UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究

本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分布陡峭的薄外延层     

具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究

本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１e－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８０℃，得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层     

硅上超高真空CVD生长硅锗外处层及其特性研究

我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英雨的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长，采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和材料特性。由此获得了生长速率及组分与源气体流量的关系曲线，发策生长速率随Ｇｅ组分的增加而降低，以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用。     

用于SiGe材料生长的新型UHV/UV/CVD系统

介绍了新近研制的用于ＳｉＧｅ材料生长的超高真空（ＵＨＶ）／紫外光（ＵＶ）／能量辅助ＣＶＤ工艺系统。     

发展MVDS／MUDS多路分配系统是实现“村村通”电视又一重要途径

ＭＶＤＳ称为宽带多路米波（甚高频ＶＨＦ）分配系统,ＭＵＤＳ称为宽带分米波（特高频ＵＨＦ）多路分配系统,是在ＭＭＤＳ技术的基础上,特为广播电视实现“村村通”而推出的新品种。１　ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ多路分配系统传输特点ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ多路分配系统与ＭＭＤＳ微波多路分配系统比较有如下特点。（１）ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ系统工作在ＶＨＦ／ＵＨＦ频段上,射频信号直接在空间传输,无需上变频发射及下变频接收;另外,ＶＨＦ／ＵＨＦ频段采用同轴电缆连接、功放模块组件,所需器件（特别是功率器件）价格约为ＭＭＤＳ设备同等器…     

硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究

我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和材料特性．由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线,发现生长速度随Ｇｅ组分的增加而降低,以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用．     

地面同播数字HDTV的规划参数分析

本文对地面同播数字高清晰度电视（ＨＤＴＶ）的规划参数的合理选择进行分析，讨论ＨＤＴＶ的服务面积与Ｄ／Ｕ比（常规电视／ＨＤＴＶ或ＨＤＴＶ／ＨＤＴＶ同频道设置）、阈值信噪比之间的关系。     

真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１e７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改     

SDH的映射和同步复用原理（三）

ＳＤＨ的映射和同步复用原理（三）陈朝枢ＭａｐｐｉｎｇａｎｄＭｕｌｉｔｉＰｌｅｘｉｎｇＰｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆＳＤＨ￥ＣｈｅｎＣｈａｏｓｈｕ５、ＡＵ－４ＰＴＲＡＵ指针提供了ＶＣ在ＡＵ帧内灵活和动态定位的方法。简单地说，ＡＵ－４ＰＴＲ必须指明ＶＣ－４的第一...     

COFDM技术在数字TV／HDTV中的应用

介绍ＣＯＦＤＭ技术在ＤＴＶ／ＨＤＴＶ中应用的基本原理，分析克服多径干扰和常规电视干扰措施的性能，并阐述了ＣＯＦＤＭ技术硬件设计中的有关问题。     

CATV共用天线放大器前端立柜介绍

本文介绍了ＣＡＴＶ大功率共用天线放大器前端立柜，它采用了ＶＨＦ／ＵＨＦ分频道先放大、后混合的方案，解决了ＶＨＦ／ＵＨＦ频道间隔离度差的难题，输出功率大，是大系统共用天线理想的前端设备。     

超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析

本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．     

GaN薄膜低温外延的ECR—APMOCVD技术

给出了用电子回旋共振微波等离了体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温、极低气压下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。     

利用CMS52检测VHF／UHF收发信机

利用ＣＭＳ５２检测ＶＨＦ／ＵＨＦ收发信机杨伟强ＣＭＳ５２无线通信综合测试仪是德国Ｒ／Ｓ电子公司生产，供检测、维修部门使用较为理想的通信测试仪器，已为较多无委选用。它的测试功能很强，现将ＶＨＦ／ＵＨＦ收发信机常规指标检测方法介绍如下：开机，自检正常后进...     

HDTV地面广播信道的建模

本文在参考了各种ＶＨＦ／ＵＨＦ信道模型的基础上，提出了一种专用于ＨＤＴＶ地面广播的信道模型。该模型充分考虑了ＨＤＴＶ信号在地面广播途径中所遇到的三类主要干扰，对ＨＤＴＶ传输系统的研究具有十分重要的意义。     

G80集群系列产品

Ｇ８０集群系列产品一、集群片系列：１．提供下列手持机用集群片：１Ｃ—Ｔ３１ＣＰ／２１ＣＰ医段双工手机（有ＤＴＭＦ租数字展令片两种）、Ｃ４５０／１５０／、Ｎ８８８Ｕ／Ｖ、ＨＸ２６０Ｕ／Ｖ手机片２．提供下列车台用集群片：ＫＧ１０６、ＴＫ８２０／７２０、Ｔ...     

数字电视

在数字技术高速发展的今天,对我们来说,数字电视（ＤＴＶ）不再是个陌生的词。但呼之欲出的数字电视到底是个什么东西,它有什么特点,它与ＨＤＴＶ、ＳＤＴＶ有什么区别？它的发展到底怎样？１　数字电视和ＨＤＴＶ、ＳＤＴＶ数字电视（ＤＴＶ）、ＳＤＴＶ、ＨＤＴＶ是广播电视界时常提及的三个名词,它们之间既有联系,也有区别。ＨＤＴＶ（ＨｉｇｈＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＴＶ）起源于日本,是高清晰度电视的缩写,代表高质量图像和杜比数字环绕立体声。ＣＣＩＲ（国际无线电咨询委员会,现改名为ＩＴＵ）的８０１报告中为ＨＤＴＶ规定…     

GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术

给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。     

UHF分米波发射机系列NV/NH7000

为适应各国家正式开始启动的地面数字电视广播,罗德与施瓦茨公司正在推出新一代水冷ＵＨＦ分米波电视发射机。紧凑的设计使得新ＤＶＢ发射机的安装较为简便,由于其模块化的设计,可以组装为数字和模拟电视发射系统,可满足未来的需要,并具有经济性和可靠性。１ 具有特殊功能的最新技术新型水冷ＵＨＦ分米波发射机系列ＮＶ／ＮＨ７０００使用ＬＤＭＯＳ（横向扩散金属氧化物半导体）技术,通过正确调节数字激励器,可满足从地面数字电视标准ＤＶＢＴ到ＥＴＳ３００７４４和类似的ＰＡＬ,ＳＥＣＡＭ和ＮＴＳＣ等各种标准,该系列设备支…     

基于DMD的大屏幕投影显示器技术是有前途的HDTV候选技术

基于ＤＭＤ的大屏幕投影显示器技术是有前途的ＨＤＴＶ候选技术Ｃｈｅｒｙｌ　Ａｊｌｕｎｉ消费市场的投影电视机（主要是ＣＲＴ投影机）是投影显示器的主要应用。随着大屏幕高清晰度电视（ＨＤＴＶ）日益受到关注，投影显示技术已成为ＨＤＴＶ技术的主要候选者ＣＲＴ技术...