环氧模塑料在半导体封装中的应用

环氧模塑料是一种重要的微电子封装材料,是决定最终封装性能的主要材料之一,具有低成本和高生产效率等优点,目前已经成为半导体封装不可或缺的重要材料。本文简单介绍了环氧模塑料在半导体封装中的重要作用和地位;分析了环氧模塑料性能对半导体封装的影响,并对不同半导体封装对环氧模塑料的不同要求进行了分析;最后展望半导体封装和环氧模塑料的未来发展趋势,以及汉高华威公司在新产品开发中的方向。     

应用纳米结构模板的单晶半导体材料制作工艺

制作单晶半导体材料的方法由以下部分组成:提供模板材料;在模板材料上覆盖掩膜;用掩膜在模板材料内形成纳米结构的多元化;向纳米结构生长单晶半导体材料     

浅说半导体封装材料

本文阐述了半导体封装材料的进展情况,其中包括半导体封装材料市场在整个电子材料市场中所占的比例,以及半导体封装材料随半导体封装产业的发展所取得的研究成果。     

第三代半导体材料发展前景分析

半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导体材料的特性、国内外研发趋势、现存问题,为第三代半导体材料发展提供改进对策,为第三代半导体材料发展前景提供参考。     

准零维量子点激光器的发展瓶颈

近年来半导体材料主要朝两个方向发展:一方面是材料工程,即通过不断探索扩展新的半导体材料实现;另一方面是能带工程,即通过改变已知材料的维度进而实现能带的调节。准零维半导体量子点就是通过改变其尺寸调控能带的典型代表。主要论述了准零维量子点激光器发展过程中遇到的一些瓶颈问题。     

1984年日本半导体设备展览会概况

<正>SEMI(Semiconductor Equipment and Materials Institute)——半导体设备及材料协会,1970年成立于美国加里福尼亚州,该协会的宗旨是开展以半导体设备及材料为主要内容的展览、贸易、技术交流等活动,交流世界半导体设备、材料及产品的现状和动向,促进半导体工业的发展.     

半导体材料研究的新进展

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.     

苏联的半导体物理研究

<正> 苏联很重视基础理论的研究,“理论至上”的风气很浓。在半导体物理方面,苏联基本上达到了最新的高度。他们的课题,处于当代半导体物理研究阵地的前沿。近年来,苏联半导体物理界集中研究了半导体性质、半导体表面、各种半导体新材料、异质结、Ⅲ-Ⅴ族化合物、多元化合物、固溶体、半导体掺杂、半导体材料的质量控制、各种掺杂半导体的性质、各种单晶中的缺陷、各种金属向非金属材料中的扩散、各种化合物的热学性质、影响晶体的各种因素、无机材料的微观结构和特点、各种粒子辐射对半导体性质的影响等。例如:     

稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展

GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除Gd以外的稀土离子掺杂GaN基稀磁半导体材料中的铁磁性,以及共掺杂对GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的影响。目前,GaN基稀磁半导体材料的铁磁性仍无法满足半导体电子自旋器件的要求。共掺杂工艺可以有效地解决稀土离子掺杂引入的较大晶格应变,促进自旋电子之间的交互作用,是一种改善GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的有效途径。     

氢敏材料的研究进展

按照不同工作原理,分别介绍了电化学型、半导体型和光学型3类氢敏材料的国内外研究进展;主要讨论了掺杂等改性方法对提高半导体型和光学型氢敏材料的选择性、灵敏度等方面的影响。展望了氢敏材料的发展方向。     

混合电导陶瓷材料研究进展

一些氧化物具有良好的离子导电性能和电子导电性能，这种物质被称为混合离子一电子导体，即混合电导材料。此类材料可以是单相材料，也可以是复相材料。通常制成薄膜状或管状，用于固体氧化物燃料电池和氧传感器的电极材料，也可以作为透氧膜材料。文中介绍了混合电导材料的结构、粉料及坯体的制备方法及应用，展望了今后的发展方向。     

微波在非金属材料无损检测中的应用

介绍了微波用于复合材料和其它非金属材料检测的特点。详细说明了介电常数测量、复合材料湿度测量、介电材料内部金属和气隙探测以及介电材料厚度测量等典型应用的方法、机理和装置。指出了要解决的问题和发展潜力。     

La基高k栅介质的研究进展

SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。     

Opportunities and Challenges in Precise Synthesis of Transition Metal Single-Atom Supported by 2D Materials as Catalysts toward Oxygen Reduction Reaction

Transition metal single-atom catalysts (SACs) are currently a hot area of research in the field of electrocatalytic oxygen reduction reaction (ORR). In this review, the recent advances in transition metal single-atom supported by 2D materials as catalysts for ORR with high performance are reported. Due to their large surface area, uniformly exposed lattice plane, and adjustable electronic state, 2D materials are ideal supporting materials for exploring ORR active sites and surface reactions. The rational design principles and synthetic strategies of transition metal SACs supported by 2D materials are systematically introduced while the identification of active sites, their possible catalytic mechanisms as well as the perspectives on the future of transition metal SACs supported by 2D materials for ORR applications are discussed. Finally, according to the current development trend of ORR catalysts, the future opportunities and challenges of transition metal SACs supported by 2D materials are summarized.     

半导体材料辐射效应的表征与分析

在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效.其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累.表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、分布等信息,是半导体材料辐射效应研究的重要内容.从辐射致缺陷微观形貌、结构特征,及其引起的宏观电效应三方面,归纳总结了几种重要的半导体材料辐射效应的表征和分析方法,分析了每种方法的优缺点及适用范围,并指出半导体材料辐射效应表征与分析技术发展的方向,可为电子器件、半导体材料辐射效应领域的研究人员提供参考.     

One‐Pot Synthesis of Framework Porphyrin Materials and Their Applications in Bifunctional Oxygen Electrocatalysis

Organic framework materials constructed by covalently linking organic building blocks into framework structures are highly regarded as paragons to precisely control the material structure at the atomic level. Herein, a direct synthesis methodology is proposed as a guidance for the bulk synthesis of organic framework materials. Framework porphyrin (POF) materials are one‐pot synthesized to demonstrate the advances of the direct synthesis methodology. The as‐synthesized POF materials are intrinsically 2D and exhibit impressive versatility in composition, structure, morphology, and function, delivering a free‐standing POF film, hybrids of POF and nanocarbon, and cobalt‐coordinated POF. When applied as electrocatalysts for oxygen reduction reaction and oxygen evolution reaction, the cobalt‐coordinated POF exhibits excellent bifunctional electrocatalytic performances comparable with noble‐metal‐based electrocatalysts. The direct synthesis methodology and resultant POF materials demonstrate the ability of controlling materials at the atomic level for energy electrocatalysis.     

红外隐身材料的研究现状与进展

红外探测系统的快速发展促进了对红外隐身材料的广泛研究。红外隐身材料主要是对目标的红外辐射能进行调控,主要措施是控制目标表面红外发射率和目标表面温度,使目标与背景环境的辐射能相融合,进而达到隐身的目的。概述了红外隐身的基本原理,综述了低发射率涂层材料、控温涂层材料和智能隐身材料等红外隐身材料近几年的国内外研究现状,并展望了红外隐身材料的未来。     

Dielectric materials, devices, and circuits

Dielectric materials are continuing to play a very important role in the microwave communication systems. These materials are key in realization of low-loss temperature-stable resonators and filters for satellite and broadcasting equipment, and in many other microwave devices. High dielectric-constant materials are critical to the miniaturization of wireless systems, both for the terminals and base-stations, as well as for handsets. In this paper, a sequential evolution of the dielectric materials applications in microwave devices will be reviewed. This includes dielectric waveguides, low-loss temperature-stable ceramic materials, dielectric resonators, and filters. The recent advances in the multilayer circuit modules, dielectric antennas, and ferroelectrics are also described     

离子束合成SIMOX技术的进展

综述了离子束科学技术领域新的重要进展－－从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术，讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及ＳＩＭＯＸ技术的多种应用，提出了提高ＳＩＭＯＸ材料性能的各种途径。