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本文介绍四极质谱计在分子束外延中用作超高真空残余气体成份的分析、检漏、分子束束流强度的测量和粗略估计喷射炉的工作温度等方面的应用,讨论在实际应用时还存在的一些问题。 相似文献
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本文对四极质谱计算计计算机控制中的质量定标,质谱峰离子流的采集及质量扫描对谱峰拖尾问题进行了分析研究,并提出了解决办法。 相似文献
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为推动真空四极质谱计的应用,现提出一种用户实用、性能稳定可靠、价低的真空质谱计设计方案,1)按超高真空和高真空要求分开设计质谱管;2)采用公差一致性组装四极杆;3)采用粗、长四极杆;4)充分利用离化室的高压强工作能力;5)内藏式离子流放大器;6)增强仪器电路的实用功能。最后举例了一台溅射镀膜机监控质谱计,无须配置质谱计减压真空系统和微机等辅助设计,就能进行正常气氛监控,其总投资只需常规设计的三分之 相似文献
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本文介绍了采用微机进行质谱系统增益自动控制的原理,给出了有关接口电路及管理程序的方框图.对系统的指标、误差也作了讨论,最后给出了在不同质量数离子检测时,增益随高压的变化曲线. 相似文献
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本文从四极质谱计所需入射离子的初始条件出发,详细研究和测试了平板二极型射频辉光放电离子源的离子的能量分布、信号强度以影响因素等,确立了满足表面分析四极质谱计的放电条件。为达到痕量分析目的,离子源和分析器必须呈偏转方式安装。该表面分析四级质谱计的显著特点是等灵敏度和分析材料(金属、介质和半导体)的任意性。该仪器结构简单,操作方便,价格低廉,历于普及。除不能作微区分析外,具有一般SIMS的类似用途。 相似文献
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引言1963年 D.M.Mattox 首先提出的离子镀,1967年在美国获得了专利权,到了七十年代就迅速发展成为一种镀膜新技术并受到各国的重视。离子镀是在真空蒸发与真空溅射的基础上发展起来的一种新颖工艺,它是电真空科学与低温等离子体技术应用的新成就。由于离子镀膜具有附着力牢、绕射能力强,针孔少、沉积速率快、无公害、基片处理简单、膜密实均匀、基片和蒸发物质的组合范围广等优点,因此它被广泛地应用于尖端技术、机械工业、轻工业、电子工业、光学工业、原子能工业、航宇工业、航天工业等领域内。目前,借助这一技术,日本集成电路已经开始向薄膜化的方向发展,我国也正在大力发展这一技术。 相似文献
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四极质谱定量分析方法研究所关心的是被分析样品中的(而不是质谱分析室中)各组分气体的分压强判断,引用质谱分析系统“综合相对灵敏度系数α”这一概念,就无须校准质谱计对各种气体的 S 值。α值的测定简便易行、精度稳定良好,易于控制。它可对“特征峰”进行相当精确的补偿(即修正)。质谱分析工作者关心的应是被分析样品中组分气体的分压强(在绝大多数情况下,分析室的绝对压力总远远小于被分析样品的绝对压力)。 相似文献
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本文阐述了以单板机为核心的数据处理器与小型低质量数(M<60)四极质谱计联用,可对质谱进行归一化百分比处理,也可进行峰选和峰强度监测,处理器中还建立了24种高真空系统中常见气体成份的数据库,可对残气成份进行定性谱图检索。该数据处理器操作简便,适应性强,造价低廉。 相似文献
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光学薄膜的制备有真空蒸发、反应蒸发、溅射、等离子体淀积及离子镀等方法。离子镀技术在1963年美国马托斯提出后,经过二十年的发展,已成为将真空蒸发和溅射相结合的制备薄膜的新颖而获得广泛应用的工艺。它在航空工业、机械制造工业、轻工业、电子工业及光学工业等部门中,已显示出了巨大的优越性。这种工艺相对于其它制备薄膜的技术来说,具有许多独特的优点:(1)沉积速率快,蒸发料粒子电离后,动能可达3000~5000eV,沉积速率可达0.24~1μm/min,而溅积仅只达~0.1μm/min;(2)附着力好,粒子高速轰击工件时,能够穿透工件表面,形成一种注入基体的 相似文献
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张丽梅 《电子工业专用设备》1992,21(3):44-48
<正> 引言 以钛为主的过渡金属,其碳化物、氮化物薄膜作为硬质膜有着良好的耐摩性和耐蚀性,已经开始用于工具、模具、机械零件、装饰品等许多领域。为了得到这些硬质膜,出现了PVD(物理气相沉积)和CVD(化学气相沉积)工艺方法。PVD包括:热蒸发、溅射、离子镀和分子束外延等方法。它们的特点是用热能使固体原料蒸发,或者用具 相似文献
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本文主要介绍了Diameter协议架构及其特性,并介绍了3G计费的几个主流方式,然后结合Diameter协议的计费功能,将其运行在3G计费系统的在线计费系统中。 相似文献
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离子镀技术是近几年发展起来的新兴表面处理技术。离子镀把辉光放电、等离子体技术与真空蒸发镀膜技术结合在一起,明显地提高了镀层的各种性能,特别是具有膜层的附着力强、绕射性好和可镀材广泛等优点,在高科技领域得到广泛应用。本文对离子镀原理、特征及在军用电子装备上的应用进行综述。 相似文献