128×64点阵式OLED的驱动电路

我们设计了一种有机电致发光显示器的驱动电路,可用于128×64的点阵显示屏.该电路采用脉宽调制方法来实现64级灰度,并利用数模转换方法来实现恒流输出的可编程控制,其动态扫描的占空比为1/64.     

128×128 IRFPA CMOS读出电路

研制出一种直接注入(Direct Injection)方式的128×128元红外焦平面CMOS读出电路.其中,采用了相关双采样电路,使信噪比明显提高.对电路方案进行了计算机仿真.实验结果表明,读出电路的动态范围≥74 dB,功耗≤5 mW.     

128×128元IRCCD成像技术

研制成功了１２８×１２８元ＰｔｓｉＩＲＣＣＤ，获得了清晰的室温目标热像。文章叙述了该摄像机驱动逻辑电路的设计、驱动方式的研究和视频信号、数字信号的处理。     

128×128阵列MAMA器件

介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极,三块微通道板及近贴聚焦等先进技术。脉冲上升时间为０．３ｎｓ,单光子计数率为２×１０＾５／ｓ等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。     

128×128元红外凝视成象系统

本文简述在成功研制出国內首台应用焦平面技术的红外凝视式热象仪——IR-64N热象仪的基础上,采用机电部44所研制的128×128元硅化铂红外电荷耦合器件(PtSi IRCCD)、研制成功具有实用性的128×128元凝视成象系统,简述系统结构,给出系统性能指标和指出其应用前景。     

新型低功耗128×128红外读出电路设计

文中介绍了一种新型的128×128红外读出电路中的低功耗设计,包括像素级和列读出级两部分.在像素级设计中,提出了一种新型四像素共用反馈放大器(Quad-Share Buffered Injection,QSBDI)的结构:每个像素的平均功耗为500nW,放大器引入的功耗降低了30%,同时使像素FPN只来源于局部失配.列读出级采用新型主从两级放大列读出结构,其中主放大器完成电荷到电压的转换,从放大器驱动输出总线来满足一定的读出速度.通过SPICE仿真发现,与传统列电荷放大器结构相比,新型结构可节省60%的功耗.     

数据加密机DC64F

数据加密机ＤＣ６４Ｆ美国雷卡（ＲＡＣＡＬ）数据通信公司推出的帧中继数据加密机ＤＣ６４Ｆ，是基于点对点的通信方式，它可保护帧中继通信中的传送数据安全。并可有效地在公用网络中建立起虚拟专用网。数据在传送前加密，在接收后解密，传送过程中控制信息及路由信息不...     

128×128 element PtSi infrared CCD image sensor

A new 128×128 element PtSi Schottky barrier infrared image sensor with ITCCD readout structure and PtSi thin film optical cavity detector structure has been fabricated,which has 50μm×50 μm pixels,a fill factor of 40 percent,the nonuniformity of 5% or less and the dynamic range of over or equal to 50 dB.The noise equivalent temperature difference is 0.2 K with f/1.0 optics at 300 K background. In this paper,the principle of operation,design consideration and fabrication technology for the device are described.     

我国研制成功128×128元红外焦平面列阵

重庆光电技术研究所研制成功128×128元铂硅肖特基势垒红外焦平面列阵,并于1990年4月27日     

128×128 element PtSi infrared CCD image sensor

１２８×１２８ｅｌｅｍｅｎｔＰｔＳｉｉｎｆｒａｒｅｄＣＣＤｉｍａｇｅｓｅｎｓｏｒＹＡＮＧＪｉａｄｅ；ＬＩＵＪｕｎｇａｎｇ；ＬＩＺｕｏｊｉｎ；ＹＡＮＧＹａｓｈｅｎｇ（ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｕｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｙ...     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波(SW/MW)双色碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为(50×50)μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率Dλ*p分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波（SW/MW）双色碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面探测器（infrared focal plane arrays, IRFPAs）的研究成果.基于由采用分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的ppPN型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路（Readout Integrated Circuit,ROIC）混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为（50×50）μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率D*λp分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011 cmHz1/2/W.     

一个128×128CMOS快照模式焦平面读出电路设计

本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构——DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容C_bus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm²,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.     

128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件的研制

采用2 μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件.介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果.     

长波128×128元砷化镓量子阱红外光电探测器

讨论了量子阱红外光电探测器的器件物理学和探测性能。在这些结果的基础上,制造了128×128元大面积二维阵列,并测量了其性能。优异的长波成象结果(99％的象素工作,噪声等效温差NE△T=10mK)显示出这种新型砷化镓量子阱红外光电探测器工艺的潜力。     

64×64元InSb阵列CMOS读出电路

根据64×64元InSb红外探测器对读出电路的要求,运用电路模拟和CAD技术,设计并研制了以X-Y寻址方式的64×64元InSb红外探测器用信号读出电路。文章重点介绍了64×64元InSb阵列CMOS读出电路的工作原理和设计考虑。     

128×128红外焦平面阵列时序分析与温控电路设计

介绍了微测辐射热计的 12 8× 12 8凝视型非致冷红外热像仪的系统框图 ,论述了一种新型的红外焦平面阵列温控电路设计方案以及读出电路时序的FPGA实现方法 .该方案具有高集成度、高精度、低成本、布线简单等优点 ,为热像仪系统的研制开发提供了设计思想 .     

128×128元焦平面阵列摄出清晰红外图像

重庆光电技术研究所在成功地研制32×64元和64×64元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列的基础上,又成功地研制成128×128元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列,并于1990年4月27日用该焦平面阵列摄出了极为清晰的.