深红波段LiAlO2:Fe3+荧光粉发光性能的研究

用高温固相合成法制得Li Al O2:Fe3+,通过正交实验确定最佳含量和反应条件:1 mol体系中,n(Li)/n(Al)=0.93,n(Fe)=0.006 mol,并在1470℃下灼烧3h。XRD分析确证为四方晶系。在λem=743nm监测下,激发光谱峰为266nm;且在λex=266nm的激发下,发射光谱峰为743nm,色坐标x=0.7352,y=0.2648。     

蓝色发光材料MGa_2S_4:Ce(M=Ca,Sr)发光特性的研究

制备了可用于蓝色TFEL的粉末发光材料MGa2S4：Ce（M=Ca，Sr）并对其晶体结构进行了X射线分析，测量并研究了其激发光谱和发射光谱，研究了Ce3 浓度的变化对CaGa2S4：Ce和SrGa2S4：Ce的激发光谱.发射光谱、色纯度及发光强度的影响，同时研究了基质组份的改变对发光特性的影响．结果表明，CaGa2S4：Ce和SrGa2S4：Ce可发射纯蓝色光，色纯度好．对CaGa2S4：Ce来说，实现其高效率的、纯蓝色发射的最佳Ce3 浓度为6mol％，而SrGa2S4：Ce的最佳Ce3 浓度为3～4mol％．     

棒状氧化镓的合成和发光性质研究

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70～200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制.     

半导体材料β-FeSi2的发光性质研究

半导体材料β-FeSi2作为一种新型的光学活性材料引起了人们的广泛关注。β-FeSi2材料的发光波长在1．5μm,是光纤通信的重要波段,且能与已经发展起来的硅集成工艺兼容。文章概述了近年来β-FeSi2材料发光性质的研究成果,尤其是在改善发光性能上所做出的努力,为实现材料在器件上的应用和进一步的材料研究提供了有益的参考。     

y3+掺杂PbWO4微晶的合成及发光性质研究

在乙二醇-蒸馏水混合溶剂中,以水热法制备出不同钇(Y3+)掺杂浓度的钨酸铅( pbWO4)微晶,并利用X射线衍射(XRD)、X射线荧光光谱(XRF)和光致发光光谱(PL)分别对样品的结构和发光性能进行了表征.结果显示,Y3+掺杂使PbWO4微晶的发光强度最大提高了近4倍,且随着Y3+掺杂浓度的增加发光峰位红移近40nm;另外,通过对发光曲线的高斯拟合发现,所有的发光峰都是由蓝光峰、绿光峰、黄光峰和红光峰组成,并分别探讨它们的可能起源及Y3+掺杂对它们所产生的影响.     

掺铅CsI晶体中Pb~(2+)聚集体的发光(英文)

退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10～ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2＋基聚集相的形成机制 和发光机理。     

锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响

采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2:Sb薄膜.所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜.PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主一受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关.     

BaMg2(PO4)2:Sm3+红色荧光粉发光性质的研究

采用高温固相法合成了BaNg2(PO4)2:Sm3+红色荧光材料发光材料并对其发光特性进行了研究.该荧光粉有三个主要发射峰,分别位于564 nm、600 nm、648 nm,对应于4G5/2→6H5、4G5/2→6H7、4G5/2→6H9/2的跃迁发射,其中600 nm处发射最强,呈现红色发光.随着Sm3+浓度的增加,...     

杂质离子对Y_2O_3∶Eu~(3+)发光性能的影响

研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,A+ 0 .0 2 (A =Li、Na、K)和Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,B2 + 0 .0 2 (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性。余辉光谱数据表明 :杂质离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的荧光发射主峰 (611nm)一致 ,为经典Eu3+ 的5D0 7F2 电偶极跃迁 ;杂质离子的引入明显地延缓了Y2 O3∶Eu3+ 的余辉衰减 ,其中Y2 O3∶Eu3+ ,A+ (A =Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致 ,而Y2 O3∶Eu3+ 、B2 + (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg。热释光谱数据显示 ,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成 ,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 的热释峰都位于 175℃左右 ,相应电子陷阱能级深度为 0 .966eV左右 ;而Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释峰由高到低分别位于 192℃ (Ca)、164℃ (Sr)、13 5℃ (Ba)、118℃(Mg) ,电子陷阱能级深度分别为 1.0 0 3eV(Ca)、0 .942eV(Sr)、0 .880eV(Ba)、0 .843eV(Mg)。结合余辉衰减数据 ,可以看到 ,Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 和Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好 ,由此可以得出 ,一定相同的条件下 ,热释峰值温度越高 ,杂     

退火对两种硅基薄膜的结构及发光影响

采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XPS谱测试分析,比较退火前后的发光及结构的变化。两种样品的光致发光测试谱(PL)表明:退火前后都有两个发光峰位-都存在470nm的发光峰位,它来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化。进一步的FTIR和XPS的测试谱表明另外一个发光峰位420nm(SiOxCy薄膜)和400nm(SiOxNy薄膜)分别来自于掺杂杂质(C和N)与硅基薄膜中的Si、O组成的复合结构。而两种样品经过退火处理后掺杂所引起的发光峰位强度随退火温度的升高而增强,说明退火温度的升高有利于发光机制的形成。     

Ho3+掺杂浓度对氟化镓铟玻璃上转换发光性质的影响

本文制备了掺不同浓度Ho^3＋氟化镓铟玻璃为基质的上转换发光材料20GaF3-15InF3-20CdF2-15ZnF2-（20-x）PbF2-10SnF2-xHoF3（x=0.1,0.3,0.5,1.0,1.5,2.0）,通过对样品的吸收、发射光谱和发光衰减过程的研究,认为在643nm激发下,^5G5→^5I8（422nm）、^5F3→^5I8（480nm）和^5S2→^5I8（520nm）三个发光为双光子上转换发光.在726nm激发下,^5F3→^5I8（483nm）和^5F4（^5S2）→^5I8（540nm）为上转换发光,其中483nm属于双光子过程,540nm是雪崩上转换.     

Fe3＋掺杂纳米TiO2的制备与表征

以TiCl4为前驱体,以FeCl3为Fe3＋源在纳米TiO2的制备过程中掺入不同比例的Fe3＋,获得了掺铁量不同的一系列纳米TiO2样品。采用XRD、XRF、HR—TEM、STEMEDS-Mapping等方法对样品的物相、形貌和微结构等进行系统分析与表征。结果表明,在水解沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO2的过程中可将Fe3...     

水溶性煤基发光碳点的室温快速合成及其在Fe3+离子检测中的应用(英文)

碳量子点具有优异的光学性质,良好的水溶性、低毒性、原料来源广、成本低、生物相容性好等诸多优点,广泛应用于发光器件、生物检测、能源存储与转换领域,但在实际应用中还存在合成过程复杂、产率低等挑战。本文以煤为原料,以甲酸和双氧水为氧化剂,在室温下可大量合成煤基发光碳点,考查了氧化剂的添加量、反应时间对煤基发光碳点的产率及反光性质的影响,结果表明煤基发光碳点产率高达54%,且具有良好的水溶性、光稳定性、耐盐性和较高的发光量子效率。制备的煤基发光碳点可用于Fe³⁺离子的特异性检测,检测限低于600 n mol L^-1。该合成方法为煤的高附加值利用和设计开发煤基新材料提供了新途径。     

新型黄绿色发光材料Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+的合成及光谱分析

采用凝胶-燃烧法在活性炭弱还原气氛下成功合成了新型荧光粉Sr2MgSi3O9 :Tb3+、Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+,用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明,所合成的发光材料与Sr2MgSi2O7具有相似的晶体结构,同属四方晶系.样品一次颗粒近似球形,粒径在100nm左右.Sr2MgSi3O9:Tb3+的激发光谱为一位于249nm的宽带,发射光谱主要由473、491、547、585nm等一系列发射峰组成,其中473nm(5D3→<7F3)为主发射峰,547nm(5D4→7F5)为次发射峰;样品Sr1.955MgSi3O9:Tb3+0.04,Ce3+0.005的激发光谱由峰值分别位于249和335nm的双激发带组成,其中后者为主激发带.在335nm激发下,其发射光谱由两部分组成,其中400nm附近的带状发射对应于Ce3+的发射,而491、547、588nm处的发射峰归属为Tb3+的5+D4→7FJ(J=6,5,4)跃迁发射,最强峰位于547nm,对应Tb3+的5D4→7F5跃迁.此外,探讨了Ce3+掺杂量对样品发光亮度的影响,发现Ce3+可以把能量传递给Tb3+,对Tb3+起到敏化作用.     

高密度发光材料γ-Bi_2WO_6:Pr~(3 )的发光性质研究

研究了用固相法制备的高密度发光材料γ－Ｂｉ２ＷＯ６：Ｐｒ３＋的结构、光致发光光谱、激发谱和γ－Ｂｉ２ＷＯ６的漫反射谱．由实验测得它的晶格参数为α＝５．４５Ａ,ｂ＝１６．４２Ａ,ｃ＝５．４３Ａ,密度Ｄｘ＝９．５３ｇ／ｃｍ３．它的光致发光光谱主发射峰位于６００、６０８、６１１、６２９ｎｍ,分别来自于Ｐｒ３＋的１Ｄ２→３Ｈ４、２Ｐｏ→３Ｈ６、３Ｐｏ→３Ｈ６、３Ｐｏ→３Ｆ２跃迁的发射．其激发谱由位于约２２５～４３０ｎｍ范围内、最大值约在３７２ｎｍ的主激发带和４５０ｎｍ的激发峰组成;主激发带来自于基质,可能是基质的带间吸收、Ｗ－Ｏ间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收;４５０ｎｍ的激发峰来自于 Ｐｒ３＋的３Ｈ４→３Ｐ２跃迁吸收．ＢＷＯ：Ｐｒ３＋的最佳掺杂浓度为 ０．８ｍｏｌ％左右．     

发光材料硫化锌纳米晶的合成与结构表征

本文主要是由改进的气－液共沉淀法，制备出ＺｎＳ和ＺｎＳ∶Ｍｎ的溶胶和粉末。并对制备过程中，锰的掺入量；反应物浓度；反应温度；反应时间等反应条件进行研究，选出最佳反应条件。同时，利用Ｘ－射线衍射仪和红外光谱仪对样品的结构进行研究，证明我们合成的样品为ＺｎＳ和ＺｎＳ∶Ｍｎ纳米晶。     

稀土掺杂TiO2在1064nm激光激发下的上转换发光

为研究TiO2材料的上转换发光特性,采用溶胶-凝胶与共沉淀法制备了La3+、Yb3+和Er3+稀土离子掺杂的TiO2粉末.利用SEM和XRD表征发光材料的结构,探讨了试样在1064nm激发光源常温激发作用下,稀土氧化物的掺杂比例、煅烧温度对上转换发光特性的影响.实验表明,1064nm激光常温激发TiO2基掺杂稀土La2O3、Yb2O3、Er2O3的最佳比例为39∶ 10∶1,经1300℃煅烧可制备出明亮绿色发光的上转换材料.     

氮化法制备氮化锌粉末的结构和光致发光性质

将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.     

Ce3+共掺杂对Y2O3:Eu3+荧光粉的发光性能和颗粒形貌的影响

采用化学反应与高温固相反应相结合的方法制备了Ce3和Eu3+共掺杂Y2O3荧光粉,利用X射线衍射和扫描电镜分析,发现Ce3+离子共掺杂对Y2O3:Eu3+荧光粉的颗粒形貌有显著的影响,随着Ce3+离子浓度的改变,形貌可从球型转变为管状.荧光光谱分析表明,所制备的共掺杂荧光粉主要发射位于614纳米的红光峰和位于587纳米...