激光直写系统在ASIC器件制作中的应用

激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统，利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上，本文介绍激光直写系统在ASIC器件制作中的应用和具体工艺。     

高效激光直写光刻

本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光学调制器（ＳＬＭ），使用具有反射的、可变（粘）弹性的反射层的ＣＭＯＳ有源矩阵，研究成功并生产了５１２×４６４象素ＳＬＭ。业已表明，０６μｍ最小特征尺寸的曝光装置，完成了由ＧＤＳＩＩＣＡＤ设计数据给出的整个光刻层曝光的全部功能要求；试验样机给出了质量很好的０６μｍ光刻图形。具有提高每小时数片１５０ｍｍ片子产量的激光快速直写装置样机正在设计之中。     

激光直写制作二元光学元件掩模研究

介绍了激光直写技术制作二元光学元件铬版掩模的原理,分析了影响铬版上铬膜氧化程度的因素,研究了铬版上 刻写掩模图案时激光能量与刻写半径之间的关系,总结了利用激光直写方法刻写二元光学元件铬版掩模过程中激光能量的 形成方法。     

灰度掩模并行激光直写系统的总体设计

灰度掩模法是一种新的二元光学器件制做方法。研究了并行激光直写高性能灰度掩模的工作原理，对空间光调制器（SML）、精缩投影物镜和二维气浮平台等关键单元进行了分析，给出了并行激光直写系统的主要技术指标和初步实验结果。     

高精度微光学器件激光直写光刻系统研究

设计一套高精度激光直写光刻系统,它采用带17位增量式编码器的松下MINAS A系列交流伺服马达,同时还采用基于高精密滚珠丝杆和超精密线性滑轨导向的x-y运动平台,可以实现约30 nm的运动控制灵敏度。针对该系统开发一套基于ISA总线的三维运动控制卡。实验表明该激光直写光刻系统完全能够满足光刻精度的要求,并且具有控制简单、行程轨迹精确等特点,适用于许多微光学器件加工领域。     

极坐标激光直写技术制作微结构

简述了极坐标激光直写技术原理,并利用该技术研究了在铬板、光刻胶版表面制作微 结构的工艺,制作了光栅、非涅耳透镜、曲面衍射透镜、平面连续微结构衍射透镜掩模以及基于MEMS技术的微型太阳敏感器光学掩模。     

二元光学器件激光直写技术的研究进展

二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺(掩模套刻法或多次沉积薄膜法)所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率.分析了二元光学器件激光直写的基本原理,对已有的各种激光直写方法和最新研究成果进行了综述,并展望了其发展趋势.     

小型激光直写光刻系统

针对早期研制的激光直写装置存在的刻写速度慢、功能不够完善的缺点,重新设计并搭建了一套小型激光直写光刻系统。该系统采用波长405nm可高速模拟调制的单横模半导体激光器作为刻写光源,结构更为简单紧凑;采用正弦振荡模式控制纳米平台运动,大幅度提高了刻写速度;增加了刻写光源功率校正功能、基于互补金属氧化物半导体(CMOS)相机的样品观察功能、蓝光共聚焦成像功能以及刻录光源功率衰减以实现一般光刻胶刻写的功能。通过记忆调焦数据,刻写蓝光、辅助聚焦红光以及样品观察绿光三束光分时工作,互不干扰。实验表明,该光刻系统可在光敏薄膜材料上进行打点、刻画矢量和标量图形等多种操作,刻写范围200μm×200μm,最少用时100s,刻写分辨率在250nm以内。     

用于二元光学器件制作的激光直写系统

通过双远心成像光路，激光直写（LDW）系统SVG—LDW 04把液晶空间光调制器（LCD-SLM）上的光斑直接成像在光刻胶板上，得到高质量的光斑图形。放置在SLM的共轭面上的CCD成像调焦装置能够实时地在监控像面质量。控制SLM的输入图形、曝光量（刻蚀深度）及系统的运行方式，LDW系统能够制作不同特性的二元衍射光学元件。给出了典型的（2台阶、4台阶）位相衍射器件制作的实验结果。     

离焦激光直写光刻工艺研究

采用理论计算和光线追迹分析了激光直写光刻中离焦对写入焦斑光场分布的影响;使用四轴激光直写设备开展了离焦激光直写光刻工艺实验,实验和理论计算及光线追迹的结果吻合得很好。利用离焦激光直写光刻方法制作了光栅和分划版,测得实验结果达到工艺要求。     

红外窗口的激光损伤热过程及保护的研究

利用光热偏转技术对红外窗口材料进行了激光损伤实时研究，通过对硅片，加半反保护膜的硅片和加全反保护膜的硅片的损伤过程的研究，发现介质保护膜能大大提高硅窗口的激光损伤阈值，同时发现了全反介质保护膜的激光损伤逐层的破坏过程。     

场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计

采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。     

有矩形波导和线性摆动器的自由电子激光器的特性研究

本文研究圆柱电子束通过矩形波导和线性摆动器时产生相干辐射的特性。用线性化弗拉索夫-麦克斯韦方程分析了因对自洽的电子束平衡态引起扰动产生的不稳定性。导出了TMmn模的色散方程并数值计算了辐射频率和增长率与电子束能量、轴向磁场、摆动器强度和波长以及电子束半径的关系。     

光泵NH3分子亚毫米波激光的喇曼过程相互增强与竞争

当用强脉冲ＣＯ２－９Ｒ谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程的竞争，一些过程得到增强，另一些过程被削弱。     

舰船排气系统红外抑制装置的湍流场及温度场分析

采用数值计算方法对舰船排气系统红外抑制装置内的湍流场和温度场进行了研究,针对装置内部具有的耦合的热作用,采用整体求解法,推导了界面上具有耦合传热时的控制体离散方程式,界面上的辐射热流以附加源项的形式出现在离散方程中,给出了引射处速度的确定方法,与相应的实验结果比较表明,本文的数值处理方法及计算结果是可靠的,它是预测舰船排气系统红外辐射场会布的基础。     

模化比对船用排气红外抑制装置红外辐射特性的影响及修正

在两种典型船用燃气轮机敢系统红外抑制装置数值计算和试验测量的基础上,根据相似理论,分析讨论了模化比对气流和壁面温度场分布以及红外辐射强度的影响,根据实物排气红外抑制系统的相应参数和模化比影响的量级,提出了可供选择的修正因子。     

褐煤新法干馏制取高炉喷吹料和城市煤气初步研究

主要介绍了在10kg/h处理量的连续实验装置上进行扎赉诺尔褐煤制取高炉喷吹料和城市煤气研究的初步结果。干馏煤气是中热值煤气,符合城市煤气要求。干馏半焦具有低灰、低硫、低挥发分和高活性等特点,是一种优质的新型高炉喷吹料。