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相似文献
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本文研究了在四硼酸钠(pH10.4)介质中,铜(Ⅱ)—丁二肟配合物的电化学吸附伏安行为,发现于-0.50V(vs.SCE)处进行配合物还原富集,再由-0.20V处静置后进行阴极扫描,于-0.30V处得一灵敏峰.铜浓度在4.0×10~(-9)~2.5×10~(-7)mol·dm~(-3)范围内与峰电流呈线性关系,富集2min检测限为2.0×10~(-9)mol·dm~(-3).用于实样测定结果满意.  相似文献   

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本文利用悬汞电极研究了铍试剂Ⅲ存在下钒的吸附伏安行为,并对其电极过程机理作了初步的探讨.在选定条件下,钒(V)浓度在1.0×10~(-9)~4.0×10~(-7)mol·L~(-1)范围内与其峰电流呈良好的线性关系,富集5min,检测限低至2.0×10~(-10)molL~(-1).所建立的分析方法有较高的灵敏度和较强的抗干扰能力,这为实际样品中痕量钒的测定提供了可能.  相似文献   

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本文研究了在Britton-Robinson介质(pH10.4)中,庆大霉素甲醛衍生物在悬汞电极上的线性扫描伏安行为,并讨论了电极过程.庆大霉素浓度在2.0×10~(-9)~2.0×10~(-7)g/ml范围内与其峰电流呈良好线性关系,相关系数为0.9992,富集2min,检测下限为2.0×10~(-10)g/ml.方法用于药物中庆大霉素含量测定,回收率在94.0~107.91%之间,相对标准偏差≤2.1%.  相似文献   

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本文以巯基醋酸钠(SMA)、半胱氨酸(RSH)为例,研究了这类化合物在悬汞电极上的吸附伏安特性,并对其电极过程机理作了探讨,认为在铜(Ⅱ)存在下该类化合物在选定实验条件下的电化学反应是以吸附状态进行的,并发现其电极过程反应中电子得失数为2,参加反应的氢离子数为1,从而提出了一种新的反应机理的假设。  相似文献   

9.
本文以青霉素G.K为例,用汞膜电极研究了在铜(Ⅱ)存在下含β-内酰胺环抗菌素的吸附溶出伏安行为,认为其电极过程为先化学反应而后吸附富集再进行电化学溶出的过程.同时,还对这类抗菌素的水解条件及降解产物的稳定性作了研究,确定了最适条件.在柠檬酸—磷酸二氢钠(pH2-7)介质中,青霉素的水解产物青霉素酸的浓度在1.0×10~(-9)~5.0×10~(-6)mol.L~(-1)范围内与溶出峰电流均有良好的线性,富集10min,检测限低至1.0×10~(-10)mol.L~(-1).  相似文献   

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本文研究了在Britton-Robinson溶液(pH3.5)中,钼(Ⅵ)-8-羟基喹啉配合物的线性扫描吸附伏安行为,发现于-0.61V和-0.67V(vs·SCE)处有两个明显的吸附还原峰,并对两峰的电极过程作了研究.钼(Ⅵ)浓度在2.0×10~(-9)~6.0×10~(-7)mol·L~(-1)范围内与其峰电流呈良好线性关系,对5.0×10~(-s)mol·L~(-1)的钼(Ⅵ),其变异系数为3.3%(n=10).用于萤石矿样及水中痕量钼的测定,结果令人满意.  相似文献   

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本文以汞膜电极于NH_4Cl介质(pH5.0)中,研究了钢铁试剂存在下,痕量铟的差分脉冲吸附溶出伏安行为,并探讨了吸附机理。发现在较负电位下(-1.5V)子富集后,所得阴极溶出峰更敏锐。铟浓度在1.0×10~(-10)~5.0×10~(-7)mol·dm~(-3)间有良好的线性,富集15min,检测限为4.0×10~(-11)mol·dm~(-3)。方法标准偏差及变动系数分别为0.064和8.4%。  相似文献   

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将磺化酞菁钴配合物封装于Y型分子筛中,制备成分子筛改性电极.通过循环伏安法测试,得到磺化酞菁钴/Y复合材料修饰电极的电化学行为主要出现在-0.67 V,-0.27 V和0.55 V三个电位附近,这反映了配合物中不同价态的钴离子之间以及金属钴和配体之间共有三种不同的氧化还原行为;磺化酞菁钴分子在Y型分子筛空腔中其电化学活性仍然存在,但其氧化还原峰电位因受到分子筛结构、骨架效应的影响而发生偏移;封装在Y型分子筛中的CoPc(SO3)4,由于受到分子筛空间效应的影响,平面结构发生扭曲.  相似文献   

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铟—桑色素体系吸附溶出伏安法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对In(Ⅲ)-桑色素配的在悬汞电极上的吸附伏安特性作了研究,确定了电极过程。  相似文献   

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用微分脉冲吸附溶出伏安法测定了利多卡因针剂的含量。在1×10~(-7)~3×10~(-4)mol/l内浓度与波高呈线性关系。最低检测限为1×10~(-8)mol/l。回收率为98.07±0.05%。方法准确、简便、灵敏。  相似文献   

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