红外激活振动模间介电耦合作用及其在反射光谱中的表现

本文根据经典振子模型,通过红外激活振动模间的介电耦合作用的分析,导出了反射率R(ω)随复介电常数实部ε_r和虚部ε_i变化的一般规律。作为例子,给出了分立反射带间介电耦合相互作用产生的结果。     

固体中自由载流子-声子间介电耦合作用及其在反射光谱中的表现

本文根据介电函数的经典色散理论,分析了自由载流子-声子间的介电耦合作用。导出了自由载流子的反射谱R(ω)随复介电常数实部ε_r和虚部ε_i变化的一般规律及其与晶格振动反射谱的相互影响。列式给出在垂直入射情况下,反射率R(ω)与光学常数n,k和复介电常数实部ε_r、虚部ε_i,即可求得自由载流子反射率R(ω)与角频率ω的一般关系。通过     

AlGaP固溶体的电反射光谱

研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、E_1、E_0~＇、E_2各临界点随组分x的变化、有关结构的加宽参数和相对强度.从GaP和AlP的能带出发,对AlGaP固溶体各临界点处的能隙随x的变化按虚晶近似进行了讨论.     

带反射腔的光子晶体分插复用器

提出一种由二维光子晶体构成的四端口滤波器。该滤波器含三个微腔,其中两个是参数完全相同的波长选择性反射腔,用于波长选择性的反射反馈。另外一个是下载腔,用于下载特定的波长光波。利用耦合模式理论（CMT）分析了该滤波器的滤波特性,得出了实现完全下载滤波的条件,即通过改变两波长选择性反射腔到下载腔之间的距离,使之满足晶格周期的奇数倍。并且用FDTD方法对该器件进行了数值分析,显示了该器件上下载的的可行性。     

晶体的介电张量和折射率椭球

光在光学各向异性晶体中传播的主要特点,就是存在着双折射。双折射之所以产生,是由于偏振面相互垂直的两个光波,在这些晶体中有着不同的传播速度。这与这些晶体某一方面的性质,存在着各向异性是分不开的。晶体在光学上的各向异性,就其根源而言有两条。一是组成晶体的各基元,本身就是各向异性的。当它们按某一规则组合在一起的时侯,在宏观上就可以表现出各向异性来。     

β-BaB_2O_4晶体的红外反射光谱

新型紫外倍频晶体β-BaB_2O_4(偏硼酸钡)具有很宽的透光波段及很高的倍频转换效率,其有效倍频系数约为KDP的六倍,与其它非线性性能较好的有机晶体相比,它还具有抗潮解性强和机械性能好等优点。此外,该晶体不仅在紫外倍频方面达到了国际领先水平,而且在红外接收方面也具有相当的潜力。为全面了解β-BaB_2O_4晶体的结构与性能,深入研究其晶格振动是非常必要的。     

硅纳米晶体与尺寸相关的介电函数谱

嵌埋于SiO2中的硅纳米晶体具有结构稳定、发光性质可控和制备简便等特点,受到广泛关注和研究。在设计与研制基     

复介电双周期光子晶体的特性研究

利用传输矩阵法研究了复介电双周期光子晶体的带隙结构和光传输特性.研究发现:一维双周期光子晶体的光子带隙结构中在两光子晶体带隙交叠处具有很明显的两共振透射峰.当组成双周期光子晶体的一种介质为复介电且其虚部为负时,两共振透射模式都出现了较强的增益.随着复介电常量的虚部的增加,两透射增益先增加后减少,中间存在一极值点.而当组成双周苘期光子晶体的一种介质的复介电虚部为正时,表现为对两共振透射模式的吸收.这一结果为光子晶体同时实现双通道超窄带滤波器和先放大微器件提供了理论基础.     

波导层介质对二维光子晶体反射光谱的影响

构建了基底介质为SiO2、表面覆层介质为TiO2 的二维光子晶体,采用严格耦合波法分析了二维光子晶体的窄带光学传输特性。分析了二维光子晶体的晶格周期、波导层的折射率及厚度对其反射光谱的影响。分析结果表明:当光子晶体的晶格周期和波导层介质厚度为常数时,随着波导层介质折射率的增大,光子晶体的反射峰值波长红移,且波导层折射率与反射峰值波长呈线性关系。当光子晶体波导层介质折射率为常数时,波导层厚度增大或光子晶体晶格周期的增大都会引起光子晶体反射峰值波长增大,但这两个参数与反射峰值波长只是在一定的变化范围内为线性关系。此种结构的二维光子晶体覆层表面吸附分布不均匀的介质时,通过分析光子晶体的呈现光谱可获得其表面吸附介质的不均匀特性。     

二维三角形光子晶体带隙与耦合特性研究

利用二维三角晶格介质柱光子晶体TE偏振的禁带与介质柱半径的变化关系,分析了二维光子晶体的带隙分布及斜边耦合特性.结果表明,光子禁带的大小受到构成光子晶体的介电材料的空间排列分布以及介质柱半径大小的影响;束缚在光子晶体中的光波可以在波导和谐振腔中进行传输,达到选择输出光波的目的.     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

铌酸锶钡晶体的生长和介电特性

1 前言透明的高介晶体作为非线性光学材料受到了注意。特别是Ba_2NaNb_5O_(15)所代表之具有钨青铜型结构的复合氧化物晶体由于良好的光学特性,近年来正在集中研究。固溶体的Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6(下称SBN)就是其中之一,正做多方面的研究。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

线性电光效应引起晶体介电张量变化的简单表示

晶体的光折变效应已被广泛应用于全息存贮、四波混频及相位共轭光学中,这些研究不仅对单轴晶体,而且已涉及到双轴晶体,它们的基本原理均基于晶体中全息光栅的衍射原理,而光衍射效率的大小又与晶体线性电光效应引起的光频介电常数的变化有关。文献[2]曾考虑到晶体中电场的方向,给出了部分点群晶体介电张量的变化形式,本文导出线性电光效应作用下所有晶体介电张量变化的普遍表达式,给出主要光折变晶体所属点群的介电张量的变化矩阵。     

非完整红外反射光谱中介电函数推算方法的改进

报道了谐振子模型和Ｋｒａｍｅｒｓ－Ｋｒｏｎｉｇ关系相结合在晶体长波光学声子红外反射光谱上的应用，提出了利用谐振子模型和Ｋｒａｍｅｒｓ－Ｋｒｏｎｇ关系之间相互制约的关系改进在非完整红外反射光谱中介电函数推算的方法     

基于传输反射法的等离子体相对复介电系数测量

为解决微波激发等离子体参数诊断存在的困难问题,提出利用二端口传输反射法测量微波激励产生的低温等离子体的等效相对复介电系数。使用有限元方法设计了基于BJ22标准波导的样品测试结构,该结构能在较大的介电系数范围内,保证介电系数和端口的|S11|,φS11和|S21|参数保持较好的单调性,避免产生多值问题;通过人工神经网络对计算获得的各介电系数对应的S参数进行训练,达到足够的精确度;最后通过实验,将测量获得的S参数利用神经网络反演获得待测物质的相对复介电系数。该方法对今后测量类似等离子体、复介电系数实部为负的特殊材料的介电常数具有一定的指导意义。     

对羟基苯甲酸甲酯(P-MHB)晶体的介电与光透射特性

对羟基苯甲酸甲酯单晶是一种新型的具有极性的晶体材料。本文首次详细报道它的介电和光透射特性。     

利用两波耦合增强BaTiO_3晶体的自泵浦位相共轭反射

本文报道了利用BaTiO_3晶体的两波耦合和自泵浦效应,实现高位相共轭反射率的方法。给出位相共轭反射率R随两耦合光束之间的夹角2θ,以及光束强度比β变化的实验结果。在适当的条件下(2θ≈35°,β=2600),得到共轭反射率大于35。     

飞秒激光与晶体和玻璃的相互作用

总结了飞秒激光与晶体和玻璃相互作用产生的新现象,如光致折射率改变、光致晶体相变、光还原稀土离子及光致发光等.并分析了它们可能的应用.同时简要的介绍了各种现象产生的机理,展望了飞秒激光与其它物质相互作用可能的研究方向及可能出现的新现象.指出了进行这些研究时可能采用的新方法.     

具有复介电缺陷一维三元光子晶体禁带特性的研究

运用光学传输矩阵理论,研究了具有复介电常量缺陷层一维三元光子晶体的禁带特性.数值模拟结果得出:含有单缺陷的一维三元光子晶体的禁带中出现透射峰A和透射峰B,缺陷层复介电常量的虚部对透射峰B的影响很大.虚部为正时,表现为对透射峰B的吸收,随着虚部的增加,透射峰B逐渐降低;虚部为负时,表现为对透射峰B先增益然后吸收,随着虚部的增加,透射峰B先增加后减少.但缺陷层复介电常量虚部的变化对透射峰A基本不影响.本研究为光子晶体同时实现双通道滤波器和放大器提供理论参考.