DDR3 DIMM插座：存储器模块插座

Molex公司推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器模块捅座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。     

Samsung推出的8GB FB—DIMM服务器用存储器

三星（Samsung公司日前推出的新的8GB产品可以用于服务器。在十月份推出的8GB注册双列直插存储器模块（R—DIMM），Samsung现在增加它的全缓冲双列直插存储器模块（FB—DIMM），包括采用80nm 2Gb DDR的8GB，用于高速服务器。这种器件代表了在高档服务器存储器架构中重大意义的飞跃。     

DDR SDRAM引领内存新风采

回顾20多年前，DRAM（动态读写存储器）之所以被采用为电脑存储的重要因素，其实是DRAM的性能及频宽能满足当时CPU需求所致。之后，由于CPU及系统性能的提升，DRAM的技术由Fast Page Mode（快速页面模式）DRAM，EDO DRAM（扩展数据输出）发展到同频式的SDRAM（静态随机存取存储器），PCB内存条在这个过程中其速度也由PC66，PC100提升到几年前才开始盛行的PCB内存条，从这个过程可以清楚地看出成本一直是主宰新技术取代旧技术的主要原因，而频宽则是相对主要的关键。     

威盛DDR266新存储器技术

威盛电子公司近日宣布继PC133之后将推出新存储器技术DDR266(Double Date Rate)SDRAM。威盛电子芯片组将采用DDR266技术,使之用于伺服器、台式电脑、低价电脑及笔记本电脑。 DDR SDRAM提供更完美的解决方案,将现有的SDRAM转换到DDR SDRAM,包括适用性价格及整体市场的支持。DDR266通过读写在时钟脉冲上升和下降     

DDR存储器电气特性验证

前言 几乎每一个电子设备,从智能手机到服务器,都使用了某种形式的RAM存储器.尽管闪存NAND继续流行(由于各式各样的消费电子产品的流行),由于SDRAM为相对较低的每比特成本提供了速度和存储很好的结合,SDRAM仍然是大多数计算机以及基于计算机产品的主流存储器技术.     

存储器术语（1）

高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种,其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器(CPU)处理数据时,它会先到高速缓存中寻找,如果数据因先前已经读取而暂存其中,就不需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快,CPU若要连续存取内存的话,必须等待数个机器周期造成浪     

面向DDR2和DDR3 DIMM测试应用的新型探头前端附件

这些新型探头前端附件,支持高达8GHz的信号带宽,是为探测DDR2和DDR3内存DIMM专门设计的,也可以用于通用探测应用。新附件使用插座电缆技术,连接快捷简便。新型TriMode探头前端附件提高了适用性,降低了每个焊点的成本。通过TriMode,只需一次探头设置连接示波器,即可准确地、确定性地进行差分测量、单端测量和共模测量。     

ADI低功耗、高速放大器

英飞凌科技公司推出世界上第一条采用双晶片技术、存储容量4GB、用于服务器的DDR2registeredDIMM内存模块样品。新模块使用18颗2Gbit的DDR2内存颗粒,该颗粒由两片1GbitDDR2SDRAM晶片堆叠实现。这种技术被称为双晶片技术,可以将内存颗粒容量增加一倍,而     

领先全球市场宇瞻容量最大、速度最快、体积最小的笔记本电脑专用内存

笔记本电脑想要兼顾精致小巧造型与效能,不再是难事!存储产品领导厂商Apace r宇瞻电子领先全球市场的容量最大、速度最快、体积最小,专为迷你笔记本电脑所设计的高效能172-pin 512MBDDR333(PC2700)Micro DIMM内存模块,将以最优异的性价比满足消费者对迷你笔记本电脑内存的需求.     

基于DDR模组阵列的超高速数字图像存储技术

针对光电跟踪测量系统高精度测量对高帧频、大靶面图像传感器图像数据超高速实时存储的需求,提出基于DDR模组阵列的超高速数字图像存储方案.该方案采用大容量DDR双列直插内存模组(DIMM)阵列作为存储介质,使用现场可编程门阵列(FPGA)实现DDR模组阵列控制器,在实验中实现数据率为1 000 Mb/s的超高速大容量数据实时存储,且其理论的最高数据存储速率可达1 828 Mb/s.     

利用数字存储示波器测量特殊信号

随着数字化技术、集成电路的高速发展,数字存储示波器以其强大的测试能力、稳定的性能和更快捷的数据处理方式越来越多的应用于科研生产中,已成为检测电子线路最有效的工具之一.     

基才FPGA的DDR2 SDRAM存储器用户接口设计

使用功能强大的FPGA来实现一种DDR2SDRAM存储器的用户接口。该用户接口是基于XILINX公司出产的DDR2SDRAM的存储控制器．由于该公司出产的这种存储控制器具有很高的效率,使用也很广泛,可知本设计具有很大的使用前景。本设计通过采用多路高速率数据读写操作仿真验证,可知其完全可以满足时序要求,由综合结果可知其使用逻辑资源很少,运行速率很高,基本可以满足所有设计需要。     

Low-jitter multi-phase digital DLL with closest edge selection scheme for DDR memory interface

A multi-phase digital delay-locked loop (DLL) capable of a low-jitter feature for DDR memory interface is reported. The DLL repeatedly selects the output clock edge which is closest to the reference clock edge to reduce the total jitter. A test chip was fabricated in a 0.18 mm CMOS process to verify its functionality. The measured RMS and peak-to-peak jitter of the DLL are 6.2 and 20.4 ps, respectively. The power consumption of the DLL is 12 mW from a 1.8 V supply voltage.     

一种基于大容量DDR2存储技术的视频显示分析设计方法

介绍了一种雷达视频信号的显示分析设计方法,重点介绍了该设计的硬件实现及大容量DDR2内存芯片存储控制、视频信号显示控制等技术。提供了一种实时、深入有效的视频信号显示分析方法,对于直观了解分析特定频率段视频信号中各种信号脉冲形式的幅度、脉宽等包络信息具有重要的意义。     

Investigations on immunity of interfaces between intelligent media processor and DDR3 SDRAM memory

Due to the complexity of IC, electromagnetic immunity plays a critical role towards evaluating the EMC performance to avoid the high cost of redesign. This paper focuses on the Direct Power Injection (DPI) immunity of processor chips with different external double data rate3 (DDR3) synchronous dynamic random access memory (SDRAM) in consumer electronics. To complete the DPI test, a test board complying with the standard IEC62132-4 and a dedicated test code have been designed. The effect of DC power injection interference on same DDR model but different DDR pins and the same DDR pin but different DDR models were analysed, the results can be used to locate the system-level EMC issues and optimize the design.