RF激励CO_2激光器中的阻抗匹配分析

根据传输线中高频电磁波的传播理论及网络理论分析了射频（ＲＦ）激励ＣＯ２激光器中的阻抗匹配问题，获得了等效阻抗匹配网络的设计方法及计算有关参数的普遍表达式。这一结果同样适用于其它高频激励ＣＯ２激光器的阻抗匹配网络的参数计算     

射频同轴传输线的设计仿真与加工工艺

基于SU-8和BPN紫外负性感光胶,结合微电镀工艺加工制作射频同轴传输线,以实现射频器件信号的传输与耦合。首先确定在阻抗匹配情况下同轴传输线特性阻抗为50Ω的同轴传输线的具体尺寸,然后通过HFSS仿真软件对设计的结构进行模拟仿真。通过仿真结果验证设计的可行性,采用紫外光刻技术利用SU-8光刻胶做出内导体支柱,并用BPN光刻胶做出结构,对结构进行电镀。最后将BPN光刻胶剥离,即可得到射频同轴传输线。此方法制得的同轴传输线具有介质损耗小、辐射损耗小、无色散、带宽大和抗干扰强的优点,适用于高性能射频和微波电路。另外,它的制作工艺能与其他射频和微波器件及集成电路工艺兼容,便于与射频和微波电路集成。     

120MHz射频CO_2波导激光器的调试方法

射频CO_2波导激光器的研制与一般直流、交流、中频激励方法有所不同。它在许多方面具有自己的特点和要求。为此,本文结合射频特性介绍了全晶体管小型化激励源的120MHz CO_2波导激光器的调试方法。内容主要包括:射频电源的保护器件——隔离器的使用方法与要求;击穿电离气体所需触发电压——使用可变长度传输线(移相器)的方法及稳定工作所需阻抗匹配网络的设计与调试方法。     

介绍一种阻抗变换器的简单计算方法

阻抗变换器是传输线阻抗匹配的常用方法,但宽波段匹配需进行较复杂计算。本文所介绍的一种阻抗变换器的简单计算法中,首先简要地叙述了在直角坐标系上对传输线作宽频段阻抗匹配的计算原理。通过保角变换方法推导出在史密斯阻抗圆图上进行匹配的一般表示式,绘出一套在史密斯阻抗圆图上的阻抗匹配图,并举出一些例子以说明其使用方法。     

利用软件仿真方法研究信号完整性问题

通过软件仿真的方法研究了信号完整性问题中的信号反射和阻抗匹配。给出了一种利用仿真估计电路临界频率和电缆(传输线)特性阻抗的方法。     

利用软件仿真的方法研究信号完整性问题

本文通过软件仿真的方法研究了信号完整性问题中的信号反射和阻抗匹配.给出了一种利用仿真估计电路临界频率和电缆(传输线)特性阻抗的方法.     

VGA分配器中的阻抗匹配研究

通过对高速信号布线中经常出现的阻抗匹配问题的研究,结合一个VGA(视频图形阵列)分配器的设计实例,分析了阻抗匹配问题出现的原因和两种常用解决方案的端接方法,然后通过分析VGA分配器的电路特点,采用源端串联匹配的端接方式,利用传输阻抗计算软件SI6000计算传输线的特性阻抗,从而选择相应的阻值与其进行匹配,最后使用Hyperlynx仿真软件进行BOARDSIM仿真,仿真结果显示此种方案可以很好地改善视频信号传输过程中的阻抗匹配问题。     

传输线匹配电路的带宽

对于适中的带宽要求,采用单节传输线变换器,足以达到所需的阻抗匹配。本文给出简化匹配电路反射系数的基本公式和计算步骤。     

X波段MEMS膜开关的阻抗分析模型

射频微机械(RFMEMS)开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景．但是目前对微机械开关的研究主要都集中在开关梁的结构设计和力学分析上，对开关的电磁特性的研究，尤其是开关高频阻抗匹配分析的研究与验证比较少．本文在高频传输线研究的基础上，推导出微机械开关的“开态”阻抗匹配模型，并利用HFSS软件对开关的高频特性进行模拟．其结果有助于设计高性能的RF MEMS开关．     

X波段MEMS膜开关的阻抗分析模型

射频微机械(RF MEMS)开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前对微机械开关的研究主要都集中在开关梁的结构设计和力学分析上,对开关的电磁特性的研究,尤其是开关高频阻抗匹配分析的研究与验证比较少.本文在高频传输线研究的基础上,推导出微机械开关的“开态”阻抗匹配模型,并利用HFSS软件对开关的高频特性进行模拟.其结果有助于设计高性能的RF MEMS开关.     

千瓦级快轴流CO2激光器的射频系统

在千瓦级快轴流CO2激光器中,我们用单个射频源通过50Ω传输线和π型网络给8段光管馈电,在这样的安排下将15kw连续波射频功率有效并均匀地耦合到8段光管的等离子体中。这种技术的关键是阻抗匹配。     

RF power amplifier employing a frequency-tunable impedance matching network based on coupled inductors

Coupled inductors can be used as tunable inductances. Employing coupled inductors in the output impedance matching network of an RF power amplifier leads to superior performance when operating in more than one frequency band. As proof of this concept, the design of a dual-band RF power amplifier for the 200 and 300 MHz bands is presented. Simulation and measurement results validate the technique.     

140 GHz GaAs double-Read IMPATT diodes

CW GaAs double-Read IMPATT diodes for D-band frequencies are designed and tested. For reproducible RF impedance matching, the module encapsulation technique is applied. Ohmic losses of the active device are reduced by a titanium-Schottky contact instead of an alloyed ohmic n ⁺-contact. At 144 GHz 100 mW RF power with a conversion efficiency of 5% is realised     

Software-based analysis of radio frequency plasma display panel forefficient design and impedance matching

A full software analysis technique for the radio frequency (RF) plasma display panel (PDP) has been developed. The RF PDP test panel has been analyzed by the segmentation/three-dimensional (3-D) parameter extraction/SPICE simulation scheme, which was originally developed for the analysis of RF complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) chips. Our technique is shown to be accurate in predicting the input impedance of the RF port and the calculated input impedance is used to perform impedance matching of the system. The technique is also extendable to a much larger size RF-PDP and has the possibility of being applied to the design and analysis of various interesting RF systems and components     

毫米波雷达前端芯片关键技术探讨

毫米波雷达的距离分辨率和最大可工作距离通常受雷达射频信号带宽和发射功率的限制,具有宽工作带宽、高输出功率、高灵敏度、高精度相位控制的毫米波雷达芯片是实现高性能毫米波雷达系统的关键。毫米波雷达芯片的设计难点主要集中在阻抗匹配、噪声降低、功率提升、相位控制等方面。因此,该文针对毫米波雷达前端芯片设计难点的关键解决技术进行探讨和综述。     

射频功率放大器的宽带匹配设计

多倍频程功率放大器具有显著的优点,同轴电缆阻抗变换器能实现射频功率放大器有效的宽带匹配。在给出同轴电缆阻抗变换器方案设计的基础上,详细介绍了其基本原理以及1∶1和1∶4同轴变换器的具体结构及等效电路。针对工程需要,以同轴电缆阻抗变换器为宽带匹配网络的核心,设计了一款超宽带匹配功率放大器,经软件仿真优化及测试验证,阻抗匹配准确,测试结果达到了技术指标要求。     

一种用于GPS接收机的低噪声放大器

针对GPS接收机低功耗、低噪声、高增益的要求,采用功率限制下噪声匹配技术、阻抗匹配技术和电源复用技术,设计了一款可应用于GPS接收机的单端输入差分输出低噪声放大器,减少了巴伦损耗。采用SMIC 0.13 SymbolmAm CMOS RF工艺和全定制集成电路设计方法,工作频率为1575 GHz,对电路进行版图后仿真。仿真结果表明,该低噪声放大器在1.2 V电源电压下,功耗为4.8 mW,增益为22.65 dB,噪声系数为1.388 dB。     

基于列车监测网络设备的射频功放模块设计

列车关键设备及行车状态的无线实时监测是列车安全运行的有效技术保障,而如何延长无线监测节点通信距离、增强通信可靠性成为研究重点。本文提出适用于列车监测特殊环境的射频功放模块设计方法,采用集成化芯片RF5110G避免内部干扰,通过滤波电路和阻抗匹配优化电路板设计,所设计的功放模块很好地解决了列车特殊环境导致的信号衰减问题,增强了监测网络节点数据传输可靠性,为列车监测、维护提供了可行的方法。     

Design method for fully integrated CMOS RF LNA

An efficient method for fully integrated RF CMOS LNA design is presented. A particular input matching topology enables inductor values to be selected in order to be integrated fully and to minimise the input losses. Moreover, an active device sizing method is used to achieve a 50 /spl Omega/ input impedance with a low noise factor. Simulations show a 3.0 dB noise figure at 2.45 GHz for a power consumption of 10 mW in a 0.28 /spl mu/m RF CMOS process.     

A comparison of the GaAs MESFET and the AlGaAs/GaAs heterojunctionbipolar transistor for power microwave amplification

The study is normalized by constraining the devices to specific application: 1-W RF output power at 10 GHz. It is shown that the power gain and thermal resistance are higher and input impedances lower for the heterojunction bipolar transistor (HBT). Because of the higher thermal resistance, the operating temperature is significantly higher for the HBT, limiting the CW power output from the device. If the device area is increased to reduce the power density, then the input impedance (common emitter) will be proportionally reduced, making input matching much more difficult