掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展

掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的广泛关注.氧沉淀是直拉硅单晶缺陷工程的重要研究课题.对掺氮直拉硅单晶氧沉淀研究的最新进展进行了综述,主要阐述了氮是如何影响直拉单晶硅中原生氧沉淀、后续热工艺中氧沉淀行为以及氧沉淀的形貌.     

电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响

主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.     

硅晶体中热施主研究

本文综述了直拉(CZ)硅单晶中与氧杂质有关的热施主现象的研究,阐述了硅中热施主的基本性质、基本理论、近期研究进展以及主要研究方向。     

太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究

利用傅立叶红外光谱仪研究了掺氮直拉单晶硅(NCZ)和普通直拉单晶硅(CZ)的原生氧沉淀以及模拟太阳电池制备热处理工艺下的氧沉淀行为.结果发现,掺氮直拉单晶硅的原生氧沉淀浓度比普通直拉单晶硅的略高,这是因为氮在晶体生长过程中可以促进氧沉淀.但是在模拟太阳电池制备热处理工艺中掺氮直拉单晶硅和普通直拉单晶硅一样,没有氧沉淀产生.这表明在太阳电池的短时间热处理工艺中,氮不会对氧沉淀产生影响,不会影响磷吸杂的效果.     

直拉硅单晶中氢行为的研究进展

总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.     

深亚微米集成电路用硅单晶材料

由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无（少）缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。     

电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征

用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷。这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷。     

快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用

硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。     

硅单晶中氮的特性

采用 FZ 和 CZ 法生长出了掺氮硅单晶,由红外(IR)吸收法和活化分析法测得氮的浓度为0.6～7×10~(15)原子数 cm~(-3)。根据压痕玫瑰花纹观察结果表明掺氮硅单晶对位错的钉扎作用比普通硅单晶更强。经退火热处理后,氮的红外吸收峰值的降低,CZ 硅单晶比 FZ 硅单晶更为显著。这暗示了氮原子与杂质氧的紧密结合,从而成为氧沉淀的核心。发现杂质氮     

减压充氮硅单晶技术

当今世界上生长半导体级硅单晶的方法有直拉切氏法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)。其中切氏法生长的硅单晶占半导体工业需求量的80%以上。切氏法硅单晶生长过程中,熔硅与石英坩埚的反应产生 SiO 微粒。大直径硅单晶,由于拉制周期长、每根单晶拉制时间在十个小时以上,这个问题尤为突出,无沦在真空和氩气氛     

Thermal Processing Optimization of Injection Molded Stainless Steel Powders

Stainless steels constitute the largest materials application group for powder injection moulding. Because of the importance of these alloys, much attention has been directed to the optimization of the thermal processing, including carbon contamination control during binder burnout and sintering. Densification in sintering has been mastered such that high final densities and competitive mechanical properties are available. Property optimization and attainment of precise final shapes depend on close control of the sintering temperature, since supersolidus liquid phase sintering is often employed to attain densification. Powder characteristics and processing details are given for obtaining optimal structures in 17-4 PH stainless steel by powder injection moulding. Much progress has occurred in working with lower cost water atomized powders that can be easily densified in spite of oxide surface layers.     

YPSZ纳米结构热喷涂粉末材料工艺优化研究

热等离子体喷涂制备YPSZ纳米结构涂层必须首先进行YPSZ纳米结构粉末材料的研究.本文采用浆料分散、喷雾干燥、热处理的方法制备适于热等离子体喷涂纳米结构涂层的球形、致密YPSZ纳米结构粉末材料.测定浆料的粘度、沉降高度曲线表征浆料的均匀性和稳定性,利用扫描电子显微镜、x射线衍射分析对粉末材料的微观组织及相结构进行分析,利用热重/差热分析对热处理工艺过程进行分析.结果表明:采用优化的工艺成功制备出球形、结构均匀、致密的YPSZ纳米结构粉末材料,适于热喷涂制备YPSZ纳米结构涂层.     

能量累积在红外热图像序列处理中的应用

针对飞机结构隐藏腐蚀热波成像检测中出现的试件表面存在杂物、热像仪中有用数据较少、图像序列中腐蚀区域不明显等情况,首先通过对加热前的一幅图像进行自适应形态学锐化处理,提高图像的对比度,并根据图像梯度的变换情况确定出杂物的位置.其次对加热后的图像序列在相同的位置采用(5×5)模板进行最小值滤波,将杂物滤除掉.然后采用Daubehies9/7小波对图像序列进行变换,并分析了主动式热渡图像能量的分布情况,对能量集中的低频部分进行累积,降低高频部分的能量,在此基础上对图像进行重构.最后对重构前和重构后图像的质量进行了定量评价.实验结果表明,该方法可以有效的提高图像的质量,降低图像的噪声,得到易于判读的红外热图像.     

Pyrolitic Methods of the Thermal Processing of Solid Municipal Waste

High Temperature - The results of studies on the application of pyrolytic methods for the processing of solid municipal waste into liquid and gaseous fuels are presented. The features and types of...     

航空企业热处理生产作业计划研究

结合沈阳飞机制造公司的客观实际,借鉴波音公司先进的先进管理方法,对我国飞机制造企业热加工车间的计划体系模式进行了深入的探讨,提出了热处理车间如何根据自身的生产特点,有效地做好计划工作的方法,其中包括国、民机项目零件的热处理工艺住处数据库,确定标准流程,标准时间等。这些基础工作针工艺准备和生产准备的效率,为制定热处理生产作业计划奠定基础,从而使企业主进度计划的有效实施成为可能,为进一步建立热处理标准流程计算机系统和作业计划控制系统提供可靠的依据,本文的研究成果对现代大型企业计划体系的建立和完善具有一定的应用参考价值。     

An Effective Emissivity Model for Rapid Thermal Processing Using the Net-Radiation Method

A reflective shield has been placed in the lower chamber of some rapid thermal processing (RTP) systems so that the temperature of the silicon wafer can be accurately measured in situ with light-pipe radiometers. Better knowledge of the effective emissivity of the wafer reduces the uncertainty in the temperature measurement. This paper describes an enclosure model based on the net-radiation method for predicting the effective emissivity of the wafer. The model treats the surfaces in the enclosure as diffuse emitters, with a reflectivity that may include a diffuse component and a specular component. Using this model, a parametric study is performed to investigate the influence of the geometric arrangement, surface temperature and properties, and wavelength on the effective emissivity. The algorithm developed in this work may serve as a tool to improve radiometric temperature measurement in RTP systems.     

基于LAM全域分析技术探究GH4698热加工过程组织演化

目的 研究GH4698在变形温度为1100℃、压下速率为0.12 mm/s、压下量为40％的热变形条件和固溶温度为1120℃、保温时间为8 h、水淬的热处理条件下的显微组织演化规律.方法 采用Thermecmastor-z型热模拟试验机进行等温恒应变速率压缩试验,并随后在热处理炉内完成热处理试验,利用大面积拼接(LAM...