可见光LED的进展

较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制衣应用领域的拓宽。     

超高亮度蓝色LED

超高亮度蓝色ＬＥＤ方志烈（教授级高工）（复旦大学测试中心，上海２００４３３）编者按：蓝色ＬＥＤ的研究已有２０余年历史，但进展不大，是全色显示的主要障碍。日本日亚公司最近开发成功并投入批量生产的超高亮度ＧａＮ蓝色ＬＥＤ，在２０ｍＡ下比超高亮度ＧａＡＩＡ...     

用于电子标志与号志的高亮度椭圆LED

超高亮度Extra Bright Ⅱ系列椭圆红、绿、蓝色LED适合全彩电子标志与号志应用，如行人专用号志、可变信息标志、记分板和车道灯等设计。     

LED彩色大屏幕的蓝色补偿

目前的ＬＥＤ彩色大屏幕缺少蓝色，在显示动画或电视图象时，整屏泛黄，色觉太差。本文提出了将屏幕底色由黑色改成蓝色，并由补偿光源照明，从而改善整色调。试验表明，蓝色补偿的效果十分明显。     

我国超高亮度及白光LED产业的现状与发展

文章首先简要介绍国外超高亮度LED发展动态,重点描述我国超高亮度及白光LED 产业现状和发展特点,并就如何加速发展LED产业提些建议。     

超高亮度LED的发展和应用

简要介绍超高亮度InGaAlP LED和InGaN LED在汽车指示灯、交通信号灯、大屏幕显示、液晶显示（LCD）的背光照明等中的应用情况。     

超高亮度LED的发展和应用

本文将对超高亮度IngaAIP LED和InGaN LED在汽车指示灯、交通信号灯、大屏幕显示、液晶显示（LCD）的背光照朗等中的应用请凝傲一简要介绍。     

新型Φ10超高亮度LED

近年来，随着科学技术及半导体材料、工艺技术的进步，LED的性能有长足的提高，尤其在发光强度这一参数上，其提高的速度让人吃惊。     

超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。     

一定可视角的超高亮度蓝光LED

报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×104cd/m2,可视角为98°.     

晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

(AlxGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的，它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率。本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述。     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

用正交试验法优化条形LED显示器的出光性能

考虑了生产过程中影响条形LED显示器的出光均匀性和亮度的五种影响因素：环氧、散射剂、散射剂占环氧主剂的质量百分比、出光高度、芯片间距,并对每种影响因素各取三到四个不同水平进行正交试验.通过对正交试验的数据分析和后续的试验,确定了最合适的封装工艺,得出了生产中使出光均匀性一致,光亮度达到应用要求的产品.     

LED可变情报板的亮度调节

由于室外环境光的变化范围非常大,要使发光二极管(LED)可变情报板显示的信息在各种环境背景光下都清晰可见,就要求LED可变情报板的发光亮度能随环境背景光的变化作对应的调节。本文将从人眼的视觉特性、发光亮度与背景光的关系以及亮度调节的方法等方面讨论LED可变情报板的亮度调节,并给出测试结果。     

LED背光源亮度均匀性的研究

讨论LED的偏置电阻和发光亮度对LED背光源亮度均匀性的影响。