发展方向,从探测器材料看,多数采用HgCdTe或HgCdTe+InSb。从探测器光敏元的排列方式看,多数采用并列和上下重叠结构。从探测器的工作原理看,多数以光导和光伏模式工作。今后,双色红外探测器将继续向集成化、焦平面、大列阵、小型化和多色化等方向发展并获得更为广泛的 相似文献
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开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。 相似文献
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SiO2膜针孔的分析与检测 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了SiO_2膜的针孔模型及漏电机理,讨论了针孔密度的概念,并用EPW(乙二胺-邻苯二酚水溶液)法和漏电流法分析了针孔与漏电流的关系,给出了SiO_2膜无明显针孔的判据。 相似文献
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在等离子激发条件下,进行了SiO_2,和SiON介质薄膜生长实验,研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响,并优化了工艺条件,得到了生长速率为150nm/min、均匀性为±0.44%、折射率n为1.463±0.002的SiO_2和生长速率为117nm/min、均匀性为±3.0%、折射率n为1.506±0.004的SiON介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。 相似文献
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热释电薄膜在红外探测器中的应用 总被引:4,自引:2,他引:2
介绍了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求。为了克服薄膜生长过程中较高的基片温度对读出集成电路(ROIC)的破坏性影响,一方面发展了离子束辅助沉积、外延缓冲层等多种低温生长技术,另一方面发展了复合探测器结构设计。已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列,其噪声等效温差(NEDT)可达20mK。 相似文献
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