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“Au-n~+(薄)-Inp”结构及界面特性分析夏瑞东,陈定钦(首都师范大学物理系100037)(中国科学院半导体所100083)摘要采用"AES"技术分析了Au-InP接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Au向Inp一侧内扩散,并认为正是这种高掺?.. 相似文献
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本文报道Si+注入InP材料与AuGeNi合金和W金属膜的欧姆接触特性.发现Si+单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触,共P+注入的样品中比接触电阻则大大下降(约小一个数量级).卢瑟福背散射分析表明,600℃热处理后W金属膜与InP界面作用很小,而800℃热处理后界面有一定的互扩散. 相似文献
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用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。 相似文献
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报道了以正硅酸乙酯(TEOS)为源,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP表面低温生长SiO2钝化膜。对SiO2/InP界面态进行了X射线光谱(XPS)分析和C-V特性研究。 相似文献
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对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子和多量子阱样品的C-V特性及其与温度的关系进行了测量,并用数值方法解泊松方程模拟计算了单量子阱样品的C-V特性及其C-V载流子浓度分布,实验和模拟计算的结果均表明,C-V载流子浓度分布在量了阱位置有一个深度 高的峰值,它反映了被限制在阱中的载流子的积累,峰高随着量子阱异质界面的能带偏移的增加而增另,低温由于阱中载流子的热发射几率变小,阱中载流子深度的变化跟不上测试 相似文献
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《电视字幕·特技与动画》2004,(6):63-64
从20世纪90年代中叶至今,国产非编的发展历数了极不寻常的十几个春秋。从非实时非编到有视音频采集卡支持的实时非编,从价格昂贵的国外非编到性价比得当的国产非编,非编的成熟程度也随着岁月的推移日臻完善。 相似文献