含宇航级的多芯组瓷介固定电容器标准分析

就GJB 6788-2009《含宇航级的多芯组瓷介固定电容器通用规范》中的S级(宇航级)产品和K级(一般可靠)产品的相关试验组别进行了对比分析,论述了GJB 6788-2009中S级(宇航级)产品的显著特征.同时将GJB 6788-2009与美国军用标准MIL-PRF-49470进行了比较.简述了目前多芯组瓷介固定电容...     

片状多层瓷介电容器可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题，如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等，分析了可靠性失效原因和机理。     

微波炉磁控管用穿芯电容的工艺分析

依据现有微波炉磁控管用穿芯电容的结构，概述了该产品的主要生产工艺，同时提出了一些新的生产方案，特别是对环氧树脂灌封固化工艺的改进，通过对比实验证明，新方法可明显提高产品的性能。     

多层瓷介电容器端电极制备工艺研究

为了得到小尺寸、高焊接可靠性的多层瓷介电容器,分别采用蘸浆端涂工艺和薄膜溅射工艺进行端电极制备,研究了两种端面金属化工艺的优缺点及其制备端电极的焊接可靠性.结果表明:与传统端涂工艺相比,蘸浆端涂工艺不仅彻底地摆脱了对于高精度封端设备和工装夹具的依赖,生产成本较低,而且更适用于小尺寸产品端电极的制备;同时,薄膜溅射工艺制...     

瓷介电容在广播电视信号传输处理电路中的应用经验

0 引言瓷介电容分为一类瓷介电容和二类瓷介电容,在广播电视电路中的应用范围包括一类(CG):谐振回路、高频耦合、高频放大器、低噪声电路、高频旁路以及要求低损耗、电容量高稳定和绝缘电阻高的电路,二类(X7R或X5R):电源滤波、旁路、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。     

多层瓷介电容器的应用现状及失效分析

电容器已广泛应用于各种电子设备中,其中多层瓷介电容器具有体积小、容量大、高频特性好、可靠性高等一系列优点。本文对多层瓷介电容器的应用现状进行研究,发现电容器失效主要表现为自身缺陷和在装配、使用过程中的引入缺陷,通过分析得出机械应力和热应力是导致多层瓷介电容器失效的主要原因。因此,在装配、焊接等使用过程中要避免引入过大的机械应力及热应力,防止多层瓷介电容器失效。     

片式高压多层瓷介电容器最新进展

片式高压多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的研制生产水平已达额定直流电压０．５～２０ｋＶ。额定交流电压２２０～１１００Ｖ，标称电容量范围为：０．５ｐＦ～０．１５μＦ（Ｃ０Ｇ），４７ｐＦ～２．２μＦ（Ｘ７Ｒ）。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ＭＬ－ＣＣ在Ｖ－Ｃ、ＴＶＣ（温度、偏压、容量关系）、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求，设计制造技术有独到之处。高压ＭＬＣＣ的包装和使用须严格控制工艺过程。     

柔性端电极多层瓷介电容器失效模式分析与改进措施

柔性端电极多层陶瓷电容器(Flexible Termination Multilayer Ceramic Capacitors, FTMLCCs)在典型三层端电极基础上,引入由树脂和导电填充物构成的柔性电极层,在不增加电容尺寸或削减容量的前提下,降低瓷体开裂风险。但FTMLCC引入柔性层结构,降低瓷体开裂风险的同时也可能引入新的失效风险。选取两种1812尺寸FTMLCC产品为研究对象,利用扫描电子显微镜、聚焦离子束剖切与三维重构等技术进行了柔性层物理结构和结合界面特性的详细表征。通过装联、抗弯曲与环境试验评价的方法,对柔性电极结构、柔性层相关缺陷和失效模式进行了深入研究。研究表明,柔性端电极虽增强了MLCC抗弯性,但柔性层内空洞或弱层间结合力可能诱发电极内开裂或界面剥离等新失效模式,造成容量下降。因此,生产或使用FTMLCC产品时,需提升柔性层耐焊性,控制装联条件,并适当除湿,以保护瓷体,提升其装联可靠性。     

高密度多芯光缆技术动向

根据光纤通信技术的发展，估计光缆将很快地大规模地引入用户网，高密度多芯光缆的研制与生产是急待解决的问题。本文从研制高密度多芯光缆的几个方面：光纤线径、光纤带、光缆结构介绍高密度多芯光缆的技术动向，最后对我国开发上述光缆提出几点建议。     

多层瓷介电容器失效模式和机理

系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等五种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预防MLCC失效的措施。     

10℃法则与多层瓷介电容器的贮存寿命试验

GJB/Z 148-2006《军用电容器选择与应用指南》提出的10℃法则,是表征元件寿命与温度应力关系的简便估算方式,它对于估算实际的使用条件下多层瓷介电容器的长期贮存寿命有着重要的意义。列举了国外对于多层瓷介电容器激活能的研究成果,并通过经典的温度加速模型与10℃法则的关系,证明了10℃法则对于多层瓷介电容器的加速寿命试验的适用性;同时认为根据10℃法则进行贮存寿命试验所得到的结果比使用经典的温度加速模型得到的结果更加可信。     

多层片式瓷介电容器标准中几个问题的讨论

对制定、修定多层片式瓷介电容器有关标准过程中和使用过程中发现的一些问题,诸如：片式元件的尺寸、性能参数和性能试验等１０个问题进行讨论。     

片状多层瓷介电容器常见可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题,如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等,分析了可靠性失效原因和机理.     

多层片式瓷介电容器的ESR测试方法研究

介绍了两种常用的多层瓷介电容器ESR的测试方法.射频同轴谐振传输线法是国际标准的ESR测试方法,可用于低ESR的测试,但只能得到谐振频点的ESR值,局限性明显.利用射频阻抗分析仪进行ESR测试,能够得到ESR的频率特性曲线,但测试精度不高,不适用于低ESR的测试.     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。     

多芯电缆屏蔽效能原理及其仿真分析软件

在车载通信系统电磁兼容设计方面,多芯电缆的屏蔽效能是一个很重要的指标,采用屏蔽电缆是消除和抑制电磁干扰的有效手段.本文首先提出了屏蔽效能的定义,并根据多导体传输线理论论述了多芯电缆屏蔽效能的仿真计算方法,然后根据多芯电缆屏蔽效能的原理,给出设计开发基于VB和Borland C 语言的多芯电缆仿真分析软件的基本设计思路和实现过程,最后比较了仿真结果和测试结果,达到较好的一致性,为设计人员合理设计和选择电缆提供了依据.     

多芯光纤熔接与测试研究

多芯光纤(MCF)是空分复用(SDM)技术的重要传输介质,能够数倍地拓展现有单根光纤的通信容量,然而MCF结构复杂度高、测试难度大,尚无测试标准。文章根据MCF的结构特点,结合在MCF开发中的技术经验,规范了MCF的熔接方法以及主要参数的测试方法,为未来MCF的大规模商用化奠定了基础。     

空分复用中的多芯光纤

介绍了近年来出现的光纤通信用单/多模多芯光纤(MCF)的基本特性和结构轮廓,列举了部分试验传输实例。指出人们对光纤通信容量的追求在时分、波分、偏分复用及多级调制方式的基础上,已开始将目光关注在基于MCF的空分复用(SDM)上,相信MCF的规模化商用已为时不远。