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为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p 多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P 多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据. 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。 相似文献
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在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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介绍了一种多功能、低功耗微处理器电源监控芯片的设计方法.此芯片集成了带隙基准电压源、电压比较器、时基振荡、看门狗模块.文中分别对系统中各个模块做了介绍,特别是带隙基准电压源和时基振荡这两个重要模块.其中,带隙基准电压源温度系数只有12 ×10-6,芯片整体功耗电流不超过30 μA. 相似文献
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介绍了一种多功能、低功耗微处理器电源监控芯片的设计方法。此芯片属于微处理器监控器件,集成有众多组件,提供了完整的微处理器的电源监控和看门狗功能,是理想的低成本电池管理方案,非常适用于电源电流为35μA的便携式、电池供电的应用中。文中分别对系统中各个模块做了介绍,特别介绍了带隙基准电压源和看门狗这两个重点模块。 相似文献
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A. Cusano A. Iadicicco D. Paladino S. Campopiano A. Cutolo M. Giordano 《Optical Fiber Technology》2007,13(4):291-301
In this paper, the authors present new and complex configurations involving micro-structured fiber Bragg gratings (MSFBGs) as advanced devices for sensing and communications applications. First, the spectral behaviour of multi-defect MSFBGs is investigated with particular regards to the possibility to carry out multi-parameter sensor by a single sensing element. More defects along the grating permit the formation of more defect states inside the band-gap ruled by the multiple interaction of the signal reflected by the unperturbed grating regions modulated by the phase delays of the perturbations. Here, a practical case based on a two-defect MSFBG is taken into account, revealing the potentiality to perform dual SRI measurements with a single MSFBG device. Finally, a novel configuration has been considered involving a single-defect MSFBG coated with nano-sized coatings with higher refractive index compared to the cladding one. The presence of a high refractive index coating along the thinned region would induce the mode redistribution and the transition from core modes to overlay modes if coating features are properly selected. Here, sensitivity characteristics of the proposed device are analysed and significant improvement in the sensing performances have been obtained, including the possibility to tune the maximum sensitivity in the desired range. 相似文献
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低压CMOS带隙电压源 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了CMOS带隙电压源的基本原理,并根据目前CMOS集成电路工艺发展对低电源电压的要求,详细地分析了几种能产生低输出电压且能兼容标准CMOS工艺的CMOS带隙电压源电路.这些电路所需的电源电压只有1V左右,并且都能够输出1V以下具有零温度系数的参考电压,其中有些电路的输出电压可以由电阻的比值来调节,因而可以增加电路设计的灵活性.本文还对低压CMOS带隙电压源电路的低频和高频噪声特性进行了深入分析,提出了改善输出参考电压噪声特性的途径. 相似文献
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The exciton spin alignment is measured in an ensemble of self-organized cubic GaN/AlN quantum dots. By picosecond time-resolved photoluminescence experiments, we show that the exciton linear polarization does not decay with time from 20 to 300 K. 相似文献
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传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比(PSRR)为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。 相似文献
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用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge~+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10~(16)cm~(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4%的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。 相似文献