CO_2激光照射对大鼠免疫功能的影响

ＣＯ_２激光照射对大鼠免疫功能的影响富光华陈桂英（天津市职工医学院３０００７１）（天津武警医学院）关键词ＣＯ_２激光，免疫功能ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＣＯ_２ＬａｓｅｒＩｒｒａｄｉａｔｉｏｎｏｎＩｍｍｕｎｅＦｕｎｃｔｉｏｎｉｎＲａｔｓ￥ＦｕＧｕａｎｇｈｕａ；?..     

氧气氛中高温超导Y1Ba2Cu3OX靶的激光等离子体光谱强度研究

氧气氛中高温超导Ｙ_１Ｂ_（ａ２）Ｃ_（ｕ３）Ｏ_Ｘ靶的激光等离子体光谱强度研究林波，赵仪，孙爱民，张树东，袁相津（西北师范大学物理系）ＳｔｕｄｙｏｆＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＩｎｔｅｎｓｉｔｙｏｆｔｈｅＬａｓｅｒ－ＩｎｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａｏｆＹ－Ｂａ...     

β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

CO_2激光加中药治疗外痔

ＣＯ_２激光加中药治疗外痔王炳健，周和平（山东滨州第二医院２５６６５１）关键词ＣＯ_２激光，中药，外痔ＣＯ_２ＬａｓｅｒａｎｄＣｈｉｎｅｓｅｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｍｅｄｉｃｉｎｅｃｕｒｅｏｒＥｘｔｅｒｎａｌｈａｅｍｏｒｒｈｏｉｄｅｓ￥ＷａｎｇＢｉｎｇｊ?..     

RuO_2厚膜电阻体的阻值与TCR的关系

ＲｕＯ_２厚膜电阻体方阻Ｒ_ｓ、基片的热膨胀系数ａ_（ｓｕｂ）与ＲｕＯ_２厚膜电阻体的电阻温度系数ＴＣＲ间有一定的关系，讨论了从电阻体的Ｒ_ｓ计算其ＴＣＲ之方法。     

γ-TiAl金属间化合物合金激光熔敷高温自润滑耐磨复合材料涂层

以 Ｎｉ８ＯＣｒ２０、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ａｒ、ＣａＦ_２／ＢａＦ_２四元混合粉末为原材料,利用激光熔敷技术在ｒ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｃｒ－２Ｎｂ表面上制得了以ｒ一ＮｉＣｒ为基体、以初生Ｍ_７Ｃ_３及Ｍ_（２３）Ｃ_６为耐磨相、以弥散分布颗粒Ａｇ、ＣａＦ_２或ＣａＡｇＦ_４为自润滑相的高温自润滑耐磨复合材料涂层,涂层显微硬度大大提高且与基体呈冶金结合。     

激光诱导荧光测量汽油机换气中C_2浓度

用ＸｅＣｌ激光泵浦染料激光器，激发汽油机换气中Ｃ_２自由基３пｕ－３пｇｇ带荧光谱，根据谱线强度，测量了换气中的Ｃ_２浓度（～１０１７ｃｍ－３）；同时研究了汽油机不同空燃比对Ｃ_２浓度的影响。     

复合物p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3)外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２…ＮＨ_３（ＮＤ_３） 的共振双光子电离光谱．光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 ８６．４ ｃｍ~（－１）;由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 Ｓ_１和基态 Ｓ_０的键能 信息．Ａｂ ｉｎｉｔｉｏ　计算表明,ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_５…ＮＨ_３（ＮＤ_３）复合物的几何结构是：ＮＨ_３分子中的 Ｎ 原子位于垂直于ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子环面的对称轴（Ｚ轴）上,距环面的高度为 ０．３５２ｎｍ; ＮＨ_３的 Ｃ_３轴与ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２的对称轴夹角是 ５２．５°;且一个氢原子朝向环面; ＮＨ_３可绕 Ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子 的Ｚ轴近似的自由转动．键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合．     

富勒烯衍生物的超快光限幅特性研究

应用倍频Ｎｄ：ＹＡＧ脉冲激光，在波长为５３２ｎｍ，脉冲宽庶２３ｐｓ的条件下，研究了面式和径式－「双（１，２－二本基膦基）－２」（三羰基）（η＾２－Ｃ６０）铬（ｆａｃ－ａｎｄ ｍｅｒ－「ｂｉｓ（１，２－ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｅｔｈａｎｅ」（ｔｒｉｃａｒｂｏｎｙｌ）η＾２－ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ－Ｃ６０）ｃｈｒｏｍｉｕｍ）的光限幅特性。并应用单重态激发态吸收理论对实验结果进行了分析，实验结果     

智能化脉冲和连续CO_2激光治疗系统

智能化脉冲和连续ＣＯ_２激光治疗系统曲世浦，吴磊，郑庭康，贾锋，范静逸，关奕奕（上海激光技术研究所２００２３３）关键词超脉冲，智能化，ＣＯ＿２激光ＩｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌｉｚｅｄＰｕｌｓｅａｎｄＣＷＣＯ＿２ＬａｓｅｒＴｒｅａｔｍｅｎｔＩｎｓｔｒｕｍｅ?..     

Ⅲ族锢源对LP－MOVPE方法生长In_（1－x）Ga_xAs材料的影响

本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶结构材料测到±２级卫星峰；而对于ＴＭＧ／ＴＭＩｎ源，非故意掺杂载流于浓度为３．１×１０￣１５ｃｍ￣（－３），最窄光致发光峰值半宽为８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶     

C60 LB单分子膜的电光Pockels效应

用电光调制衰减全反射光谱技术研究了Ｃ６０与花生酸混合的ＬＢ单分子膜的Ｐｏｃｋｅｌｓ（普克尔）效应。测量得到Ｃ６０ＬＢ膜的二阶非线性光学系数χ（２）（－ω;ω,０）＝０．５×１０－１２ｍ／Ｖ（１．３×１０－９ｅｓｕ）。这一结果与用光学二次产生测量Ｃ６０热蒸发膜的χ（２）（－２ω;ω,ω）同一数量级。并利用单分子层模型计算了Ｃ６０分子的超极化率为β＝１．１×１０－３０ｅｓｕ。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

小鼠精子发生过程中的Ca￣（2＋）及Ca￣（2＋）－ATPase定位

利用电镜细胞化学方法，定位观察精子发生过程中的Ｃａ￣（２＋）及Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ变化，发现精原细胞的核内外均有弥散性的Ｃａ￣（２＋）分布，精母细胞，圆型精子细胞Ｃａ￣（２＋）主要分布在核膜，线粒体，胞质小囊，内质网，及细胞质膜上；变态期精子Ｃａ￣（２＋）则分布于精子顶体内膜与核膜之间。Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ在精子发生过程中则出现两次，一次是在精母细胞期，另一次是在变态期精子。     

铁基抗高温磨损激光熔覆涂层强韧设计和研究 Ⅱ:Fe-Cr-C-W-Ni激光熔覆层的微观组织及性能

利用ＯＭ、ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了Ｆｅ－Ｃｒ－Ｃ－Ｗ－Ｎｉ激光熔覆涂层熔覆态及其高温时效态的微观组织结构。结果表明激光熔覆层组织细小,具有强韧两相组成（奥氏体和Ｍ_７Ｃ_３碳化物）的微观结构特征,高温时效处理组织中有Ｍ_（２３）Ｃ_６、Ｍ_６Ｃ、Ｍ_２Ｃ等新碳化物形成。显微硬度和冲击磨损实验证实了激光熔覆态和峰值时效态熔覆层均具有良好的力学性能。     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）高温超导薄膜线列探测器的研究

采用准分子激光扫描消融法淀积性能均匀的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－δ）高温超导薄膜，用离子束刻蚀进行器件的图形制备，获得了非均匀性小于１０％的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－δ）高温超导薄膜８元线列探测器．测试了器件在８～１４μｍ波段的性能及光响应特性，单元探测器为４０×１００μｍ２的微桥结构．器件的平均归一化探测率为１．４４×１０９ｃｍＨｚ１／２ｗ－１，平均噪声等效功率为４．４×１０－１２ＷＨｚ－１／２，Ｄ的非均匀性小于１０％．研究结果表明：该线列探测器具有良好的均匀性，证实了该工艺适用于制备均匀性良好的高温超导薄膜红外探测器阵列．     

Cs2NaYX6（X=Cl,Br）中Cr^3＋的d—d电子光谱和EPRg因子的研究

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｓ２ＮａＹＸ６（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ）;Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲｇ因子,计算表明,配体Ｂｒ４ｐ轨道对络离子（ＣｒＢｒ６）＾３－ＥＰＲｇ因卫的贡献不应忽略。解释了Ｃｓ２ＮａＹＢｒ６：Ｃｒ＾３＋的ｇ因子移动为正值的疑惑。     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。