干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

SnO2-MgO-Nb2O5压敏材料系电学性质研究

对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为１４０￣６００,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到６．３。     

Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响

研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响，适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能，使其击穿电场强度达326V／mm，漏电流小于1μA，非线性系数α值达107，通流量高达4kA/cm^2。     

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

Mn掺杂的SnO2·ZnO·Nb2O5压敏材料

研究了MnCO3掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料压敏-介电性能的影响,研究中发现,掺入x(MnCO3)为0.08%的样品显示出最高的非线性系数(α=8.2),最高的势垒高度(φB=1.11eV),最高的击穿电场(E=466.67V/mm)。研究中同时发现,SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料的相对介电常数在573～673K间出现峰值,峰值随MnCO3掺入量的增加而增大,掺入x(MnCO3)为0.3%的样品在593K时,显示出最高的相对介电常数(εr=1.886×104)。     

LiCe掺杂对铋层材料K0．5Bi2．5Nb2O9的影响

用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。     

TiO2添加对Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响

研究了添加不同含量的TiO2到β-Bi2O3-ZnO-Nb2O5（β-BZN）中，同时减少相应的Bi2O3的含量对BZN介质材料结构和性能的影响。研究表明，TiO2添加到β-BZN中，材料的结构和性能都有很大的变化，主要表现在随着TiO2添加量的增加，材料的相结构发生了变化，由低对称的单斜焦绿石结构β相转变为高对称的立方焦绿石结构α相，因而材料在微波频段下的介电性能发生了较大的变化，介电常数比纯β-BZN有了显著提高，且随着TiO2含量的增加，介电常数先增加后减少，温度系数则由正温度系数转变为负温度系数。     

Ta2O5高温相结构

半导体工业致力于在单位面积／体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件寻投高介电系数物疆是半导体工业达到上述目标的必经之路．Ta2O5系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一．然而，由于获得高质量的单晶材料非常困难，Ta2O5高温相的结构依然尚有争论，本研究用电子显微学的方法（TEM、CBED、HREM）研究了激光法台成的高介电系数陶瓷，     

xPb（Y1／2Nb1／2）O3—（1—x）Pb（Zr1／2Ti1／2）O3铁电陶瓷性能研究

系统地研究了xPb(Y1/2Nb1/2)O3-(1-x)Pb(Zr1/2Ti/2)O3三元系铁电陶瓷材料,测量并计算了不同组分时的压电常数(d33)、介电常数(εT33/ε0)、机电耦合系数(kp、k31)、以及弹性柔顺系数(sK11、sE12、sK33),对0.07Pb(Y1/2Nb1/2)O3-0.93Pb(Z[1/2Ti1/2)O3材料,D33为327×10-12C/N,介电常数εT33/ε0为1350,机电耦合系数kp大于0.6,弹性常数SE11和SE33均大于17×10-12m2/N.实现发现,当x大于0.55时,xPb(Y1/2Nb1/2)O3-(1-x)Pb(Zr1/2T11/2)O3不再是铁电材料.     

Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响

研究Ta2O5对（Sr，Bt，St，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响，发现随着Ta2O5增加，晶粒电阻呈现“U”字型变化规律，按照配方TiO2＋0．3％（SrCO3＋Bt2O3＋SiO2）＋0．1%Ta2O5（摩尔分数）配制的样品的晶粒电阻最小，这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。     

MgxNi1-xMn2O4薄膜结构与电学特性研究

采用化学溶液沉积法在Al_2O_3衬底上生长了Mg_xNi_(1-x)Mn_2O_4(MNM,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜.通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响,MNM薄膜均匀致密,具有良好的结晶性,为单一立方尖晶石结构.变温电流-电压特性研究显示,MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型,同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率ρ、特征温度T_0和电阻温度系数α.研究结果表明,Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响.     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜,X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的FV测试结果表明暗电流在10-8～10-7A之间,α粒子(241Am 5.5MeV)辐照下电流为10-5～10-4A.     

制备工艺对Fe2O3-MnO2-CuO系常温红外辐射材料结构及发射率的影响

在不同温度下采用缓冷、急冷、淬冷的方法合成铁氧体尖晶石,比较其晶体的晶格畸变系数以及在常温下8μm～14μm波段发射率的大小差异,找到合成高发射率铁氧体尖晶石的较佳制备工艺.研究表明:在1090℃急冷条件下得到的铁氧体尖晶石发射率达到了最高0.936,形成了反尖晶石结构和混合型结构的尖晶石,并且得出在此温度下的急冷处理得到的晶格畸变系数达到最大.     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜，并制作梳状电极的α粒子探测器．通过优化薄膜生长条件，发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时，金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜，X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的I-V测试结果表明暗电流在1e－8～1e－7A之间，α粒子（241Am 5.5MeV）辐照下电流为1e－5～1e－4A．     

掺Pb[(Y1/2Nb1/2)0.06(Zr1/2Ti1/2)0.94]O3铁电陶瓷的性能

研究了ＭｎＯ２、ＭｇＯ 掺杂的０．０６Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－０．９４Ｐｂ（Ｚｒ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３ 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数;获得掺杂物与这些性能之间的关系;对实验现象进行了简单的讨论,得出一些有益的结论     

Bi2O3添加剂对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5介电性能的影响

以Bi2O3为添加剂，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(α1)以及密度随Bi2O3含量的变化关系.结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi-O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大.     

O2 XDA Phone

前所未有的视觉新体验。由HTC为欧洲著名运营商O2生产的XDA Phone的最大特色是采用了分辨率达到240 ×320像素65536色TFT屏幕。而在一些硬件配置上,该款产品也可以说是达到了直板手机的颠峰。该机同样内置TI公司生产的195 MHz OMAP 850处理器,拥有64MB的RAM和64MB的ROM,并且该机搭载的也是最新的Windows Mobile 5.0操作系统,提供更为强大的功能应用及扩展性。     

M-AUDIO O2电子琴

虽然M-AUDIO O2在功能上较之M-AUDIO公司的其他同类产品并未有太大的变化，但在外观设计上，O2摆脱了繁冗的操控键以及琴键，而改用了整齐排列的可调控式按键：8个旋扭、8个按键，并简化了琴键数。如此设计使得操作简单易行。此外，O2即插即用的特性，为O2与电脑的连接提供了便利。