Altera携手TSMC提升90nm产品良率

良率对产品具有至关重要的意义，因为它与成本、质量、性能、上市时间及交付时间这几项市场决胜因素息息相关。尤其是当决定采用一项新工艺进行产品生产时，在生产初期，由于新工艺尚未成熟，必然会导致较大的缺陷密度，使得产品成本无法与老工艺相比。据Altera公司的技术副总裁Francois Gregoire介绍，通常，新老工艺达到成本平衡大致需要18个月。提升良率就是加速这个过程最直接的方法。     

Point 35 Microstructures宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块

Point 35 Microstructures公司宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统（MEMS）单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。     

新思科技推出新一代实体设计解决方案

Synopsys公司近日推出新一代实体设计解决方案Galaxy^TMIC Compiler包括。Agere Systems、ARM等早期使用的客户都认可此产品。ICCompiler整合以往各自的独立作业，进一步提升新一代的实体设计解决方案，这是第一款将实体合成、时脉树台成、绕线、良率最佳化与验收相关性整合的实体设计解决方案．实现优异的设计效能并大幅改善生产力。     

概伦电子推出基于IBM专利技术的高效良率导向设计（DFY）工具——NanOYieId^TM

概伦电子科技有限公司近日宣布推出其良率导向设计（DFY）平台的新产品NanoYield^TM，该产品以IBM授权的专利技术为基础，旨在通过高效的良率分析和设计优化，提升高端芯片设计的竞争力。     

一种利用迭代法实现的熔丝修调方案

随着集成电路的迅速发展,测试过程中熔丝修调的精度受到越来越多的重视。在某些产品熔丝步距一致性欠佳的情况下,传统的查表法熔丝修调方案已经无法满足当下的精度要求,从而表现为测试过程中区域性或批次性的低良率,造成人力、物力的损失。将迭代法应用到熔丝表的计算中去成为了提升测试精度的必然趋势。采用迭代法的熔丝方案可以根据圆片当前区域的熔丝步距实时调整熔丝表,提升测试良率和测试精度。     

晶圆代工厂启动DFM解决方案

当半导体技术进入纳米时代,硅芯片在制造时的微小差异变得越来越值得注意,尤其是一些关键性的差异已经开始影响产品良率的提升。设计人员需要更多的来自晶圆代工厂的信息去优化他们的设计以加快良率提升的速度,而这也将直接转化为收益率。DFM的数据是一种新的晶圆代工厂信息,它     

最新无铅研究提示全新的网板设计准则

DEK公司公布了最新的无铅焊膏对丝网印刷的研究结果，揭示其对网板设计准则的意义和影响。该结果还指出使用封闭式印刷头和镍网板的重要性，能将质量和良率提升至最高水平。     

Sunfilm公司和应用材料公司共创SunFab双结薄膜太阳能组件生产线

近日,Sunfilm公司和应用材料公司共同宣布。Sunfilm公司位于德国Grossroehrsdorf生产基地的SunFab双结薄膜太阳能组件生产线于2009年4月14日在全球率先取得生产验收认证。该生产线使用5．7平米的超大基板，制造的太阳能光伏组件效率可高达8％，产品良率和年产量等指标都符合标准。该生产线目前已经开始量产。     

电容传感芯片外部坏点的成因与控制

外部坏点造成的不良是电容传感芯片制造过程中良率损失的主要来源之一。由于庞大的市场需求和日趋激烈的竞争,有必要进一步提升产品良率。从电容传感的原理出发,阐释外部坏点与产品实际物理结构之间的联系;按照失效分析的思路介绍了大粒径塑封填料颗粒异常混入、小粒径填料颗粒异常聚集和塑封料基体树脂异常聚集3类造成电容传感芯片外部坏点的典型成因;并借助有效介质理论归纳了相应的物理模型,给出大颗粒或聚集体临界尺寸的计算方法。在此基础上,依据外部坏点的物理表现和临界尺寸的计算结果,从塑封原材料的生产和塑封料的来料检验角度,分别提出了管控方案。根据实施方案前后同型号产品多批次因外部坏点导致的不良品扣料监控数据分析,几类措施均能有针对性地提升产品良率。     

NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析,整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性,浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进,改善浮栅和控制栅物理结构,防止写入失效,从而得到最佳的良率。     

SMT可制造性设计应研讨会讲义

不论是您公司从事的是什么产品，不论您的顾客是内部或是外部顾客，他们对您的要求都可说是一致的。他们的要求都离开不了三方面。即优良或至少满意的品质、相对较低的成本(或价格)、和较短而及时的交货期。而身为一个产品的设计人员，您对以上的三个方面是绝对有影响和控制能力的。目前新一代的设计师，他们的职责已不是单纯的把产品的功能和性能设计出来那么简单，     

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正全新的Applied Varian VIISta~ 900 3D系统实现无与伦比的离子束线路精度,适用于复杂FinFET和3D存储结构的掺杂工艺独一无二的离子束形状控制能力结合SuperScan 3TM技术,可显著降低器件可变性,实现卓越的颗粒控制性能,从而显著提升产品良率应用材料公司日前宣布全新推出Applied Varian VIISta 900 3D系统。作为业内领先的中电流     

Point 35 Microstructures将氧化物释放技术添加到汽相MEMS制造系列

全球微机电系统（MEMS）产业蚀划和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司,近日在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块,进一步扩展其微机电系统（MEMS）单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的牛产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处,从而使良率得到了最大的提升。     

赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通过全生产验证

全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司（Xilinx）与全球领先的半导体代工厂商联华电子（UMC）共同宣布，采用联华电子高性能40hm工艺的Virtex-6 FPGA，已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步提升良率．增强可靠性并缩短生产周期而努力合作的成果。     

Point 35 Microstructures将氧化物释放技术添加到汽相MEMS制造系列

全球微机电系统（MEMS）产业蚀刻和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司,在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块,进一步扩展其微机电系统（MEMS）单晶圆制造Memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等好处,从而使良率得到了最大的提升。     

基于SAP的产品售后返修管理系统设计与实现

在消费者日益重视产品售后服务的今天,对售后产品进行优质的管理、维修、升级等,成为了提高客户满意度、增加产品市场占有率的利器。作为售后服务的重要组成部分—返厂维修,提升其工作质量、效率对于提升顾客满意度具有十分重要的作用。文章通过对Z公司的产品返厂维修业务进行调研、梳理、优化,进行系统设计、开发,完成了基于SAP的军工产品售后返修管理系统,并与系统原有功能进行无缝集成,对公司从返厂收货到维修交付的全过程进行信息化管理,实现返修工作的线上协同、业务数据的实时共享,切实提高返修工作的质量、效率,最终提升顾客满意度。     

ISO/DIS 9001∶2000质量管理标准──要求(下)

７．产品和／或服务的实现７.１实现过程的策划组织应策划并管理过程的顺序，有利于识别顾客需要和期望，将其转化为要求并实现所需的产品和／或服务。实现过程的策划应与组织质量管理体系的所有其它要求相一致，并应按适合于组织操作方法的形式文件化。这些过程应在受控状态下操作并产生符合规定要求的输出。组织应规定实现产品和／或服务的要求，包括ａ）产品和／或服务实现过程的目标ｂ）达到产品和／或服务目标所需的职责和资源７．２与顾客相关的过程７．２．１顾客需求的识别组织应识别顾客的要求，包括：ａ．顾客规定的产品和／或服…     

成型加工良率与效率提升

结合多年理论与实践的成型加工技术经验,分析影响成型加工一次性良率和生产效率的种种因素。通过优化铣板程式设计,达到成型加工一次性良率和生产效率提升的目的。     

电子纸的2W2D工艺改善研究

在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色调掩膜光刻胶厚度与均一性同时满足较高要求,管控难度大,导致曝光多次返工浪费产能;而且,1W1D的刻蚀均一性很差,使玻璃四周沟道a-Si过薄,影响良率。为了改善这两方面的问题,我们参考了非电子纸产品的两次湿刻两次干刻(2W2D)工艺。然而非电子纸的2W2D工艺会产生较长的a-Si拖尾现象,导致较大的寄生电容,造成良率损失;此外,a-Si残留和沟道特性问题也阻碍了电子纸良率的进一步提升。因此,我们通过降低两次湿刻时间,改善灰化条件,减小a-Si拖尾长度;建立a-Si处理工序,消除a-Si残留;调整a-Si成膜条件和钝化层成膜前处理条件,改善沟道特性。实验结果表明:采用改善后的2W2D工艺可以完全满足电子纸的特性要求,并且相比于1W1D方法,得到的沟道厚度均一性提升50%,阵列检测良率提升4%～10%;同时无需管控半色调掩膜光刻胶的均一性,仅满足光刻胶厚度的管控要求即可,使曝光返工比例降低60%。改善后的2W2D工艺有效改善了电子纸产品的沟道特性与刻蚀均一性,提升了产品良率,减少了产能浪费,降低了成本,对4次光刻电子纸产品具有重要指导意义。     

应用材料为20nm制程开发自主式缺陷检测SEM

应用材料公司推出Applied SEMVision G5系统,进一步提升其在缺陷检测扫描电子显微镜（Scanning ElectronicMicroscope,简称SEM）技术的领导地位,这是首款可供芯片制造商用于无人生产环境的缺陷检测工具,能拍摄并分析20纳米影响良率的缺陷。