耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析

介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了分析和讨论,并根据上述几种失效模式对应的机理,指出了避免失效的一些措施,对该器件的制造商和使用者具有一定的参考价值.     

射频同轴连接器的失效原因分析及提高其可靠性的方法

本文介绍了射频同轴连接器几种常见的失效模式,分析了失效产生的原因,并提出一些提高其可靠性的方法.     

元器件测试筛选先后次序的决定原则

从元器件失效的原理出发,叙述了分析元器件失效的具体失效模式与引起各种元器件失效的失效模式之间的相互关联性、各种元器件测试筛选方法可能引发的元器件失效模式,以及不同元器件测试筛选先后次序对最终测试结果的影响,从理论上推导出一种较好的决定元器件测试筛选先后次序的原则。实践表明,应用这种原则,可以最大限度提高测试筛选的有效性和经济性,在最短时间内迅速找出有有缺陷、质量不符合要求的产品,而且失效模式定位准确,为查明失效的产生机理提供数据支持,是一种有效的安排元器件测试筛选先后次序的原则。     

几种电子元器件长期储存的失效模式和失效机理

通过对几种元器件长期储存期间的失效进行分析,探讨了这几种元器件的失效模式及其失效机理。     

一款用于Flash型FPGA的阶梯式配置方法

为了提高Flash型FPGA中的Flash开关单元在擦除、编程后驱动能力的一致性,设计一种阶梯式的对Flash cell进行擦除和编程的方法.通过该方法依次对Flash开关单元执行若干次配置操作,执行完一次配置操作后通过Flash电流读出电路回读Flash开关单元的电流,并基于回读的电流调整下一次配置操作的参数,直至完成配置操作;该阶梯式控制的编程和擦除算法,及时调整编程和擦除时的操作电压和时间参数,可以实现对Flash开关单元在擦除和编程后阈值电压分布的精确控制,保证了驱动的一致性,为Flash型FPGA提供了高精度的延迟参数.并且采用阶梯式的配置方法很好的控制了Flash cell过擦除和过编程现象的发生,使电流读取电路能够对Flash cell的电流进行准确的读取.实测结果表明使用该阶梯式的配置方法可以将擦除、编程后的Flash cell阈值电压控制在预设范围之内.     

硅基梳齿式MEMS器件及封装的失效调查

对典型硅基梳齿式MEMS器件进行失效调查和分析,验证其主要失效模式,分析其失效机理.利用电子扫描显微镜(SEM),X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM),X射线能谱成份分析(EDX)、金相切片分析、封装气体分析及电性能测试等分析技术,发现在工艺制造中的机械失效是造成此类器件失效的主要原因.另外,此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效.     

混合电路内引线键合可靠性研究

本文简述了混合电路以及半导体器件内引线键合技术原理，分析了影响内引线键合系统质量的因素，重点分析了最常见的几种失效模式：键合强度下降、键合点脱落等，并提出几点改良措施。     

MEMS麦克风的失效机理及失效分析

MEMS麦克风是将音频信号转换成电信号的微型传感器,其工作过程涉及到声学、机械学和微电子学等学科。随着MEMS麦克风封装尺寸的不断缩小和声学性能的不断提升,以电学测试结果作为失效分析出发点的传统半导体失效分析方法越来越难以满足MEMS麦克风失效分析的需要。针对MEMS麦克风独特的封装结构和工作原理,其失效分析方法主要包括声学性能测试、机械性能测试和电学性能测试,并结合传统的半导体物理失效分析手段来找到真正的失效原因及失效机理。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

机载电子产品的间歇失效与分析

间歇失效是机载电子产品的一种较常见的失效,由于其故障判断和维修困难,因而具有较大的影响和危害性.本文主要总结了间歇失效的模式,并分析了它的失效机理,提出了防止间歇失效的对策.     

塑封GaAs MMIC的失效机理及典型案例

阐述了塑封GaAs MMIC的主要失效模式和失效机理,根据40余例实际案例,得出了其使用中的失效机理分布,并给出几例典型的失效分析案例.     

GaAs PHEMT器件的失效模式及机理

归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移.     

电子镇流器中电容器失效分析

简述了电子镇流器的工作原理,分析了几种电容器失效的模式并进行了机理推测,通过试验分析和实体分析,得出失效的主要原因有:电容器的Res值偏大、纹波电流过载、有害杂质的破坏、铝箔变性、阴极箔水合作用及电网电压异常波动等因素,最后提出了改进电容器性能的措施。     

铜工艺电迁移分模式失效机理研究

在大规模集成电路进入深次微米时代的同时,铜工艺技术也被广范应用在金属互连层的工序当中。电迁移（Electromigration,EM）测试是检测金属互连层性能的主要方法,本文针对测试结果所呈现的分模式（Bi-modal）现象,对大量累积的测试数据以及物理失效分析的结果进行分析,并且结合对铜工艺的分析,给出了失效机理的解释并以图形化的形式进行了整合归纳。提供了一种快速的通过失效时间进行失效模式分析的方法,为我们不依靠物理失效分析而快速发现工艺问题提供了可能。     

瞬变电压抑制器失效模式和失效机理研究

由于目前对TVS自身可靠性的研究较少,提出了对TVS产品的可靠性研究.这项研究得到国内TVS生产厂家的支持,对该厂6个型号TVS筛选进行了跟踪.根据筛选失效数据,对温度循环、箝位冲击、高温反偏和功率老炼等TVS失效比例较大的筛选项目的失效品,经过电参数测试、解剖、显微观察,确定失效模式、分析失效机理.结果表明,TVS主要失效模式有短路、开路、反向漏电流大和异常击穿,且高击穿电压TVS更易发生失效.     

反复短路运作下IGBT器件失效的研究

本文描述600V穿通型、600V非穿通型和1200V非穿通型的IGBT，在其器件寿命期限内，对它施加不同能量来进行反复短路试验的结果。文中指出，一种和试验条件有关的临界能量，可以区分两种失效模式：具有累积退化效应的第一种失效模式，需要进行大约104次短路才损坏，而具有热击穿效应的第二种失效模式，在第一次短路时就损坏。基于试验和仿真的结果，详细描述了短路时的“极限能量”和“延缓”模式。事实上，临界能量对应阻挡结附近区域约650℃的临界温度，这点似乎和测试条件无关。尤其是，分析了短路后的漏泄电流，说明存在将两种失效模式明显区分开来的临界温度。     

基于ESD的芯片失效分析

提出了一种基于静电放电（ESD）的芯片可靠性测试及失效分析流程,并且以芯片静电放电测试为例详细阐述了芯片失效分析的过程与实现方法,包括电性失效分析和物理失效分析。通过专用仪器对芯片进行了静电放电测试,并利用红外微光显微镜（EMMI）及砷化镓铟微光显微镜（InGaAs）等实现芯片故障定位,从而确定芯片的失效模式与失效机理,实验证明该方法切实有效,这种失效分析的结果对优化集成电路的抗静电设计以及外部工作环境的完善都具有重要的参考意义。     

单片机IAP在应用软件升级的方法探究

文章基于Renesas公司SH系列单片机,比较了几种在线编程实现模式,讨论单片机Flash的读取、擦除、编程机制,对单片机软件IAP在应用升级方法进行了初步的研究,并在硬件平台上开发了通过CAN总线接口,对单片机的软件实现在应用升级的方案.     

电源管理IC失效模式验证及定位方法

电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效.ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题.针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法.综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因.     

行波管的失效模式和机理分析及质量信息反馈的探讨

本文通过收集重点工程用的行波管各种现场使用信息,以统计数据分析方法,定量得出行波管的12种失效模式和模式分布,对其中几种主要失效模式进行了机理分析,并对各种质量的数据(经分析整理后)进行及时反馈。实践证明采用这种反馈途径,对改进行波管的质量可获得较好的效果。