改进型3IDT-LCR结构的低损耗小矩形系数SAW滤波器

通过理论仿真,该文研制了一种改进型的3IDT-LCR结构,并基于该结构在42°Y-X LiTaO₃压电基片上研制出一种低损耗、小矩形系数的SAW滤波器。滤波器标称频率为253.75 MHz,实测插入损耗1.05 dB,低端带外抑制接近80 dB,高端带外抑制接近65 dB,-1 dB带宽10.52 MHz,-3 dB带宽12.54 MHz,-40 dB带宽16.68 MHz,矩形系数1.33。实测结果表明,该改进型3IDT-LCR结构的SAW滤波器具备低插入损耗、小矩形系数和高带外抑制的特点。     

第二代北斗客户端用射频声表面波滤波器的研制

介绍了一种可满足第二代北斗客户端用B3波段载频滤波的声表面波(SAW)射频滤波器。该滤波器采用“5换能器纵向耦合结构+谐振器”的混合型设计方案,在充分考虑了SMD3030A封装及键合引线寄生影响后,成功研制出-1 dB带宽35 MHz、插入损耗2.2 dB、矩形系数1.9的滤波器产品。结果表明,仿真与实测吻合性较好,证明了该设计方案的可行性。     

蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)

研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。     

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。     

平坦通带高频纵向耦合谐振滤波器的研制

应用耦合膜理论,重点研究了纵向耦合谐振滤波器耦合换能器与输入/输出换能器间距对纵向耦合谐振滤波器通带波纹的影响,探讨了制作纵向耦合谐振滤波器中金属铝的干法刻蚀工艺。基于理论模拟得出的结论,文中给出了中心频率为900MHz纵向耦合谐振滤波器频率响应的计算模拟结果和实验测试数据。测得1dB带宽25.9MHz,3dB带宽28.7MHz,阻带抑制达到50dB,插入损耗3.85dB,通带波纹小于0.7dB。实验结果与理论分析相吻合。     

用于频率合成的声表面波滤波器

介绍了几组用于扩频系统的声表面波滤波器的设计、制作和实验结果.器件频率为95～350MHz.插入损耗为9～24dB.阻带抑制优于45dB.     

用于移动通信中的超小型SAW滤波器

松下电子工业有限公司研制出一种用于800－900MHz波段移动通信的低损耗声表面波（SAW）滤波器，其体积仅4．5×4．5×1．6mm。这种可用表面安装技术（SMT）的器件只有4dB的插入损耗，却有17－30MHz的带通。这种SAW滤波器的衬底为钽酸锂，其电极是以效率最佳的极精确的等效电路模型为基础。这种性能极佳的超小型器件采用陶瓷封装。本文将描述其主要的性能和特点。     

小型化高阻带抑制声表面波滤波器组件设计

基于声表面波(SAW)滤波器技术,采用两级滤波器级联、滤波器环绕开关、多通道抗干扰布局等方法,实现了一种小型化、高阻带抑制组件的研制。实验结果表明,研制的多通道滤波组件尺寸为18 mm×15 mm×5 mm,其-3 dB带宽大于48 MHz,插入损耗小于7 dB,带内幅度波动小于1.5 dB,近端阻带抑制大于70 dBc,具有很好的实用性。     

基于纵向耦合结构的宽带声表面波滤波器设计

基于纵向耦合五换能器结构,采用41°-YX-LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.5 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗-3 dB,相对带宽达到10.1%,矩形系数小于2.5,阻带抑制大于40 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器

该文介绍了一种双声通道纵向耦合结构的高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。利用有限元仿真研究了AT石英材料上高声速的声表面横波与浅体声波的激励情况,并进行了浅体声波抑制研究。通过调节叉指换能器金属化比,大幅降低了浅体声波对滤波器阻带抑制的影响,并制作出中心频率为1 220 MHz,插入损耗为5 dB、1 dB带宽700 kHz、阻带抑制50 dB的低损耗高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。     

A 5.2-GHz GaInP/GaAs HBT double-quadrature downconverter with polyphase filters for 40-dB image rejection

A 5.2-GHz 11-dB gain, IP/sub 1 dB/=-17 dBm and IIP/sub 3/=-10 dBm double-quadrature Gilbert downconversion mixer with polyphase filters is demonstrated by using GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) technology. The image rejection ratio is better than 40 dB when LO=5.17 GHz and intermediate frequency (IF) is in the range of 15 MHz to 40 MHz. The Gilbert downconverter has four-stage RC-CR IF polyphase filters for image rejection. Polyphase filters are also used to generate local (LO) and radio frequency (RF) quadrature signals around 5 GHz in the double-quadrature downconverter because GaAs has accurate thin film resistors and the low parasitic semi-insulating substrate.     

宽带低杂散LFM信号的产生方法与系统设计

针对宽带雷达线性调频信号产生,采用FPGA电路和宽带DAC电路直接产生50 MHz~550 MHz 的线性调频中频信号。将中频信号上变频到2 GHz~2. 5 GHz 的射频频段,再经过2 倍频获得4 GHz~5 GHz的宽频带线性调频信号。为进一步提高射频输出信号的幅度/相位特性,采用幅/相预失真校准方法,并精心设计信号产生系统的中频电路和射频电路,进行了实验研究与分析。对实际系统的测试结果表明,系统产生LFM信号的带外杂散优于-55 dB,带内起伏小于依2 dB,且系统稳定、可靠。     

一些声表面波器件的市场应用及发展

简明阐述了声表面波(SAW)器件的一些应用和新发展,并例举了表贴SAW射频、中频滤波器在北美CDMA/PCS双模制式终端内的典型应用,分别对比了国内外供应商推向CDMA系统的SAW 69.99 MHz和114.99 MHz中频滤波器及终端Rx用881.5 MHz SAW射频表贴滤波器的性能指标,并提出了一些意见和看法。     

高频低损耗声表面波滤波器研制

回顾了低损耗声表面波滤波器的主要设计方法，介绍了镜像阻抗连接换能器结构中调整滤波器带宽的设计技术，给出了在９６０ＭＨｚ高频下的两种试验结果，相对带宽分别为１％和２％，插入损耗小于５ｄＢ，阻带抑制优于５０ｄＢ。     

一种高线性的UWB接收机下变频混频器设计

该文介绍了一种UWB下变频混频器的设计思路和技术。在TSMC0.18μmCMOS工艺下,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种3~5GHz的CMOS混频器电路。仿真结果表明,工作电压3V时,RF频率为3.169GHz,本振频率为3.434GHz,中频频率为265MHz,转换增益为15.4dB,双边带噪声系数低于13.3dB,P1dB压缩点为-13dBm,工作电流为4.6mA。     

Gilbert multiplier as an active mixer with conversion gain bandwidth of up to 17 GHz

A monolithically integrated mixer based on a Gilbert cell multiplier for ultra-broadband applications has been produced in self-aligning 1 mu m silicon bipolar technology. Positive power conversion gain bandwidths for RF and LO up to 17.3 GHz and for the intermediate frequency (IF) up to 13 GHz were measured. The corresponding -3 dB frequencies are 9 GHz for RF and LO (IF=100 MHz) and 8 GHz (f/sub LO/=1 GHz) for IF.<>     

Linearized mixer using predistortion technique

A predistortion technique has been proposed to reduce intermodulation distortion (IMD) generated from the conversion process of a mixer. In this technique, the IMD generated from a mixer in the IF band was cancelled by the controlled RF error signal, which is generated by a predistorter. The magnitude and phase of the RF error signal were properly adjusted through a vector modulator. This linearization technique has been verified by experiment of a down conversion mixer in the cellular band. A two tone test has been performed at the frequency of 836 MHz with 442 kHz separation. The results show that this method improves about 16 dB of IMD3 at -18 dBm IF output power in 10 MHz frequency band and increases about 3.5 dB of P1 dB of the mixer. Simple topology and good performance in linearization of IF signals renders this technique suitable for highly linear frequency conversion in communication systems     

A Common Source Input Cross Coupled Quad CMOS Mixer*

A CMOS doubly balanced mixer circuit is implemented with a source follower input and a cross coupled mixing quad. The circuit employs an all N-channel configuration and is suitable for high frequency applications. As a down-converter with an RF input of 2.0 GHz and an IF output of 200 MHz, the mixer demonstrates 9 dB of conversion loss with a corresponding input referred third order intercept of 0 dBm. As an up-converter with an IF input frequency of 400 MHz and an RF output of 2.4 GHz, the mixer demonstrates 14 dB of conversion loss.     

CLMR SAW滤波器的设计及匹配

把声表面波（SAW）滤波器作为一个网络,测出参数,通过计算模拟出其最佳的滤波器性能,取得较好的匹配参数;同时较详细的介绍了复合纵向耦合谐振型（CLMR）SAW滤波器的结构,给出了GSM中频用246MHzSAW低损耗滤波器的应用实例,未匹配的插入损耗为8.57dB,匹配后插入损耗4.35dB,通带波纹0.45dB。     

一种特殊的单片晶体滤波器模块

介绍了一种进口中频滤波器微电路模块.该中频微电路模块是中心频率为12.1 MHz,3 dB带宽240 kHz,体积仅35 mm×25 mm×5 mm的一种复合型宽带有源单片式晶体滤波器,其采用叉指结构对单片晶体滤波器的性能进行改善.通过实验证明叉指结构对单片晶体滤波器具有改善矩形系数,增加带外抑制和精密微调频率的作用.