半导体光电器件应用专集

半导体光电器件主要指光发射器件和各种光传感器。前者主要有各种波长的半导体激光器、发光二极管以及以它们为主体的组件和集成器件;后者包括有以光电二极管、雪崩光电二极管为主的各类光电探测器、电荷耦合器件、液晶传感器以及包含有这些器件的组件等。近几年来,这些光电子器件的理论研究非常活跃,器件制造工艺由于和半导体电子器件相容,因此器件的生产和应用都有了很大发展。半导体光电子器件的应用领域非常广泛,由它们组成的光纤传输系统比同轴电缆有损耗低、宽带快速、抗电磁干扰等优点,因此在通讯网路、数据网路、工     

脑机接口技术的基础研究：神经元与二极管

随着微电子学与光电子学进入“后摩尔时代”，高性能光电器件与生物系统的融合逐渐成为一个重要的发展方向。采用高性能半导体光电器件和系统解决神经科学领域面临的技术难题，尤其是借助光学、电学等手段对神经信号进行调控和传感，受到了越来越广泛的关注。本综述论文以电子工程领域的基本单元之一——二极管与神经科学领域的基本单元——神经元之间的相互作用为切入点，总结了本课题组近年来的代表性研究工作。通过对材料器件进行设计和加工，实现了生物相容的植入式光电器件。这些光电器件通过光电信号的转换与神经信号相互作用，可以实现对生物细胞、组织和活体系统的光遗传学调控、无线光电刺激、原位荧光检测和光电传感等功能。这些新型的光电器件技术对于基础神经科学研究和神经疾病诊疗都具有重要意义。     

光纤通信和半导体光电器件的发展概况

本文对光纤通信和半导体长波长光电器件作了评述.介绍了光纤通信的发展概况及其前景,其中重点介绍了光纤市话中继系统和长途干线通信系统以及未来的光纤通信、超长波长光纤通信、超外差光纤通信、全光通信等.本文还介绍了半导体长波长光电器件及其国内外发展概况.     

重庆光电技术研究所简介

重庆光电技术研究所简介重庆光电技术研究所是国内专门从事半导体光电器件及其应用技术研制和开发的研究所，１９６９年底始建于重庆市永川境内，１９９６年１０月搬迁至重庆市南坪。重庆光电技术研究所主要从事电荷耦合器件（ＣＣＤ）、红外焦平面器件、半导体光发射器件...     

光电耦合器的发展及应用

半导体光电耦合器现已发展成为一类特殊的半导体隔离器件。它体积小、寿命长、无触点、抗干扰、能隔离，并且有单向信号传输和容易连接等功能。文中介绍了光电耦合器的典型结构和特点以及国内外的发展现状，最后给出了半导休光电隔离耦合器件的多种应用电路实例。     

光电器件及光电集成发展

1.光电器件的发展 光电子器件技术是推动光纤通信技术发展的核心技术。它经历了分立元件—组件—模块—光集成和光电集成的发展过程。在第一代点对点光通信系统中采用的主要光器件有半导体激光器、光纤、,连接器和光检测器。随着光电器件性能的提高及新功能光电器件的商用化,第二代大容量光通信系统也已得到广泛应用。在第二代光通信系统中除了第一代系统的光电器件外,还加进了合/分波器、光放大器、低速光开关和外调制器等。     

用于外形参数诊断的三维系统的设计与应用

首先分析了半导体光电位置敏感器件（PSD）的工作过程。利用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件，设计了一种三维非接触高精度的光学测量系统。该系统根据定位于被测量物体上直角坐标系的格线，生成该物体的外形，从而用于不规则三维体多种参数的测量和诊断。该系统使用了光学装置，特别适用于不规则形状尤其是边缘形状的图形的精确测量和探测，测量出的数据对于研究和诊断皮肤损伤的形态，特征和类型之间的关系等有很高的价值，应用前景非常广阔。     

半导体集成光学技术

半导体集成光学器件,或者更广泛地说成半导体集成光电器件,愈来愈引人注目,这主要是由于它有利于: (1)降低成本和大批量生产; (2)高可靠性和小型化; (3)改善速度和噪声特性; (4)实现光学外差探测系统,光学开关系统和光学处理器等新的功能器件。目前,在半导体芯片上制造集成光电器件的可行性已由LD/FET,LD/HBT,PD/FET,LD/modulator等的研制成功而得到证     

半导体光电薄膜的分析和检测

半导体光电薄膜的制备,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。文章介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备的发展现状。     

可作光子计数的雪崩光电二极管

对于光电倍增管不适用的高灵敏度弱光探测应用，存在一种固体替代器件，即雪崩光电二极管。这种器件在半导体内产生光电倍增，而光电倍增管在真空中产生电子倍增。雪崩光电二极管具有与半导体技术有关的微型化优点。由于这种器件能对单光子计数和探测很短时间间隔，它们已在光雷达、测距仪探测器和超灵敏光谱学方面找到日益增长的应用。另外，雪崩光电二极管在光纤通讯方面正与PIN光电二极管相竞争。雪崩光电二极管如何工作与任何光电二极管，样，雪崩光电二极管中由两类半导体组成的p-n结只允许电流在一个方向流动。光电二极管由一个掺有…     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号，是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理，旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

半导体光敏管、光电耦合器频率特性的测试

前言频率特性,是半导体光电探测器的重要参数之一。它标志着器件对入射光的反应速度,决定了器件使用时的频率极限,为研制者们所重视,也为使用者们所关心。本文以实际工作为依据,介绍半导体光敏二、三极管和光电耦合器频率响应特性的测试系统、方法和结果。     

全国化合物半导体、微波器和光电器件学术会议成功举行

第十一届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议于2000年10月31日至11月4日在海南省海口市召开。来自全国科研院所、大专院校和工矿企业公司等39个单位共140多名专家、学者和企业家参加了本次学术交流会议。这次会议共发表了121篇论文,内容涵盖材料生长与测试、高速电子与微波器件、光电器件与测试、其它等四部分。会议的精彩报告全面、充分地反映了当前国内外化合物半导体、微波器件与光电器件领域的欣欣向荣景象,受到了与会代表的热烈欢迎。与此同时,参加这次会议的专家、学者和企业家共聚一堂,对化合物半导体、微波器件与光…     

基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

半导体量子阱（QW）次带间跃迁（ISB-T）有超快弛豫时间、大跃迁偶极矩和跃迁波长可调谐性大等优点。在级联激光器、光电探测器和光学开关等光电器件中ISB-T应用很普遍。全光开关对于100Gbit/s或更高比特率的光学时分复用（OTDM）通信系统的研发很重要。ISB-T的应用极具吸引力，因为它能消除慢载体复合寿命(纳秒)的影响，慢载体复合寿命限制普通以半导体为基础光电器件的工作速度。为了ISB-T的这种应用，先决条件是演示皮秒以及飞秒范围的超快开关时间，和包括1.55靘在内的通信带的工作波长。在飞秒技术研究项目里，最近由于引进…     

C_（60）－有机半导体异质结

讨论了Ｃ６０作为一种有机半导体材料，与聚合物半导体和有机化合物半导体构成的异质结的一些基本特性，分析了这种结构在半导体光电器件中的潜在应用价值。     

微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统

叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

光电子集成器件

以光通信应用为中心,研制了激光器,发光二极管,光探测器等半导体光电器件,并且已经用于很多实用化系统。要使这些发光,和探测器件工作,必须要有驱动电路和放大电路。由于半导体光电器件和电子电路之间的互连会直接影响到响应速度和噪声特性,所以这是在系统结构方面必须注意的问题之一。在力求解决这种光一电互连问题的同时,考虑并提出了一种性能更高,功能更多的新一代器件,这就是光电子集成电路。     

用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性

本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路（ＭＩＭＩＣ）的时域特性和频域特性．阐述了该方法的原理及优越性，对时域波形进行了分析和修正．并利用ＦＦＴ技术将时域波形转换为频域图形，得到半导体微波器件的Ｓ参数．我们建立的系统测量可达１００ＧＨｚ以上     

基于高速SOC单片机的面阵CCD驱动电路设计

电荷耦合器件（CCD）是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。近年来,CCD器件在图像传感和非接触测量领域的发展迅速。CCD芯片的转换效率、信噪比等光电转换特性只有在合适的时序驱动下,才能达到器件工艺设计所规定的最优值,输出稳定可靠的视频信号。因此,产生严格的CCD驱动时序,是成功设计CCD测量系统的先决条件。