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循环时间短的１Ｍ—ｂｉｔ ＳＲＡＭ日本东芝公司应用０．７μｍＢｉＣＭＯＳ技术和优化电路设计研制出三种１Ｍ－ｄｉｔ同步ＳＲＡＭ，循环时间很短，１０—１２ｎｓ。这三种同步高速ＳＲＡＭ能与输入时钟（如ＭＰＩ）同步读写数据。它们与１００ＭＨｚ高速ＭＰＵ兼容。... 相似文献
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本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。 相似文献
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用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω．ｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量，在激光辐射下，测出样管的光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照前后的电容相对变化率为３９．５％，而且低阻ｐ型硅制成的样管，在同样条件下，电容的变化量不大。 相似文献
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本文叙述基于０．１８μｍＣＭＯＳ工艺的１０ＧＨｚ时钟恢复电路的核心电路采用了辅以ＰＬＬ的注入同步窄带环形压控振荡器（ＩＳＮＲ－ＶＣＯ,ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ－ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚｅｄ ｎａｒｒｏｗｂａｎｄ ｒｉｎｇ－ＶＣＯ）。模拟结果表明,该电路能够工作在１０ＧＨｚ频率上,注人信号峰值０．４２Ｖ时,同步范围可以达到３６０ＭＨｚ。 相似文献
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在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。 相似文献
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采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。 相似文献
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为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。 相似文献
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本文研究了各种实验参数对Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中ＧａＡｓ二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对ＧａＡｓ二次离子发射的增强效应．实验表明，与Ａｒ－ＳＩＭＳ不同，Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中随Ｅｐ增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：１０－３Ｐａ．二次离子能量分布测量表明，对Ｏ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝３０Ｖ左右达到最大值，对Ｃｓ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝－２０Ｖ左右达到最大值． 相似文献
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研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０－２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离，双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｑｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力 ０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显ＣＭＯＳ门。 相似文献
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衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置 相似文献
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硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。 相似文献
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固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态 总被引：2，自引：0，他引：2
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．这样少的界面态存在于Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上可能意味着Ｃ６０膜对ＧａＡｓ表面 相似文献