3-D叠层芯片封装技术

超大规模集成电路(VLSI)技术的不断革新要求 IC 产品和其它系统元素之间的互连数目不断增长,而且互连线要短,电信号线仍将维持大容量和高速度。为了跟上 IC 对封装的速度和密度增长的要求,需要更多地使用薄膜多芯片组件。这里推荐一种既能满足将来的要求又能突破先前已有方法的局限性的3-D 叠层技术。     

高密度3-D封装技术的应用与发展趋势

高密度3-D封装技术是国内外近几年飞速发展的微电子封装技术。它在2-D平面基础上向立体化发展,实现了一种新的更高层次的混合集成,因而具有更高的组装密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟等优势。该技术正在加速未来电子整机系统的微小型化。主要介绍了近年来3-D封装应用状况和一种新型的封装技术——系统上封装SOP(System-on-Package)。     

多芯片组件（MCM）封装技术

多芯片组件（ＭＣＭ）封装技术是当今世界范围内最新的特殊的封装技术。本文就此技术所涉及的多种技术，其中包括多密度衬底工艺技术、芯片粘贴技术、布局和布线ＣＡＤ技术以及ＭＣＭ的电学分析和测试技术等问题进行了讨论并作扼要介绍。     

MCM与裸芯片封装技术

随着携带用的电子设备市场的迅速扩大，适于高速、高性能的MCM发展也相当惊人，在这样的发展背景下，提高裸芯片封装技术的重要性越来越明显，然而，以KGD问题为代表，在连接、检查、维修以及可靠性等方面需要解决的技术课题也相当多。因此，本文将对其中存在的一些基本问题并以此为突破口而加以探讨。由于较容易引入裸芯片，因此有必要介绍一下有关这方面的新技术开发情况。     

3-D封装时代拉开帷幕

正如Joseph Fjelstad（SiliconPipe的创始人和CEO）在SEMICON West 2007所做的一个关于先进封装的报告中所指出的，在电子封装发展史上有着三个显著的时期（图）。这些时期包括通孔、表面组装和芯片级封装。我们目前的许多技术仍处于芯片级时代，但是封装领域的新纪元将是3-D技术——虽然它几年前才刚刚开始。     

HIC／MCM的最佳设计和封装

ＨＩＣ／ＭＣＭ的最佳设计和封装安食弘二ＨＩＣ／ＭＣＭ对电子产品的影响大１．整机厂涉足专用ＨＩＣ／ＭＣＭ混合集成电路（ＨＩＣ）／多芯片组件（ＭＣＭ）一般分为通用品和专用品。通用品已由电子元器件厂家实现模块化，成为市售产品，但从封装方面讲，整机厂家正在涉...     

3-D MCM 的种类

介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。     

低成本的MCM和MCM封装技术

本文介绍了多芯片模块的相关技术?消费类电子产品低成本的要求推动了MCM技术的应用。对于必须高密度集成以满足高性能、小型化且低成本的要求的产品，MCM可选用多种封装技术。     

MCM—D：一种先进的微电子封装技术

一、MCM－D的特点当今微电子封装领域有两大热门话题，一个是BGA，另一个是MCM。BGA最初是作为一种具有极高封装密度的单片封装形式出现的，它的出现，使得单片电路尺寸减少许多。但对于整机产品而言，系统体积并非由此而减少许多，这就给MCM的发展创造了良好的机遇。而且BGA作     

三维（3—D）封装技术

3-D多芯片组件（MCM）是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成（VLSI）用的3-D封装技术的最新进展,详细报导了垂直互连技术,概括讨论了选择3-D叠层技术的一些关键问题,并对3-D封装和2-D封装及分立器件进行了对比。     

Improved compact thermal model for studying 3-D interconnect structures with low-k dielectrics

Compact thermal modeling is gaining significance as interconnect feature sizes continue to shrink, requiring increased computation times for full-field multi-scale simulations. Improved and expanded uses of an existing compact thermal modeling approach found in Gurrum et al. [A compact approach to on-chip interconnect heat conduction modeling using the finite element method, ASME J. Electron. Packaging (2007), accepted], Gurrum et al. [A novel compact method for thermal modeling of on-chip interconnects based on the finite element method, ASME, EEP 3, Electron. Photon. Packing Electr. Syst. Photon. Des. Nanotechnol. (2003) 441-445] are presented here. The first improvement rectifies a singularity that occurs in the previous compact model. This change allows for greater flexibility in mesh application, and a greater number of structures that can be analyzed. This work focuses on the application of the compact thermal model to two interconnect structures. The first geometry [S. Im, N. Srivastava, K. Banerjee, K. Goodson, Scaling analysis of multilevel interconnect temperatures for high performance ICS, IEEE Trans. Electron. Dev. 52 (12) (2005) 2710-2719] is a typical interconnect structure based on the ITRS 65 nm technology node. A new transient compact model was applied to another geometry [J. Zhang, M. Bloomfield, J. Lu, R. Gutmann, T. Cale, Thermal stresses in 3D IC inter-wafer interconnects, Microelectron. Eng. 82 (3-4) (2005) 534-547], which is a more advanced technology with a through-the-die via structure. The second improvement of the compact model is extending the steady state finite element based model into a transient version. Full-field simulations have very large storage and memory requirements for transient analysis of complex structures. The advantage of this compact model is that in addition to increased efficiency, the methodology and implementation is similar to a traditional finite element analysis (FEA).     

新型微波毫米波单片三维垂直互连技术

近半个世纪以来,微波电路发展十分迅速,它经历了从低频到高频、从单层到多层的发展历程,最终导致了微波多芯片组件的产生。随着多芯片组件密度的不断提高,互连的不连续性成为制约整体性能的瓶颈。因此,对互连进行仿真和建模,对于微波多芯片组件的设计有着重要的意义。文章以MMIC芯片和介质基板的垂直互连结构作为研究对象,对不连续性结构的散射参数进行了软件仿真优化,并进行了装配、测试和结果分析。     

3-DMCM实用化的进展

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。     

封装外壳散热技术及其应用

微电子器件的封装密度不断增长,导致其功率密度也相应提高,单位体积发热量也有所增加。为此,文章综述了封装外壳散热技术的基本原理、最新发展及其应用,并简要讨论了封装外壳散热技术的未来发展趋势及面临的挑战     

三维有限差分光束传输法在AWG中的应用

文章以亥姆赫兹方程为基础,推导了三维有限差分光束传输法(FD-BPM),并在阵列波导光栅模拟计算中采用该方法对光场在阵列波导中的传输过程进行了计算和模拟.结果表明,采用三维FD-BPM可提高计算精度.另外由于三维FD-BPM对纵向步长不敏感,可通过加大步长来减少计算时间,在提高精度的同时,不影响计算时间.     

利用信息技术由二维切片图重建三视图

利用计算机对某一管道的二维层状切片图形进行分析处理.利用多媒体著作工具MultimediaToolBook[1～3]找出图形中最大的内切圆,内切圆圆心的轨迹就是管道中心轴线的轨迹,编制程序计算出半径数值,在确定管道中心轴过程中,采用圆弧上两点的角平分线与圆弧的交点进行插值;运用Origin工具作出管道的三维图和三视图;使用Visio工具将三视图修改成光滑的曲线.     

互连封装结构电特性分析中的改进PEEC三维建模

本文提出了一种改进的PEEC模型,为便于在大规模互连封装结构分析中利用规模缩减技术,它以描述系统的状态方程代替了具体的等效电路.为此它以矢量磁位的积分表达式和洛仑兹规范代替了矢量磁位和标量电位的积分表达式,对积分方程进行展开.这样做可以避免复杂介质结构中的电容矩阵提取,大大节省了计算时间.这一模型可方便地嵌入更大的系统进行分层次的综合分析和利用PVL等规模缩减技术.数值计算的结果与其他文献吻合较好,表明该方法有较高的可靠性.     

近场扫描架三维SAR 成像处理技术

对近场扫描架三维SAR 成像原理及处理技术进行了详细研究,该技术能够修正近场成像测量中天线方向图及距离因子等引入的误差,在近场测试区域内获取目标散射中心真实的三维散射强度分布图,仿真和实测成像数据均验证了该方法的正确性和可行性。