Dy掺杂La2／3Ca1/3MnO3锰氧化物制备及低磁场下电输运性质

用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3多晶纳米晶体,粒度在100nm左右。对系列样品电输运性质的研究表明,（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3体系的电输运行为对Dy掺杂量极为敏感。随着Dy含量的增加,样品的转变温度向低温方向移动,峰值电阻显著变大;随着磁场的增加,其转变温度向高温方向略有移动;磁场增加引起的材料磁有序状态提高,使材料的磁电阻进一步变大。     

La0.8-xCa0.2MnO3钙钛矿氧化物居里温度研究

采用溶胶-凝胶法制备了系列Lao.8-xCa0.2MnO3钙钛矿多晶样品,用X射线衍射分析确定了样品的钙钛矿结构,用透射电子显微镜观察了样品的形貌并估算了颗粒度及粒径分布情况,用PARl55型振动样品磁强计测量了样品磁性并确定各样品的居里温度.结果表明,随焙烧温度的提高,样品的平均粒径略有增大,但居里温度的变化没有明显的规律性,对于不同温度焙烧的样品居里温度Tc随La3+离子空位浓度x的变化表现出相似的规律性,当x＞0.03时Tc随x变化不大,当x＜0.03时,Tc随x的增大有明显的提高.     

La2/3Sr1/3Mn1-xCuxO3的磁电阻研究

采用溶胶一凝胶(sol-gel)法制备了La2/3 Sr1/3Mn1-x CuxO3(x=0.00、0.05、0.10、0.20)的多晶样品.利用振动样品磁强计测量了样品在室温下的磁性能;利用X射线衍射确定了粉体的组成;利用扫描电子显微镜观察了颗粒的形貌.在1.8T磁场作用下,当x=0时,在370K,样品的磁电阻几乎成...     

非正分钙钛矿锰氧化物(La0.8 Sr0.2)1-xMnO3的电磁特性

报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应.实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成.它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果.样品的零场电阻率ρ0随着A位缺位量x的增大而增大.适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性.当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175～328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%.     

La0.7Ca0.3-xSrxMnO3薄膜的电输运特性研究

采用溶胶-凝胶法制备La_0.7Ca_0.3-xSr_xMnO₃(LCSMO)薄膜, 探讨掺杂对结构、磁性能与电输运特性的影响机制。从X射线衍射(XRD)结果来看, 所有薄膜均具有典型钙钛矿结构。LCSMO薄膜的居里温度(T_C)和金属绝缘体转变温度(T_MI)均随Sr掺杂浓度增加而单调增加。总体看来, 当x ≤0.05时, LCSMO薄膜磁阻率类似于窄带系LCMO 系材料, 在T_MI周围较宽的温度区间内存在相分离, 而相分离过程中多相共存的无序状态是该类材料庞磁阻效应的主要来源。对特定温度下的磁阻率随磁场的变化进行分析, 当温度低于T_MI时, 磁阻率随磁场变化出现双梯度, 低磁场时晶界隧穿效应起主导, 该部分效应对磁场特别敏感, 高磁场时磁阻率主要来源于磁场对自旋波动的压制; 当温度接近或高于T_MI时, 晶界隧穿效应逐渐消失, 磁阻率随磁场线性变化, 磁场对自旋波动的压制起主导作用。     

还原处理对La0.67Sr0.20Cu0.10□0.03MnO3材料磁电阻性能的影响

采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了名义组分为La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3（□代表阳离子空位）的多晶母体粉体材料,在不同温度（200℃,250℃,300℃）的氢气环境中对母体粉体材料还原15分钟后,在1100℃氩气环境中烧结12小时得到系列块体样品。研究了块体样品的相结构,导电性质、磁学性质以及磁电阻效应。实验结果表明,在适当温度的氢气环境中对粉体材料还原,可减少乃至消除粉体样品中的Mn3O4杂相,从而可以使块体样品电阻率降低,磁电阻峰值提高。在1．8T外磁场下,La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3母体样品的磁电阻在319K出现峰值,其峰值为24．6％;在250℃还原15分钟样品,其磁电阻峰值达到31．5％。     

复合氧化物Ln0.67Sr0.33MnO3（Ln=La,Pr,Nd,Sm）的制备,结构与电性

本语文通过共沉淀工艺合成了复合氧化物Ｌｎ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ）与传统陶瓷制备方法相比，成相温度降低约４５０℃，经Ｘ射线衍射分析表明，所得复合氧化物为立方钙钛矿结构，晶胞参数随稀土离子半径变化而呈规律性变化，样品的四极法电阻率测试结果表明；样品中的稀土离子Ｌｎ的离子半径对其本身的地电性起决定性的作用，应用双交换理论，样品中的稀土离子Ｌｎ的离子半径对其本身的导电性     

溶胶-凝胶法合成LED用红色发光材料R2-xEux（MoO4）3（R=Gd，Y，La）及性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了发光二极管（LED）用R2-xEux（MoO4）3（R=Gd，YLa；0≤x≤2）系列高亮度红色荧光粉，并对其结构与发光性能进行了详细研究。采用粉末x射线衍射（XRD）测量了不同温度下合成的样品结构变化情况，发现当R=y和Gd时，它们具有单斜和正交两种结构：当R=La时，荧光粉只有一种单斜结构．同时用荧光光谱对它们的发光性能进行了研究，发现在相同条件下（相同温度，相同时间，相同浓度）得到的样品的发光强度顺序为La0.8Eu1.2（MoO4）3〉Gd0.8Eu1.2（MoO4）3〉Y0.8Eu1.2（MoO4）3，且它们在395和465nm均有较强的有效激发，这两种波长正好与商用的GaN基LED芯片相匹配,同时研究了煅烧温度及掺杂浓度对其发光性能的影响。     

新型溶胶-凝胶工艺制备La0.5Ca0.5MnO3薄膜及性能分析

鉴于以醇盐为原料溶胶-凝胶制备La0.5Ca0.5MnO3薄膜工艺中存在诸多苛刻因素,本文以无机盐为原料采用溶胶-凝胶工艺在SiO2/Si(100)衬底上制备了La0.5Ca0.5MnO3薄膜.并用XRD、SEM和TEM等分析手段对薄膜进行了表征,通过不同磁场下电阻-温度(R-T)曲线,研究了样品的磁电阻(CMR)效应...     

钙钛矿型热电氧化物Y0.95R0.05CoO3（R=Ca,Sr,Ba）的制备和热电性能

采用溶胶-凝胶法制备化合物Y_0.95R_0.05CoO₃（R=Ca,Sr,Ba）,研究了碱土元素替代对YCoO₃电输运和热电性能的影响。结果表明,随着替代离子Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺离子半径的增大,在相应温度下替代化合物Y_0.95R_0.05CoO₃的电阻率逐渐增大,Seebeck系数增大,功率因子降低。离子半径较小且与替代离子半径相近的Ca²⁺离子替代能有效提高YCoO₃体系高温热电功率因子。     

尖晶石型Ni0.8Zn0.2Fe2O4纳米晶体的?制备及电磁性能研究

以金属离子的柠檬酸盐为前驱体,通过sol-gel自燃烧的合成方法制备了镍锌铁氧体(Nio.8Zno.2Fe2O4)纳米晶体.采用FT-IR、DSC-TG、XRD、TEM波导等方法对产物以及产物的电磁性能进行了表征.结果表明,在前驱体中,金属离子与柠檬酸以络合物的形式存在.凝胶在220℃完成自燃烧反应.随着热处理温度的升高,粉体的粒径逐渐增大.纳米晶体在8～12GHz的测试条件下具有介电损耗与磁损耗.随着涂层厚度的增加,混合媒质的微波反射率逐渐增加,反射率吸收峰随着厚度的增加向低频移动.     

0.15CoAl0.2Fe1.8O4-0.75BaTiO3纳米磁电复合材料的电场诱导介电特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了0.15CoAl0.2Fe1.8O4-0.75BaTiO3纳米磁电复合材料。XRD分析表明,制备的样品中包含钙钛矿(BaTiO3相)和尖晶石结构(CoAl0.2Fe1.8O4相),没有其它明显杂相生成。扫描电镜表明,颗粒平均粒径约为45nm,且压磁相均匀分布于压电相中。研究了该纳米磁电复合材料在外加偏置静电场诱导下的介电常数随频率的变化,分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δεr和调谐率K。随着偏置电场的增大,Δεr和K都变大;随着频率的增加,Δεr和K都减小。并且,在外加偏置电压为3kV/cm时可以获得相对较大的调谐率(4.05%)。     

Lattice Effect on Magnetic and Electrical Properties of Ln2/3Pb1/3MnO3 （Ln=La,Pr, Nd） Films

Lattice effect on magnetic and electrical transport properties of Ln2/3Pb1/3MnO3 （Ln=La, Pr, Nd） films prepared by RF magnetron sputtering technique were investigated. With the decrease of the average ions radius 〈rA〉, the structure of Ln2/3Pb1/3MnO3 （Ln=La, Pr, Nd） targets transit from the rhombohedral phase to the orthorhombic phase, and the Curie temperature reduces rapidly with the decrease of 〈rA〉. The electrical properties show that films are the metallic state which can be fitted to the formula： ρ（T）=ρ0 ＋ ρ1T^2 ＋ ρ2T^4.5 at low temperatures. The temperature range of the ferromagnetic metallic state becomes narrow with the decrease of 〈rA〉. The phenomenon can be explained by the lattice effect.     

双掺杂稀土锰氧化物La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3薄膜的输运特性

采用射频磁控溅射法制备了Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3(LCSMO)薄膜。电阻率-温度特性表明,薄膜在387K时发生铁磁金属相-顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在180,230和280K温度下的伏安特性．表明所制备的薄膜具有自阻效应,并分析了产生该现象的原因。     

Pr掺杂Sm0.5Sr0.5CoO3阴极的性能研究

固体氧化物燃料电池(SOFC)因能量转换效率高,绿色无污染而备受关注。研究发现,钙钛矿结构的Sm_0.5Sr_0.5CoO_3-δ(SSC)是电子-离子混合导体,具有良好的氧还原活性,以及电导率高、极化电阻低等优点。为了探究镧系元素Pr掺杂对SSC阴极性能的影响,采用溶胶-凝胶法制备Pr_xSm_0.5-xSr_0.5CoO₃(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)阴极粉体,对其进行一系列表征和电化学性能测试。电化学阻抗谱(EIS)测试表明,当Pr掺杂量为0.3时,PSSC-30阴极在550～750℃范围内的极化电阻均小于其他掺杂量;在700℃时,全电池的功率密度达到最大,为311.06mW/cm²。     

溶胶凝胶法合成La0.5Sr0.5Co0.8Mn0.2O3-δ钙钛矿及其催化性质

采用溶胶凝胶煅烧法合成了La0.5 Sr0.5 Co0.8 Mn0.2 O3-δ纳米粉,通过X射线衍射、电子显微镜、X射线光电子能谱和碘定量滴定等测试方法对合成物进行了表征,并以四溴双酚A为模型污染物,考察其催化性能.结果表明,合成的纳米La0.5 Sr0.5 Co0.8 Mn0.2 O3-δ具有钙钛矿R-3c结构,平均晶粒尺寸为40～70 nm.与通氮气煅烧的样品相比,弱氧化煅烧样品的非化学计量氧浓度适中,钙钛矿结构中B位离子平均价态相对较稳定,其催化性能较强且相对较稳定,可再生循环使用四次.     

LuTaO4:Ln3+(Ln=Eu,Tb)透明薄膜制备改进与其发光性能研究

LuTaO₄是一种新型的辐射探测材料, 但是制备高质量的透明薄膜面临着巨大挑战。为了在保证薄膜不开裂与高透明度的前提下提高薄膜的厚度, 通过大量摸索选用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为胶黏剂并优化溶胶中固含量及PVP含量成功制备出单层厚度达到100 nm的LuTaO₄:Ln³⁺(Ln=Eu,Tb)薄膜, 保证了薄膜的透明度同时大大提高了发光性能。该方法为高质量LuTaO₄:Ln³⁺(Ln=Eu,Tb)厚膜的制备和应用奠定了基础。     

Al3+掺杂对La0.8Sr0.2Mn1–xAlxO3电输运性能的影响

钙钛矿锰氧化物La_1–xSr_xMnO₃ (LSMO)作为一种代表性庞磁阻材料,在磁传感器等领域具有广阔的应用前景,但在低磁场和室温下很难获得显著的庞磁阻效应。为提高LSMO磁电阻效应和转变温度,本研究采用传统固相反应法制备了La_0.8Sr_0.2Mn_1–xAl_xO₃ (0≤x≤0.25)(LSMAO)多晶样品,并系统分析了Al³⁺掺杂对LSMO电输运性质和磁电阻效应的影响。X射线衍射(XRD)图谱表明LSMAO样品具有单一的菱方结构,属于■空间群。电输运性质研究发现,样品的电阻率随Al³⁺的掺杂呈指数型上升,且外加磁场使金属-绝缘体转变温度有所提高。这可能是由于Al³⁺稀释了Mn³⁺/Mn⁴⁺离子网络,在减少载流子数量的同时增加了磁无序。此外,LSMAO陶瓷的导电机理随Al³⁺的掺杂从...     

（Ba0.6Sr0．4）Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能

利用溶胶-凝胶法在Pt／TiO2/SiO2/Si衬底上制备了（Ba0．6Sr0．4）Ti1-xZnxO3（BSTZ）薄膜,用X射线衍射和扫描电镜分析测定了BSTZ的微结构和薄膜的表面形貌,研究Zn掺杂量对其介电调谐性能的影响,结果表明,随Zn含量的增加BSTZ物相无明显变化,其介电常数、调谐量先增加后降低,但介电损耗却先降低后增加。在室温1MHz下,1．5m01％Zn掺杂BSTZ薄膜有最大的调谐量54．26％;2．5mol％Zn掺杂BSTZ薄膜有最低的介电损耗0．0148和最大的优值因子30．3。     

复合氧化物纳米粉掺杂BaTiO3 基MLCC 超细瓷料

采用新颖的纳米掺杂工艺成功制备了BaTiO₃ 基MLCC 超细抗还原瓷料。TG-DTA、XRD、TEM 分析表明, 通过水基溶胶-凝胶法合成了高分散、高活性的纳米掺杂剂, 平均粒度约40.2 nm。根据传统工艺与纳米掺杂工艺的比较, 对纳米掺杂机理进行了研究。实验发现, 由于纳米粉体的特殊效应, 纳米掺杂工艺能更有效地提高掺杂原子的取代改性作用, 从而更显著地改善瓷料的微观结构和宏观介电性能。样品经测试符合EIAX7R/ X8R 标准, 其介电常数K25 ℃ > 2800 、介质损耗tanδ< 110 %、绝缘电阻率I R = 10.2 Ω ·cm、平均晶粒尺寸Gav≈0.3μm。