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低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式。按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度。 相似文献
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掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 总被引:11,自引:0,他引:11
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型. 相似文献
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硅压阻输出微传感器的1/f噪声 总被引:2,自引:1,他引:1
从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 . 相似文献
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随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段。主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明。 相似文献
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从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声.选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料,设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火,共获得256种压阻输出的微传感器.测量所有器件的噪声,并对噪声谱进行理论分析,实验结果表明单晶硅具有最低的1/f噪声和Hooge因子(α)的值,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅.几何尺寸大的力敏电阻具有低的1/f噪声,但α值不受器件尺寸的影响.掺杂浓度增加10倍时,不同器件的1/f噪声降低介于35%-50%之间.相比950℃、10min退火条件,1050℃、30min的高温长时间退火的器件,其1/f噪声降低约65%. 相似文献
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V2O3与聚合物复合可制备室温电阻率0.4Ω·cm,PTC效应高达10个数量级的热敏电阻材料。讨论了V2O3含量、聚合物种类和含量对室温电阻率和PTC效应的影响规律,并对复合材料的微观结构进行分析,用隧道效应解释了PTC效应。 相似文献
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以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样的室温电阻率ρ25和热敏电阻特性常数B25/85随着x(Mn)的增加均呈现先增大后减小的趋势。在25~200℃的测试温区内,x(Mn)为0.1时,掺杂的SrBiFeO陶瓷材料的电阻率-温度特性呈现良好的线性关系;x(Mn)为0.5时,掺杂SrBiFeO陶瓷材料具有较好的NTC特性,其ρ25为145Ω.cm,B25/85为2950K。 相似文献
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Carrier removal profiles have been measured in annealed, oxygen implanted, n-type GaAs samples. The implants were performed at room temperature with an ion energy of 400 keV. A dose of 1015 O+/cm2 produced a resistivity of about 108 ?/? over a layer 0.6 ?m thick, but no significant electrical compensation was observed from doses less than 1013 O+/cm2. However, doses of 1011 to 5×1012 O+/cm2 produced resistivities of 108 to 109 ?/? without subsequent annealing. 相似文献
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PT/P(VDF—TrFE)复合材料的压电和热释电性能 总被引:4,自引:2,他引:4
采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅/偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)0-3型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论,其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化,另一种是让两相均被极化,当陶瓷和聚合物在同一方向极化时,其二相的压电性能部分抵消,而热释电性能增强,因此,在一定的体积比下,陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性,最后,测量和讨论了样品的压电常数d33,厚度耦合系数kr和热释电系 相似文献
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尖晶石Mn-Co-Ni-O三元氧化物具有优良的负温度系数(NTC),是一种制作热敏红外探测器较为理想的材料。采用射频磁控溅射法在非晶Al2O3衬底上制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)多晶薄膜。使用能量色散X射线谱(EDS)对薄膜中金属元素组分进行了测量,分析得出薄膜中金属元素组分与靶材中的组分偏离在5%以内。对经过750℃空气中退火后的薄膜结构、电学和光学性质也进行了研究。实验结果表明:退火后薄膜具有单一立方尖晶石结构,且薄膜表面致密、均匀性好;薄膜的传导机制遵循小极子跃迁传导,在240~330K范围内符合VRH模型,其激活能和电阻温度系数(TCR)在室温下(300K)分别为0.297eV和-3.83%K-1;薄膜在紫外-可见波段具有较高的吸收率,间接带宽为0.61eV。 相似文献