工艺参数选择对石英玻璃刻蚀性能的研究

采用ICP601型刻蚀机,对石英玻璃进行刻蚀,结果表明,随着气压增大,刻蚀速率增大,0.5 Pa时,刻蚀速率达到峰值50 nm/min,而后随着气压的增大,刻蚀速率降低.0.5 Pa气压下的石英玻璃微槽底部平直,“长草现象”逐步消失.随着功率的增大,刻蚀速率变快.通过不同玻璃材料的刻蚀,可以看出,在采用SF6刻蚀剂的情况下,K9玻璃的刻蚀速率大于石英玻璃的刻蚀速率,GG17耐高温玻璃的刻蚀速率小于石英玻璃的刻蚀速率.本研究可为玻璃微器件制备提供工艺参考.     

化学刻蚀对玻璃表面的微结构和光学性能的影响

为了改善普通玻璃的透过率,采用化学刻蚀法,在不同的温度和时间条件下,用不同浓度的Na OH溶液对普通玻璃进行刻蚀,得到了具有减反增透的疏松表面。通过扫描电子显微镜(SEM)观察玻璃刻蚀前后的形貌变化,使用原子力显微镜(AFM)测试了玻璃刻蚀前后的三维形貌和粗糙度,通过紫外可见近红外分光光度计和接触角测试仪,测试了刻蚀后玻璃的光学性质和润湿性。结果表明,当Na OH溶液的浓度为0.04mol·L^-1、刻蚀温度为30℃、刻蚀时间为50min时,刻蚀后的玻璃表面出现了一层疏松的膜层,粗糙度增大,透过率提高到92.23%,玻璃的光学性能得到了提高。     

反应烧结工艺对碳化硅陶瓷微结构及性能的影响

研究了脱胶温度、加硅量、升温速率及重烧次数对反应烧结碳化硅陶瓷金相组织、体积密度、力学性能和微观结构的影响.结果表明:经800℃脱胶,硅与碳化硅生坯的质量比为0.9∶1,升温速率为1.0 ℃/min时,反应烧结碳化硅陶瓷产品的性能最好,体积密度为3.09 g/cm3,维氏硬度为26.82 GPa,弯曲强度为388 MPa,断裂韧性为4.49MPa·m1/2.对渗硅不充分的不合格品进行重烧可以有效提高产品的致密度和力学性能,但是,重烧次数过多会引起晶粒粗化,从而导致力学性能下降.     

SiC微粒对Ni-W-SiC复合镀层工艺及性能的影响

讨论了工艺参数对镀层成份的影响及热处理方式对Ｎｉ－Ｗ－ＳｉＣ复合镀层组织结构、硬度和耐磨性的影响．结果表明，采用电沉积工艺，可得到含Ｎｉ５０～５５％、Ｗ４２～４５．４％、ＳｉＣ３．０～７．６％的复合镀层．ＮｉＷＳｉＣ复合镀层在镀态时为非晶态，经５００℃热处理１ｈ或氮碳共渗后，镀层已晶化，产生了镍固溶体和少量的－ＦｅＮｉ相，经氮碳共渗后还有ＷＣ和ＷＮ相．ＳｉＣ微粒的加入显著地提高了Ｎｉ－Ｗ合金层的硬度和耐磨性．经氮碳共渗后的复合镀层，其硬度和耐磨性优于其它镀层．     

挤出滚压成型工艺参数对微结构复制率的影响

挤出滚压过程中聚合物填充对微结构转印效果至关重要,直接决定制品的质量.建立滚压过程理论模型,得到各工艺参数与复制率之间的函数关系.基于正交实验优化设计法,进行挤出滚压成型工艺实验研究,获得各工艺参数对微结构复制率的影响规律,并给出各工艺参数的最优水平组合及其对复制率影响的趋势图.极差分析结果表明:对于PP材料,滚压压力和辊轮转速对复制率的影响较大,挤出机口模温度的影响相对较小.     

成型工艺对反应烧结SiC材料性能的影响

本文研究了不同成型工艺对反应烧结碳化硅陶瓷材料的素坯及烧结体的显微结构、力学性能的影响。研究发现：用原位凝固工艺获得的素坯比用干压和注浆成型的素坯孔径分布更加均匀、具有单峰性,孔洞形状规则。干压和注浆成型的烧结体中有大块残C与残余Si,原位凝固工艺的烧结体则无此缺陷,且具有更好的力学性能。     

基于CAE分析的工艺参数对微结构复制程度的影响

针对注射成型中微流控芯片中微结构复制不完全的情况,采用单因素法,利用Moldflow软件对微流控芯片抽象物理模型进行仿真分析,考察熔体温度、模具温度、保压压力、注射压力等4个工艺参数对微结构复制情况的影响。结果表明,熔体温度与模具温度的影响较大,保压压力的影响次之,注射压力的影响不显著。     

工艺参数对RTM制品性能的影响

作为一种先进的复合材料成型技术。树脂传递模塑已经受到西方国家的广泛重视,由于其高精度、低费用、污染少而被广泛应用于工业生产,尤其是大型异型薄壳结构复合材料的生产。然而在我国这方面的研究报道还很少。本文选择了四个工艺条件——固化时间、固化温度、后固化和脱气时间——来优化成型工艺,结果表明,固化时间和后固化对制品的力学性能影响最大。另外,本文也考察了纤维含量对制品力学性能的影响。     

烧结温度对SiC纤维结构及性能的影响

以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用先驱体转化技术制备出耐高温的连续Si C纤维。研究了烧成过程中温度对纤维结构及性能的影响。结果表明,当纤维的烧成温度低于1 400℃时,纤维的拉伸强度随着温度升高缓慢上升;烧成温度为1 400℃时,氧的质量分数为1.96%,硅碳原子个数比为0.757 6,拉伸强度为2.7 GPa,晶粒尺寸为5.4 nm,惰性气氛下1 800℃处理1 h后,强度保留率为49.63%,空气气氛中1 250℃处理后,拉伸强度仍保留2.24 GPa。烧成温度在1 400℃之后,拉伸强度明显下降。当烧成温度为1 800℃时,拉伸强度为1.32 GPa。这主要是纤维中Si CxOy相分解和晶粒长大两方面的综合因素起作用。烧成温度较高的纤维,惰性气氛中的耐高温性能较好。这是因为其氧含量较低,且纤维的晶粒尺寸增加幅度较小。烧成温度为1 800℃的纤维惰性气氛下1 800℃处理1 h后,强度保留率为72.73%。     

SiC对IRFC致密度及性能的影响

基于原位反应复合材料生长的ＥｘｔｅｎｄｅｄＶａｐｏｒ－Ｌｉｑｕｉｄ－Ｓｏｌｉｄ机制，设计使用Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金为母相，煅烧过的ＳｉＣ（１４μｍ）细颗粒为预测件，采用加水ＣａＳＯ４与Ａｌ２Ｏ３混合粉为阻生剂制出体积相对密度在９７％以上，强度高达５００．９±４０．９ＭＰａ，Ｋｉｃ高达５．０８±０．３９ＭＰａ．ｍ１／２的ＩＲＦＣ材料，并运用金相显微镜对ＩＲＦＣ的微观结构进行了分析，用ＥＶＳＬ理论对ＩＲ     

工艺参数及灰分对煤基活性炭吸附性能的影响

运用正交实验方法,选取山西三种有代表性的煤种--大同弱黏性烟煤、阳泉无烟煤和晋城无烟煤,用KOH化学活化法制备超级活性炭,以所得活性炭的CCl4吸附值作为考察指标,比较三种煤制备超级活性炭的优劣并确定最佳工艺条件;此外,由于原煤灰分含量大,对原煤和活性炭进行了酸洗脱灰处理实验,以考察灰分对活性炭性能的影响.结果表明,酸洗脱灰后的阳泉煤在活化温度830 ℃,活化时间120 min,碱炭比5/1的条件下所制备的活性炭CCl4吸附值已达3 301 mg/g.     

工艺参数对锌镍合金镀层组织及性能的影响

采用电沉积法在碳钢表面制备Zn?Ni合金镀层.研究了电镀工艺对镀层的表面形貌、元素组成、相结构、显微硬度和耐蚀性的影响.结果表明,电镀液pH为5.0,电流密度为1.0 A/dm2,温度为30°C,锌镍阳极分挂时,可获得完整、光亮,结晶均匀细密的Zn?Ni合金镀层,其镍含量为14.05％,显微硬度为291.8 HV,中性盐雾试验1000 h未见红锈.     

刷镀参数及工艺过程对铁层性能的影响

研究了刷镀参数、底镀层种类和电源输出方式等对电刷镀铁层光洁镀与结合力的影响。     

工艺及原丝参数对喷气变形丝性能的影响

本文主要叙述了空气压力、变形速度、超喂率、稳定性伸长率及喷嘴类型等工艺参数及原丝材料、单丝纤度及丝条总纤度等原丝参数对喷气变形丝性能的影响。     

HF刻蚀工艺对AZ91D镁合金疏水膜性能的影响

为了改善AZ91D镁合金表面疏水膜的疏水性,对以HF和Na₂MoO₄为主要成分的刻蚀液进行了研究。通过改变刻蚀温度、刻蚀时间、HF的浓度及Na₂MoO₄的质量浓度,确定了最佳的刻蚀工艺条件为:HF 0.10 mol/L,Na₂MoO₄ 1.00 g/L,15～25℃,90 s。实验结果表明:使用HF刻蚀液可以在镁合金表面形成理想的微纳结构。通过刻蚀构建的微纳结构可以明显提高疏水膜的疏水性。     

高岭石插层工艺及对其微结构的影响

高岭石是一种1∶1型层状硅酸盐黏土矿物,因其层间缺乏可与插层剂交换的阳离子,以及层间氢键和范德华力的存在,导致插层剂很难进入其层间,因此有关高岭石插层方面的研究受到广泛关注。对固相、液相、协助和聚合插层法及插层分子进入高岭石层间对其微结构产生的影响进行了重点介绍,并对高岭石插层研究存在的问题及今后研究的重点进行了分析。     

工艺参数对透水砖性能影响分析

以废瓷为骨料,玻璃粉、疏浚泥为混合粘结剂,经过一系列工艺制备生态环保透水砖,研究了各工艺参数(骨料粒径、骨料级配、粘结剂含量比、烧成温度)对透水砖的透水性能、抗压强度性能的影响。     

CVD沉积工艺对SiC涂层结晶度与耐腐蚀性能的影响

通过化学气相沉积(CVD)SiC涂层来提高SiC_f/SiC复合材料的耐腐蚀性能,本文以CH_3SiCl_3(MTS)为源气体,在反应烧结SiC基体上制备SiC涂层,控制沉积温度、炉压及H_2/MTS摩尔比等工艺参数,通过X射线衍射实验(XRD)得到不同工艺条件下生成的碳化硅涂层的物相组成和结晶度,通过高温水腐蚀实验检测涂层的耐腐蚀性,并利用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀前后的表面形貌。结果表明:当沉积时间为8 h,沉积温度从1050℃到1250℃,β-SiC涂层表面平整性提高,沉积厚度由12.97μm急剧增加至71.10μm, SiC晶粒尺寸逐渐增大,最终呈金字塔状;碳化硅涂层腐蚀60 d后,表面呈现针状结构,1250℃下沉积的SiC涂层耐腐蚀性能较好;β-SiC涂层的晶粒尺寸随沉积炉压的增大而增大,结晶度随沉积炉压增大而减小,在200 Pa以下,获得的β-SiC晶粒的结晶度最高(81.08%)、晶粒尺寸最小(13.7 nm);随着H_2/MTS摩尔比增加,β-SiC晶粒结晶度迅速下降,当H_2/MTS=6.5时,结晶度最高(95.91%)。     

工艺制度对反应烧结SiC耐磨材料性能与结构的影响

通过研究熔渗温度和时间及烧成工艺制度的不同对反应烧结SiC耐磨材料性能与结构的影响,确定最佳的工艺制度。分析了样品的体积密度、开口气孔率、显微硬度、磨损量等物理性能。采用扫描电子显微镜、能谱仪及X射线衍射仪对样品的断口形貌、内部成分和结构进行了表征。发现反应烧结碳化硅在1430℃保温3h,烧成温度1550℃保温2h这种工艺制度下,制备出体积密度为2.73g/cm3,硬度为2917.67hv、磨损量为0.0018g的陶瓷材料。