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相似文献
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1.
电源     
《今日电子》2013,(5):68-70
小型升压DC/DC稳压器AS1345提供100mA、200mA、350mA和500mA四种电感峰值电流限制的芯片版本,可以帮助设计师优化不同负载条件下的能效。AS1345有12V、15V和17V固定输出电压的芯片版本可供选择,设计师也可以选择5~18V之间的输出电压可调的芯片版本。  相似文献   

2.
凌力尔特公司推出一款2.8V~18V输入的多拓扑DC/DCpModule(微型模块)转换器LTM8045,其具有内置电感器、电源开关和DC,DC控制器,可提供高达700mA的输出电流。只需增设两个电阻器和两个电容器,  相似文献   

3.
李海 《电子世界》2004,(11):50-50
LT1615/LT1615—1是一款微功率增强型DC/DC(直流/直流)升压变换器,5个单元电路封装在一个微型片状SOT贴片器件内。LT1615芯片设计用于电流限制在350mA和输入电压在1.2~15V范围的高功率系统;LT1615—1芯片单个单元则用于电流限制在100mA和扩展输入电压在1—15V范围的低功率系统。LT1615/LT1615—1两种芯片装置,功能作用相似。两个装置无载状态下的静态电流均为20mA,关闭状态下的电流可低至0  相似文献   

4.
台商新品     
具有低噪音、小尺寸、高功效的电源管理方案茂宴奇电子(Anpec)推出APW7071/APW7072 PFM DC/ DC升压组件系列。APW7071与APW7072频率最高可达1MHz,输出端仅一颗0.1μF电容,使外部组件体积实现最小化。APW7071可在2.5V~6V电压范围内工作,适用于单一锂电池供电的应用,单锂电即可驱动4串联白光LED,内建18V OVP保护功能,可避免负载空接而产生不预期高压,内建400mA限流机制,可完全避免系统开机产生之大电流。VIN端内建P-MOS可完全阻绝长时间待机时,电池经由电感及二极管对负载放电电流,可以有效地提高系统待机时间,最高效率可达86%,最高输出电压为17V,内建400mA限流机制可完全避免系统开机产生之大电流。APW7071与APW7072皆使用SOT-23-6包装对于节省电路板空间有很大的帮助。www.anpec.com.tw  相似文献   

5.
TPS60130/131/132/133系列电荷泵DC/DC变换器是一种倍压式电荷和线性稳压器结合的集成电路,是美国德州仪器公司的新器件。该器件输入2.7~5.4V,输出电压的5V,输出电流可达150mA及300mA。该器件主要特点有:转换效率高,最高可达90%;输出电流大(TPS60130及TPS60131可达  相似文献   

6.
MIC2203 是一种高效率、1MHz PWM(脉冲宽度调制)同步降压式DC/DC变换器,是Micrel公司推出的器件。该器件主要特点:输入电压2.3~5.5V;输出电压可设定,最低输出电压可达 0.5V;输出电流可达 300mA;开关频率为固定 1MHz;转换效率大于 80%;静态电流小于 1mA;有关闭控制,在关闭状态  相似文献   

7.
LT1615/LT1615-1是一款微功率增强型DC/DC(直流/直流)升压变换器,5个单元电路封装在一个微型片状 SOT贴片器件内。LT1615 芯片设计用于电流限制在 350mA 和输入电压在 1.2~15V 范围的高功率系统;LT1615-1 芯片单个单元则用于电流限制在100mA和扩展输入电压在1~15V范围的低功率系统LT1615/LT1615-1 两种芯片装置,功能作用相似。两个装置无载状态下的静态电流均为 20mA,关闭状态下的电流可低至 0.5mA。采用单触发脉冲方式(而不使用昂贵的变压器)可使电压峰值达36V,经电容器形成高电压输出,直流电压(叠加在输入电压上)可高达34V。…  相似文献   

8.
《电子测试》2004,(12):90-90
凌特日前推出具有内部3A、42V开关的电流模式固定频率升压型DC/DC转换器LT3479。它在2.5V~24V输入电压范围内工作,适用于输入电源范围在单节锂离子电池至20V墙上适配器之间的应用。用户可选择采用误差放大器的两个输入,并允许用作升压转换器或负输出。其42V开关可使输出高达+40V,并可驱动两个由单节锂离子电池供电和电流高达700mA电流的大电流白光LED(串联)。  相似文献   

9.
Analogic公司的AAT1451是四路高集成高效白光LED驱动器。器件的输入电压从5V到26V,可从DC、点烟适配器或多个锂电池输入,集成的升压转换器提供高达50V的输出,每串LED电流高达30mA可编程,120mA总输出电流可驱动多达481个LED,效率高达93%。主要用在监视器、笔记本和上网本电脑、手提DVD播放器、手提TV和白光LED背光驱动。AAT1451通过一个外部RSET电  相似文献   

10.
凌特公司推出一款在ThinSOT封装中集成了升压与箝位二极管的40V微功率降压型DC/DC转换器LT3470。该器件输入电压范围4V~40V,可提供200mA的输出电流,适用于2节锂电池、交流适配器或汽车电源应用。突发模式(Burst Mode)运行可使静态电流降至26μA,外形尺寸仅为50mm^2,可以用于空间受限的应用。  相似文献   

11.
电源管理     
LTC3869/-2:DC/DC控制器凌力尔特公司推出双输出达95%效率的同步降压型DC/DC控制器LTC3869/-2,当并联时可在通道之间提供良好的电流平衡。具有2mV检测电压最大失配,当两个输出并联时,能够在稳态和瞬变情况下,通道之间可保持优于±4%的电流失配。该器件可涵盖众多的应用,包括大多数中间总线电压和电池化学组成。1.1Ω内置栅极驱动器最大限度地降低了开关损耗,并允许采用高功率外部MOSFET以在0.6V~12.5V的输出电压条件下产生每通道25A的输出电流,采用SSOP-28封装。  相似文献   

12.
《现代显示》2011,(4):51-51
聚积科技特别针对LED路灯、洗墙灯、隧道灯等照明应用推出高效率60V、1A降压型DC/DC转换器——MBI6661。MBI6661可接受9~60V的广泛输入电压,效率最高可达97%,并可外部调整恒定输出电流最高达1A,且电流精确度在±5%以内。  相似文献   

13.
1概述详细介绍采用MAX16820滞回型LED驱动器构成的4LED MR-16驱动电路,还提供一路脉冲冷却器的辅助电源(MAX5033)。该驱动器可为每串4只白光LED(WLED)提供750 mA电流。该电路工作于24 V电源,采用MAX16820滞回型LED驱动器。方案还包含一路利用MAX5033开关电源构成的24 V至5 V转换器,可提供150 mA电流,用于Nu-ventix脉冲LED冷却器的供电。  相似文献   

14.
应建华  杨彪 《半导体技术》2008,33(6):542-546
设计了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的低功耗、微功率、低输入、高输出、高效率、高可调性PFM升压型DC/DC转换芯片.分别采用高低压结合、预充电和抗饱和、固定关闭时间电流模式控制结构以达到低工作电压、高效率、高可调性和稳定的电压输出.本芯片采用XFAB公司的XB06工艺流片成功.测试结果表明,芯片的工作电压可低至1 V,无负载时静态电流仅为20μA,在输入电压/负载电流分别为1.5 V/15 mA、6 V/500μA的情况下能稳定地输出3.3、35 V,最高转换效率可达85%.  相似文献   

15.
一种电流模式DC/DC降压型PWM控制器的设计   总被引:4,自引:2,他引:2  
设计出一种PWM电流控制模式的降压型DC/DC变换器控制IC.该芯片采用0.6μm BCD工艺制程,芯片内部集成了耐压的DMOS功率开关管.芯片具有很宽的输入范围(6~23 V),宽输出范围1.22~21 V,工作温度范围为-40~85℃;具有可编程软启动、欠压保护、热关断等功能.这款芯片只需少量的外部元件即可实现3A的降压型的DC/DC变换,可用于分布式电源系统、电池充电器及线性稳压电源的预调节等.  相似文献   

16.
《电子设计技术》2006,13(7):145-145
茂毓电子(Anpec)推出APW7071/APW7072 PFM DC/DC升压组件系列。APWT071与APWT072频率最高可达1MHz,输出端仅一颗0.1μF电容,使外部组件体积实现最小化。APW7071可在2.5V~6V电压范围内工作,适用于单一锂电池供电的应用,单锂电即可驱动4串联白光LED,内建18V OVP保护功能,可避免负载空接而产生不预期高压,内建400mA限流机制,可完全避免系统开机产生之大电流。VIN端内建P-MOS可完全阻绝长时间待机时,电池经由电感及二极管对负载放电电流,可以有效地提高系统待机时间,最高效率可达86%,最高输出电压为17V,  相似文献   

17.
研诺逻辑推出AAT1271/2双通道升压转换器,以每个750mA的电流支持两个WLED或者以1.5A的电流支持一个WLED,采用紧凑的3×3mmTDFN封装。两种器件针对为移动系统供电的单节锂电池而设计,可在217V到5.5V的输入电压范围内运行。使用2MHz开关频率,通过允许使用较小的外部电感器和电容器来帮助减少系统占板面积,采用1μH的电感器就能获得高达85%的效率。  相似文献   

18.
安森美公司的LV5980MC是一款内嵌P沟道MOSFET的单通道DC/DC转换器,工作电压范围为4.5V~23V,最大输出电流为3A。可实现低功率损耗,操作电流大约为63μA。该芯片具何外部电容软启动、过流保护、欠压及过热关闭等功能特性。LV5980MC主要特性1路SBD整流DC/DC转换器IC,内置的功率P通道MOSFET轻负载模式电流的典型值是63μA  相似文献   

19.
采用电流模、电压模双环控制结构,结合峰值电流采样等关键技术,实现了一款功率集成的单片DC/DC变换器。设计的峰值电流采样、斜率补偿大大提高了系统的稳定性,提高了系统的快速瞬态响应能力;针对高压低压差线性稳压器(LDO)、电流采样等高压模块电路,通过采样齐纳二极管、高压NJFET代替高压厚栅MOSFET等的设计方法,从总体上降低高压器件的数量,在基于30 V BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺上,结合特殊器件的版图设计方法,制作出一款输入电压5.5~17 V,电压调整率小于10 mV,电流调整率小于25 mV,输出电流大于5 A,系统静态电流小于25 mA,最高工作效率为93%的高效单片DC/DC,其抗总剂量能力大于100 krad(Si)。  相似文献   

20.
《今日电子》2010,(1):67-68
DS1842采用BiCMOS工艺设计,集成高压(76V)电流源和双电流镜,用于监测APD电流。该器件还包含一个FET开关,可与外部DC—DC控制器配合工作,构建DC/DC升压转换器。  相似文献   

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