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研究了ZnO-SnO2-Cr2O3系半导体陶瓷在高温下的湿敏特性,根据实验结果,对其敏感机理进行了探讨。 相似文献
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本文介绍了用金属氧化物陶恣材料制成的湿敏元件及其感湿特性,对陶恣材料的结构以及元件的感湿特性与陶材料结构的关系进行了初步的探讨。 相似文献
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SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验是在单晶硅片上热生长一层SiO2,然后用真空淀积的方法获得一层超微粒SnO2薄膜,通过对SnO2/SiO2薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于SnO2薄膜和SiO2薄膜,测湿范围明显展宽。 相似文献
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MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏机理的探讨 总被引:3,自引:0,他引:3
半导瓷湿度传感器已经得到了广泛的应用,但是关于感湿机理的探讨尚未解决。本文对MgCr_2~-O_4~--TiO_2~-系湿敏陶瓷的感湿机理进行了详细的研究。根据一系列实验事实,提出了电子-离子共同导电的湿敏机理,该机理能够完善地解释湿敏特性。 相似文献
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PbCrO4-V2O5系陶瓷湿敏电阻材料初探 总被引:1,自引:0,他引:1
报导了在体控型湿敏材料PbCrO4中引入V2O5的研究结果。实验表明,随着V2O5含量的增加,材料在低温范围内感湿灵敏度下降,当PbCrO4与V2O5的摩尔比为1:1时,材料几乎失去感湿特性,当比例为1:0.3时,在温度为40 ̄80℃相对湿度为30% ̄90%RH的范围内,材料的湿阻特性几乎与温度无关,据此有可能制备不加温度补偿即可直接使用的湿度传感器。 相似文献
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通过水热法制备了粒状和片状两种不同形貌的ZnO,以这两种形貌的ZnO修饰QCM作为湿度传感器,结合饱和盐溶液法(相对湿度:11%~95%RH)和H2O分子在ZnO上的吸/脱附机制对此新型压电传感器的湿敏性能(线性度、响应时间和回复时间)进行评价和研究.实验结果表明:粒状ZnO修饰的QCM传感器相较于片状ZnO修饰的QCM传感器线性度更好,响应时间和恢复时间更短,且该型传感器在低湿条件(33%,55% RH)恢复时间大于响应时间而在高湿条件(75%,85%,95% RH)恢复时间小于响应时间.实验和理论研究说明:ZnO微观形貌对该型传感器湿敏性能至关重要,而H2O分子在ZnO上的吸/脱附机制决定了其恢复/响应时间随湿度变化的技术特点. 相似文献
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湿敏电阻器本体电阻对线性度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过理论推导 ,获知了湿敏电阻器的感湿特性曲线与拟合直线之间的偏差随其本体电阻的变化关系。由此可知 ,当感湿特性曲线位于电阻 -湿度平面上某个确定的区域内时 ,可通过增加本体电阻以改善线性度 ;而位于该区域外时 ,应减小本体电阻。 相似文献
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