3-D MCM封装技术及其应用

介绍了超大规模集成电路（VLSI）用的3-D MCM封装技术的最新发展，重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺，分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题，并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。     

高密度3-D封装技术的应用与发展趋势

高密度3-D封装技术是国内外近几年飞速发展的微电子封装技术。它在2-D平面基础上向立体化发展,实现了一种新的更高层次的混合集成,因而具有更高的组装密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟等优势。该技术正在加速未来电子整机系统的微小型化。主要介绍了近年来3-D封装应用状况和一种新型的封装技术——系统上封装SOP(System-on-Package)。     

3-D封装时代拉开帷幕

正如Joseph Fjelstad（SiliconPipe的创始人和CEO）在SEMICON West 2007所做的一个关于先进封装的报告中所指出的，在电子封装发展史上有着三个显著的时期（图）。这些时期包括通孔、表面组装和芯片级封装。我们目前的许多技术仍处于芯片级时代，但是封装领域的新纪元将是3-D技术——虽然它几年前才刚刚开始。     

不断推进的圆片级三维封装

当减小芯片面积时,3-D封装能减轻互相连接所带来的延迟问题,根据集成电路是否已经进行了3-D互相的设计,描述了3种选择方法。     

Chiplet关键技术与挑战

半导体产业正在进入后摩尔时代,Chiplet应运而生。介绍了Chiplet技术现状与接口标准,阐述了应用于Chiplet的先进封装种类：多芯片模块（MCM）封装、2.5D封装和3D封装,并从技术特征、应用场景等方面介绍了这些封装技术的进展。提出了未来发展Chiplet的重要性和迫切性,认为应注重生态建设,早日建立基于Chiplet的技术标准。     

WLP与3-D集成：界限何在？

你将如何在晶圆级封装（WLP）和3-D集成之间划线分界呢？向不同的人请教这一问题，很可能你会得到一些完全不同的回答。     

芯片尺寸封装（CSP）技术的发展动态

芯片尺寸封装（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ简称ＣＳＰ）技术是一项焊接区面积等于或略大于裸芯片面积的单芯片封装技术，由于采用该项技术能解决芯片和封装之间芯片小封装尺寸大的内在矛盾、ＩＣ（集成电路）引脚不断增长、多芯片组件（ＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌ...     

日趋重要的COG封装技术

作为一项软科学研究，本文较全面地分析了国际上正日趋势实用的ＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏｎ Ｇｌａｓｓ）封装技术。对ＣＯＧ封装的结构，工艺，优点等给予了较为详尽的阐述，并对各种封装进行了比较。最后指出我们应大力研究这种对液晶显示（ＬＣＤ）技术发展有影响的封装技术。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip-Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

从IC封装横跨光学领域的IP巨人：Tessera

在半导体封装技术发展史上,1990年成立的Tessera以其授权的封装技术（CSP封装到最新的3D IC封装）成功居于领导地位。为了拓展业务成长的空间,该公司在2005年间切入手机相机模块市场,藉并购技术独到的光学封装与软件厂商,状大在光学技术领域的发展地位。为能了解Tessera何以由奠基的IC封装业跨足光学领域,该公司如何运筹帷握产品策略的成功,透过本次专访两大部门主管,相信能有清楚的轮廓。     

3D MCM组件产品热分析技术研究

三维多芯片组件(3D MCM-Three Dimension Multi-Chip Module)是近几年正在发展的一种电子封装技术。在3DMCM封装中,随着芯片封装密度的增加,对其热分析与热设计技术就显得越来越重要了。文章利用有限元方法,通过Ansys软件工具对某静态存储器组件(3DMCM模块)内部温度场进行了模拟仿真,并与实验数据进行了对比,获得了很好的分析效果,为3DMCM的可靠性设计提供了技术支持。     

片上雷达技术研究进展及发展趋势

本文回顾和梳理了当前片上雷达(Radar on Chip, RoC)的架构和射频前端、天线及信号处理等芯片化研究进展,以及基于异质异构集成、3D先进封装技术的雷达系统集成实现方案。在此基础上,从物理形态、实现工艺及技术发展等方面对片上雷达未来发展趋势进行了分析,指出基于硅基半导体工艺,片上集成多路雷达收发前端、波形产生及信号处理等雷达功能单元,实现片上系统（System on Chip, SoC）;或者通过异质异构及先进封装技术,将高度集成的雷达芯片集成在一个封装内,实现封装系统（System in Package, SiP）,从而满足雷达系统微型化、轻重量、低成本和低功耗的发展需求。同时,基于芯片化可扩充多通道阵列模块也有望构建大型复杂阵列雷达系统。该方案为未来小型化武器装备提供有效的探测感知手段,也为蓬勃发展的民用雷达提供可行的技术路径。     

3-DMCM实用化的进展

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。     

ANSYS在多芯片组件仿真设计中的最新应用进展

多芯片组件MCM（Multi Chip Module）是近年来迅速发展的一种电子封装技术。随着芯片封装密度的增加,计算机辅助设计CAE技术对其可靠性进行仿真分析显得越来越重要。文章综合介绍了ANSYS软件在MCM器件仿真设计中的最新应用进展,然后详细介绍了ANSYS软件在MCM封装、焊点疲劳和跌落分析中的应用情况。     

三维微电子学综述

三维微电子学主要研究三维集成电路的设计与制造。文章讨论了三维集成电路的概念、发明思想、结构、优点、制造及其挑战和应用等。三维微电子技术必将成为未来发展的新兴技术。     

先进的叠层式3D封装技术及其应用前景

采用叠层3D封装技术将使芯片所包含晶体管数目成倍的增加,它不但具有体积小、性能高、功耗低等优点,而且拥有无可比拟的封装效率.对其叠层3D封装的发展趋势、技术特点、技术优势、散热问题以及应用前景等几个方面进行了探讨.     

3-D MCM 的种类

介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。     

芯片封装技术的发展历程

集成电路（IC）的核心是芯片。每块集成电路芯片在使用前都需要封装。封装是IC芯片支撑、保护的必要条件,也是其功能实现的主要组成部分。随着芯片及集成的水平不断提高,电子封装的作用正变得越来越重要。当今芯片封装技术发展也越来越快,以满足不断快速增长的电子产品的需求。文章介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。从中可以看出IC芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

三维存储器模块热分析技术的研究

随着3D封装密度的加大,单位体积的热容量增加,对3D封装的热分析与热设计技术就显得越来越重要了.针对某3D SRAM模块,对其结构特点和工作方式进行了分析,通过Ansys有限元仿真工具对模块内部温度场进行了仿真,并与实验数据进行了对比,为3D SRAM模块的可靠性设计提供了有利的技术支持.