半导体光电阴极的研究进展

半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。     

MEMS封装技术

光学窗口作为半导体光电器件封装中的关键外壳构件之一,为光电器件提供了必不可少的光学信号透过路径,该结构的封接质量会对器件的长期寿命产生重要影响。真空钎焊技术是以钎料作为填充材料,并在真空环境下将窗座与光窗片钎焊获得永久气密性连接的过程,是实现光学窗口封接的主要技术之一,其具有封接温度低、气密性高、平面度好以及可靠性高等优点,被广泛应用于光学器件真空气密性封装及光学设备制造等领域。文中从钎料类型、金属化结构设计、钎焊设备、焊接空洞率、气密性以及力学性能测试等方面对光学窗口真空钎焊技术的研究现状进行了介绍,并指出在此领域内未来技术的发展趋势。     

微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。     

陶瓷-金属封接用钛银铜合金焊料含钛量及其封接工艺的研究

正 (一) 前言 几十年来电真空器件一直采用钼锰金属化或涂钛粉的陶瓷金属封接工艺。该工艺比较复杂,同时封接质量又不易保证。我们研究了用钛银铜(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工艺;试验了合金焊料中活性元素钛含量和封接温度等参量对封接质量的影响;给出了合金焊料的合适合钛量和封接的工艺规范。实验表明,钛银铜合金焊料直接封接工艺,方法简单,质量稳定,是值得推广应用的     

电真空器件中陶瓷-金属封接应力分析

本文针对电真空器件中常采用的平封、夹封、套封以及针封四种陶瓷-金属封接结构进行了热力学仿真分析,得到了不同封接结构的热应力分布情况,归纳了四种结构的封接特点,对某些封接工艺提出了一些有效的工艺实现方法,给出了陶瓷-金属封接设计中应注意的问题.     

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。     

电真空器件玻璃封接工艺研究

总结了电真空器件玻璃封接实践中所遇到的气密性、强度及稳定性的一系列问题,包括玻璃与可伐封接的气泡、封接颜色异常、贴边尺寸超差现象和玻璃与玻璃封接的失透、雾化等现象。通过工作中的工艺实践结合相关资料,运用多种现代科技手段对其形成原因进行了一定探究。对提高玻璃封接质量和可靠性进行了有益的尝试,形成了此类玻璃封接问题具体的操作工艺解决方法。通过实施这些方法,提高了玻璃封接件的可靠性,保障了科研生产工作的顺利进行。     

像增强管制作过程中的气密性研究

作为真空光电器件,像增强管的气密性封装直接决定了整管的性能和可靠性。一般而言,像增强管制作过程中涉及的封接工艺有热铟封、钎焊、低熔点玻璃粉熔封和金属熔融焊。本文从生产实际出发,探讨了低熔点玻璃粉熔封和金属熔融焊对像增强管气密性的影响,并提出了工艺改进措施,结果表明,像增强管的可靠性和成品率均有明显的提升。     

碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)封接关键技术的研究

碳纳米管场发射显示器件（CNT—FEDs）现已成为场发射研究的热点。本文研究了碳纳米管场发射显示器件在其真空封接过程中出现的碳纳米管丢失的问题,对碳纳米管场发射显示器件的封接方法提出了一些改进,并提出一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构,有效的解决了真空封接过程中的碳纳米管丢失的问题,为碳纳米管场发射显示器件（CNT-FEDs）的发射均匀性,改善区域之间的亮度差异及延长使用寿命提供了保证。     

二代像增强器疲劳与输入照度的关系

本文根据焦耳热原理，导出了真空成像器件中光电阴极产生热量的一个公式，从理论上分析了公式中各参数之间的关系。同时，分析了因较大输入照度引起像管中光电阴极、微通道板与荧光屏产生疲劳的原因。     

金锡共晶烧结工艺及重熔孔隙率变化研究

文章论述了金锡共晶烧结工艺在功率器件焊接中的应用,分析了金锡共晶烧结温度、时间和压力对芯片粘接质量的影响。同时分析了金锡焊料重熔后粘接层孔隙的变化,试验表明金锡共晶烧结时控制好烧结工艺参数,可以保证多次重熔对粘接层孔隙率的影响,粘接质量能满足相关要求。     

三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响

针对三代微光像增强器阴极激活灵敏度低的问题,运用分析仪器对组件进入激活系统前后的过程质量进行在线追综监测,分清了工艺质量对制备阴极灵敏度的影响,经改进工艺,试制出性能合格的三代微光像增强器.     

可伐合金的可控氧化对封接质量的影响

研究了可伐合金表面氧化膜的类型和厚度对玻璃与可伐合金封接质量的影响.结果表明,氧化膜的类型和厚度直接影响金属与玻璃的封接质量.相对于工厂氧化条件,在可控条件下氧化的可伐合金与玻璃封接后的气密性一致性和可靠性较高.随着氧化膜厚度的增加,玻璃沿引线的爬坡高度逐渐增加,当控制氧化膜厚度不超过1.5μm时,爬坡高度都小于200...     

真空技术在信息显示器件的应用

信息显示技术的发展经历了阴极射线管和平板显示器等不同的发展阶段,目前正在向柔性显示和三维立体显示迈进.本文分析了真空技术在一些典型显示器件的应用,从这些分析中可以看出,真空技术广泛应用于发光材料制备和显示器件的结构制备,在未来的新型信息显示技术中,真空电子技术仍然占据重要的地位.     

光电耦合器内部气氛长期贮存变化的研究

根据气密封装器件的内部气体流动原理,对光电耦合器内部气氛含量的初始状态进行了分析,对长期贮存的变化状态进行了预测,随后采用内部气氛分析仪验证预测结果,证明了气体流量原理能够有效预测光电耦合器封装内部的气氛含量,并且能够将封装工艺的薄弱环节暴露在检测初始阶段。通过分析测量漏率与真实漏率之间的关系,对提高预测光电耦合器内部气氛含量长期贮存变化的准确性提出了建议。     

A novel in situ vacuum encapsulated lateral field emitter triode

We have designed and fabricated a novel lateral field emitter triode, which is in situ vacuum encapsulated so that any troublesome additional vacuum sealing process is not required. The device exhibits low turn-on voltage of 7 V, stable current density of 2 μA per tip, and high transconductance of 1.7 μS per 100 tips field emitter array at V_AC=22 V. An in situ vacuum encapsulation employing recessed cavities by isotropic RIE (reactive ion etch) method and an electron beam evaporated molybdenum vacuum seal are implemented to fabricate the new field emitter triode. The superb field emitter characteristics are probably due to sub-micron dimension device structure and the pencil type lateral cathode tip employing upper and lower LOCOS oxidation     

平行封焊工艺研究

平行封焊是微电子器件封装过程中的最后一道工序,封焊质量的好坏对产品的合格率有很大的影响,为了提高焊接质量,进而提高平行封焊设备的性能,研究平行封焊工艺显得至关重要。