在FEA中使用的MOSFET技术

本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明,并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。     

FEA场发射微尖的一些氮化物薄膜

一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能,适合于用作ＦＥＡ发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性能方面的介绍。     

用于FEA场发射微尖表面的硅化物薄膜

一些硅的化合物具有良好的场发射特性,如果用作ＦＥＡ发射微尖表面的薄膜,将能较好地提高ＦＥＡ的发射特性,本文对这一类硅化物的制作,测量与性能作了说明。     

氢气对含金刚石碳薄膜场发射性能的影响

测试了采用磁控溅射工艺制备得到含金刚石碳薄膜的场发射性能，试验结果表明含金刚石薄膜具有良好的场发射性能，最小场强阈值为３７Ｖ／μｍ，其相应的有效功函数０．２９ｄｅＶ，最大的场发射电流密度达５．４ｍＡ／ｃｍ＾２。分析了溅射气体中加入量和基体温度对薄膜晶体结构和场发射性能的影响。     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

场发射阵列发射性能下降机制分析

场发射阵列（FEA）发射性能的下降是场发射显示（FED）研究中普遍遇到的一个问题，研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义。阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提出的三种解释。对这三种解释进行了进一步的分析和讨论，认为目前的实验工作还不足以充分说明哪种机制在FEA发射性能下降中占据主导地位，并提出了进一步的实验研究的方向和内容。     

场发射冷阴极的稳定性和可靠性研究

讨论了清洁处理（ＣＰ）对ＦＥＣ电子发射的影响。实验结果表明：ＣＰ能有效激活长时间存放于恶劣环境的ＦＥＣ的电子发射；还研究了场热成形（ＦＨＦ）对提高ＦＥＣ电子发射稳定性和可靠性和作用。实验发现，正确选择阳性工进行必要的真裕除气，对防止尖由于真空电弧而造成的破坏有破坏有重要意义。ＦＨＦ对尖端表面的微观状态具有强烈的影响，具体表面尖端有效功函数ψ才尖端场增强因子β的改变上，经过ＣＴ和ＦＨＦ处理，得到了发     

场致发射显示技术研究进展

首先回顾了Spindt型微场发射技术，介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理，讨论了目前这项技术所面临的问题，着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展，包括纳米碳管和复合材料在FED中应用前景。     

钼尖场致发射阵列阴极的性能研究

利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究，并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试，得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流，测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析，认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电，尖锥和棚极孔间的暗电流，电极间的放电和放气，以及环境真空度和尖锥的均匀性等。所得结果以进一步开展有射频器件和显示器件方面的应用研究打下了一定基础。     

金刚石薄膜场致发射平板显示的研究

从场致发射实验中发现一种较适合于场电子发射的金刚石薄膜表面微结构。胜表面为这种微结构的金刚石薄膜作阴极制做的简单平板显示器件具有起始发射场强低，发光强度大的特点，且重复性较好。     

阵列场发射电子源的新进展

阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一 ,发展迅速,某些先进电子物理装置的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信息显示学科领域内已发展为实用的阵列等离子体电子源也进行了简单的介绍。     

平板显示器驱动电路技术分析

介绍了平板显示器件。如场发射显示器、等离子体显示器、液晶显示器、有机电致发光显示器驱动电路．分析了不同驱动电路的优点、缺点。     

场致发射平面显示器的发展及应用前景

介绍了场致发射平面显示器(FED)的工作原理及研究现状,分析了LCD,PDP,FED等平板显示器的特点,并对FED显示器的应用前景作了展望.     

一种类OLED驱动的FED驱动电路的设计

通过与有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示驱动电路的比较,得出了场致发射显示器(Field emission display,FED)驱动电路的特征,并在此基础上设计了基于简单IC与专用IC芯片的驱动电路,为FED驱动电路的实际应用提供了一种切实可行的思想方案.     

平板显示技术的最新进展

本文根据近一两年的大量文献、阐述了平板显示技术的最新进展和市场近况，并对发展趋势与夜了分析和评述。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

加入支撑墙的FED的电场分布及电子轨迹数值模拟

ＦＥＤ内部真空中的电场和电子运动受到支撑结构的影响,为此采用了有限元法计算带有介质支撑墙的ＦＥＤ电场分布;采用龙格－库塔法计算该空间电子轨迹。并且在考虑了介质支撑墙上的二次电子发射之后。定性的分析了空间电场电子轨迹及墙上的电荷积累情况。得出了支撑墙对ＦＥＡ电子轨迹影响的数值结果,对器件的设计提出了建议。     

千年之交的平板显示技术和市场

论述了新千年开始时的平板显示，包括ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＯＬＥＤ、ＦＥＤ等的市场和技术的最新发展。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.     

107cm彩色PDP显示屏及模块的研究开发

建成大屏蔽彩色PDP显示屏试验线,开发了部分关键设备,建立全套自主开发的适合批量生产的彩色PDP显示屏制作工艺,开发了采色PDP显示模块电路。