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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。  相似文献   

2.
刘新庆 《电子与封装》2004,4(2):54-62,30
在纯水制造过程中,以前常常使用鼓风脱气和真空脱气装置,近年来,膜脱气工艺发展非常迅猛,在高纯水领域已经开始有了广泛应用,同时也有不少纯水工艺采用了树脂催化法除氧。本文分别对五种不同的脱气装置作了介绍和对比。  相似文献   

3.
介绍了反渗透技术在彩管行业纯水制造中的应用。运用实例表明,采用反渗透技术的纯水生产线运行稳定,出水水质好。  相似文献   

4.
沈健 《电子信息》2000,(10):63-65,78
紫外线杀菌装置在电子工业高纯水制造工艺中得到广泛应用。本文对紫外线杀菌原理、杀菌效果的影响因素、杀菌装置的构造等方面进行了讨论,并介绍了近年来开发的箱内浸水式杀菌装置。  相似文献   

5.
高纯水与紫外线杀菌技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
紫外线杀菌装置在电子工业高纯水制造工艺中得到广泛应用。本文对紫外线杀菌原理、杀菌效果的影响因素、杀菌装置的构造等方面进行了讨论,并介绍了近年来开发的箱内浸水式杀菌装置。  相似文献   

6.
制造黑白显象管的高纯水易受铜离子的污染。用受污染的高纯水制管后会造成重大的经济损失,本文在前人工作的基础上,研究出一个微量铜测定的铜、硫氰酸、巯基乙酸三元络合物吸附波一新体系,为监测高纯水是否受铜的污染、了解其污染程度、查找污染源,提供了一个简单、快速、准确的新方法。  相似文献   

7.
随着半导体器件、集成电路及半导体材料生产的发展,对所使用的纯水的水质要求越来越高.它对微粒、细菌、总有机碳等有害杂质的控制极其严格,要求水质接近理论纯,水的电阻率达18MΩ·cm.国内外把这种高质量的纯水称为超纯水.七十年代国外在超纯水制备中采用了反渗透技术,并辅以离子交换、微过滤、紫外杀菌等方法,使超纯水的质量水平有很大的提高,有力地保证了集成电路工业发展的需要.  相似文献   

8.
制造出符合特殊产品要求的洗净用水及排放符合国家工业废水排放标准的工业废水对企业来说同等重要,缺一不可。本文根据LCD行业生产过程中洗净用水的特殊要求,探讨相关符合产品生产过程所需要的高纯度纯水的制造方法;同时根据国家相关工业废水排放标准,结合行业工业废水排放的特点,讨论废水处理的相关工艺技术及方法,旨在保证行业工业废水的排放达到国家工业废水排放要求,保护宝贵的水资源。  相似文献   

9.
本文以某彩色显像管厂80m~3/h纯水站为实例,介绍了一种以反渗透和离子交换为主体的纯水制造工艺及其布置图式。该站通过多年来的运行实践,出水水质稳定,水的电阻率在16~17MΩ·cm,其它指标如铁、铜、硅、钠和细菌等,经多次抽样分析,均达到生产上所规定的水质标准。  相似文献   

10.
顶级超纯水系统的主要性能从对深亚微米器件性能影响的敏感性和制水技术的难度考察,TOC(总有机炭)/DO溶解氧)两参数集中体现了现今超纯水技术的水平。TOC引起薄栅氧化中缺陷密度增加,DO由于硅片表面自然氧化膜而使器件特性恶化。各项水质参数按难易依次排列和现今水平列于表豆。在线的DO、TOC、SIO。和Na离子检测仪均是全自动自校准的;ICP-MS(电荷感应耦合一等离子质谱)对超纯水中三十种金属离子的检测极限可达13~0.03ppt内。我国按0.25μm要求的系统C的设计值附于表1,已启用的二项工程的实测水质参数见表2。工程A…  相似文献   

11.
以应 0 .5 μm技术之需而设的一套超纯水精处理系统为实例 ,介绍了其工艺流程及特点 ,给出各项水质参数的实测数据 ,进而评述≤ 0 .2 5 μm/ 8英寸线的水质评价项目及其限定值、分析手段和应具有的在线检测仪表。  相似文献   

12.
就反渗透膜材料在半导体厂超纯水工艺中的应用原理,使用条件类型,具体的项目实践进行简单介绍与说明.  相似文献   

13.
8英寸线超纯水技术的若干特点   总被引:2,自引:0,他引:2  
应小于等于0.25μm8英寸fab之需,介绍了实际工程的各项优越水质参数和高可靠、易运作等特点。讨论了水的回收技术、总有机碳(TOC)减低技术和安装,配管中的零污染的可能性。  相似文献   

14.
纳米级集成电路与超纯水   总被引:3,自引:0,他引:3  
阐述美国《国家半导体技术发展路线》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求,以我国8英寸/0.18μm和12英寸生产线的相关数据与其对照,表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数已可满足该发展要求,而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题,并提出相应的解决方案,讨论了降低超纯水等项水资源消耗的途径。重申了水回收的意义,关注“功能水”和高效、省能的GDI(聚合型电去离子)装置将是有益的。  相似文献   

15.
反渗透膜在超纯水生产中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
闻瑞梅  岩堀博 《微电子学》1996,26(4):271-274
介绍了NTR-759反渗透膜的结构及其脱除性能,将反渗透(RO)膜与醋酸纤维(CA)膜进行了比较,着重叙述了NTR-759在双级RO中用作中间和精处理时对低浓度的盐和TOC的脱除特性,实际应用表明,NTR-759是一种性能良好的反渗透复合膜,可广泛应用于高纯水的制备。  相似文献   

16.
本文以16M位、64M位集成电路工厂纯水为实例,介绍了两套超纯水装置的处理流程与制水特点,它们均已通过一年多运转的考验,处理效果稳定,水质指标分别达到了设计水质要求。  相似文献   

17.
The world's smallest (105×55×20 mm) and lightest (130 g) digital still camera has been developed, in which a 330 K pixel complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor chip is used as an image sensor. The authors have developed a new thinner and smaller image sensor module, called tape automated bonding (TAB) on glass (TOG) module, using the anisotropic conductive paste (ACP) interconnection method. The TOG production process was established by obtaining optimum bonding conditions for both optical glass bonding and CMOS chip bonding to the TAB tape. The bonding conditions including sufficient bonding margins, were mainly studied. The TOG module obtained good imaging properties, It also has a high reliability such as thermal cycle test (-40 to +110°C/30 min, 2000 cycles) and the high temperature storage test (60°C, 90% RH, 3000 h). The stable production process was confirmed by fabricating an automatic bonding machine  相似文献   

18.
在集成电路工业已经进入超大规模集成电路时代的今天,如何使超纯水这一重要基础材料的纯度达到电子级Ⅰ级水准,已成为我国净化技术中超纯水处理领域一个急待解决的技术问题。本文专题介绍英国ELGA公司全自动超纯水处理系统工艺流程和设备的特点,最后介绍了该系统生产的超纯水所达到的质量指标。  相似文献   

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